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Impulsamos el futuro con cada interruptor
La combinación perfecta de CI controladores de compuerta e interruptores de potencia de Infineon.
Infineon ofrece una completa cartera de CI de controlador de compuerta EiceDRIVER™ con una gran variedad de configuraciones, clases de voltaje, niveles de aislamiento, características de protección y opciones de encapsulado. Los CI controladores de compuerta EiceDRIVER™ son complementarios a los discretos y módulos IGBT de Infineon, MOSFET de silicio (CoolMOS™, OptiMOS™ y StrongIRFET™) y carburo de silicio (CoolSiC™), HEMT de nitruro de galio (CoolGaN™), o como parte de módulos de potencia integrados (CIPOS™ IPM e iMOTION™ smart IPM).
- Carga de vehículos eléctricos
- Herramientas eléctricas sin cable/Robótica/LEV
- Bomba de calor
- Contenidos adicionales
A medida que crece la movilidad eléctrica, se necesitan cargadores rápidos de CC para VE que permitan una carga eficiente Los cargadores de CC ofrecen una carga más rápida que los cargadores de CA estándar. Un cargador de CC de 150 kW puede cargar un VE 200 km en 15 minutos. Infineon, con experiencia en movilidad eléctrica y fuente de alimentación, es un socio natural para el avance de la tecnología de VE de CC.
Controladores de compuerta recomendados
| Aplicaciones | Clase de voltaje (V) | Configuración | Producto | Corriente fuente/disipadores típ. | Paquetes | Descripción | Interruptores y módulos de potencia adecuados |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
| CC-CC (<22 kw) |
600 V | Lado alto y bajo | IRS2186S | 4/4 A | DSO-8 | Corriente elevada para alta potencia y frecuencia de conmutación rápida | MOSFET CoolMOS™ IPW60R018CFD7 IPW60R037CSFD MOSFET CoolSIC™ IMZ120R030M1H IMZA120R040M1H Diodo Schottky CoolSIC™ IDW40G120C5B IDWD40G120C5 Módulo CoolSIC™ FF33MR12W1M1H (P)_B11 F4-33MR12W1M1H(P)_B11 FF33MR12W1M1HPB11BPSA1 |
| 650 V | 2ED2110S06M | 2.5/2.5A | DSO-16 300 mil | Infineon SOI, BSD integrado, cambio rápido de nivel, Apagado, VSS/COM separados | |||
| 650 V | 22ED2181S06F | 2.5/2.5 A | DSO-8 | SOI de Infineon, BSD integrado, HIN, LIN | |||
| 2300 V | 1 canal aislado | 1ED3125MU12F | 10/9 A | DSO-8 | EiceDRIVER™X3 Compact con pinza Miller | ||
| 1200 V | Lado alto y bajo | IR2213S | 2/2.5 A | DSO-16 300 mil | Apagado y fuente de alimentación independiente | ||
| 1200 V | Medio puente | IR2214SS | 2/3 A | QSOP-24 | DESAT, Desconexión suave, Encendido en dos fases, Notificación de fallos, Sincronización | ||
| CC-CC (<50 kw) |
2300 V | 1 canal aislado | IED3124MU12F | 13.5/14 A | DSO-8 | EiceDRIVER™ X3 Compact con salida independiente | MOSFET CoolMOS™ IPW60R018CFD7 IPW60R037CSFD MOSFET CoolSIC™ IMZ120R030M1H IMZ120R040M1H Diodo Schottky CoolSIC™ IDW40G120C5B IDWD40G120C5 Módulo CoolSIC™ FF8MR12W1M1H(P)_B11 FF17MR12W1M1H(P)_B11 FF11MR12W2M1H(P)_B11 F4-17MR12W1M1H(P)_B11 |
| 1200 V | 2 canales aislados | 2EDR8259H | 4/8 A | PG-DSO-16 | 2EDI EiceDRIVER™ con aislamiento reforzado | ||
| 2300 V | 1 canal aislado | 1ED3122MC12H | 10/9 A | PG-DSO-8-66 | EiceDRIVER™X3 Compact con pinza Miller | ||
| CC-CC (<150 kW) | 2300 V | 1ED3124MC12H | 13.5/14 A | DSO-8 300 mil | EiceDRIVER™ X3 Compact con salida independiente | MOSFET CoolMOS™ IPW60R018CFD7 MOSFET CoolSIC™ IMZ120R030M1H IMZ120R040M1H Diodo Schottky CoolSIC™ IDW40G120C5B IDWD40G120C5 Módulo CoolSIC™ FF4MR12W2M1H(P)-B11 F4-11MR12W2M1H(P)_B11 FF4MR12W2M1HB70BPSA1 F411MR12W2M1HB70BPSA1 |
|
| 1ED3321MC12N | 6/8.5 A | DSO-16 | EiceDRIVER™ 1ED-f3 mejorado con DESAT, Soft-off y pinza Miller | ||||
| 1ED3890MC12M | 7.5/11 A | DSO-16 paso fino | Digital X3 mejorado EiceDRIVER™ con configurabilidad I2C, DESAT, apagado suave y pinza Miller. | ||||
| PFC elevador de terminal única | 25 V | 1 canal no aislado | 1ED4417N01B | 2.6/2.6 A | SOT23-5 | Habilitación, tiempo de borrado de fallo programable UVLO | MOSFET P7 CoolMOS™ IPW60R037P7 IPW60R024P7 650 V TRENCHSTOP™5 H5IGBT IKW50N65EH5 650 V TRENCHSTOP™5 WR6 IKWH40N65WR6 IKWH50N65WR6 MOSFET 1200 V CoolSIC™ IMW120R030M1H IMW120R040M1H 1200 V TRENCHSTOP™ 7 H7 IKW50N120CH7 Diode CoolSiC™ IDWD30G120C5 IDWD40G120C5 |
| 1ED44175N01B | 2.6/2.6 A | SOT23-6 | OCP rápido y preciso (±5 %), notificación de fallos, activación, detección de corriente negativa | ||||
| 1ED44176N01F | 0.8/1.75 A | DSO-8 | OCP rápido y preciso (±5 %), notificación de fallos, activación, detección de corriente positiva, VSS/COM independientes | ||||
| IES44273L | 1.5/1.5 A | SOT23-5 | Pin OUT adicional | ||||
| 200 V | 1EDN8550B | 4/8 A | SOT23-6 | Entradas diferenciales reales con ± 80 V de resistencia estática al desplazamiento de tierra | |||
| Corrección de factor de potencia (PFC) entrelazado | 22 V | 2 canales no aislados | 2EDN8534F | 5/5 A | DSO-8 | Igualación de retardo de 2 ns, retardo de propagación de 19 ns | |
| 25 V | IRS4427S | 2.3/2.3 A | DSO-8 | Retardo de propagación igualado | |||
| PFC con polo Tótem | 650 V | Lado alto y bajo | 2ED2181S06F | 2.5/2.5 A | DSO-8 | SOI de Infineon, BSD integrado, HIN, LIN | MOSFET 600 V CoolMOS™ MOS CFD 7 IPP60R070CFD7 IPP60R280CFD7 IPT60R035CFD7 650 V CoolSIC™ discreto híbrido IKW40N65RH5 IKW50N65RH5 IKW75N65RH5 IKW50N65SS5 IKW75N65SS5 MÓDULO IGBT EasyPACK™ FS100R12W2T7 |
| 1200 V | 2 canales aislados | 2EDB8259F | 4/8 A | DSO-16 | EiceDRIVER™ 2EDI con aislamiento básico (3k V UL1577)1 | ||
| 2EDB8259Y | 5/9 A | DSO-14 | EiceDRIVER™ 2EDI con aislamiento básico (3k V UL1577)1 | ||||
| Rectificador de Viena y NPC2 | 22 V | 2 canales no aislados | 2EDN7534F | 5/5 A | DSO-8 | Igualación de retardo de 2 ns, retardo de propagación de 19 ns | MOSFET 650 V CoolMOS™ C7 IPP65R045C7 IPW65R019C7 IPL65R070C7 MOSFET 600 V CoolMOS™ P7 IPP60R060P7 IPW60R024P7 650 V TRENCHSTOP™5 H5 IKW75N65EH5 Diodo Schottky 1200 V CoolSIC™ IDW40G120C5B Módulos CoolSIC™ F3L11MR12W2M1H_B19 F3L11MR12W2M1HP_B19 F3L8MR12W2M1H_B11 F3L8MR12W2M1HP_B11 |
| 1200 V | 1 canal aislado | 1EDB6275F | 5/9 A | DSO-8 | EiceDRIVER™ 2EDI con aislamiento básico (3k V UL1577) | ||
| 2300 V | 1ED3142MU12F | 6/6.5 A | DSO-8 | EiceDRIVER™ X3 Compact con salida independiente | |||
| Puente completo trifásico | 2300 V | 1 canal aislado | 1ED3461MC12N | 7.5/5 A | DSO-16 | EiceDRIVER™ analógico X3 mejorado con DESAT ajustable, soft-off y pinza Miller | Módulo CoolSiC™ FS13MR12W2M1HPB11 |
| 1ED3321MC12N | 6/8.5 A | DSO-16 | EiceDRIVER™ 1ED-F3 mejorado con DESAT ajustable, desconexión suave y pinza Miller |
Millones de hogares confían en las herramientas eléctricas para sus tareas diarias. Los consumidores quieren herramientas robustas, fiables y portátiles con un precio bajo y una batería de larga duración. La innovadora cartera de productos de Infineon ofrece funciones de seguridad y satisface las necesidades de los consumidores para todas las aplicaciones de herramientas eléctricas, al tiempo que reduce los costos.
Controladores de compuerta recomendados para aplicaciones con voltaje bajo y alimentación por batería.
| Aplicaciones | Clase de voltaje del controlador de compuerta (V) | Configuración | Producto | Corriente fuente/disipadores típ. | Paquetes | Descripción | Interruptores y módulos de potencia adecuados |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
| Inversor de motor/BLDC | 60 V | Trifásico | 6EDL7141 | 1.5/1.5 AV | VQFN-48 7x7 mm | Fuentes de alimentación y amplificadores de detección de corriente totalmente programables e integrados. | MOSFET StrongIRFET™ IRF7480M IRF6726M MOSFET StrongIRFET™ 2 IPP016N08NF2S IPP026N10NF2S 30 V MOSFET OptiMOS™ 5 BSZ0500NSI BSC009NE2LS5 MOSFET 40 V OptiMOS™ 5 BSC019N04LS BSZ028N04LS 60 V OptiMOS™ 5 MOSFET BSC012N06NS IPT007N06N 80 V OptiMOS™ 5 MOSFET BSC021N08NS5 IPT010N08NM5 MOSFET 100 V OptiMOS™ 5 BSC027N10NS5 IPT015N10N5 MOSFET 150 V OptiMOS™ 5 BSC074N15NS5 |
| 160 V | Lado alto y bajo | 2ED2732S01G | 1/2 A | DFN10 3x3 mm | SOI de Infineon, BSD integrado, VSS/COM separados, almohadilla térmica | ||
| 160 V | Trifásico | 6ED2742S01Q | 1/2 A | QFN32 5x5mm | SOI de Infineon, BSD integrado, PMU, bombas de carga lenta y continua, OCP programable y amplificador de detección de corriente, RFE | ||
| 160 V | Medio puente | 2ED2748S01G | 4/8 A | DFN10 3x3 mm | SOI de Infineon, BSD integrado, VSS/COM separados, almohadilla térmica | ||
| 200 V | 1 canal no aislado | 1EDN7550B | 4/8 A | SOT23-6 | Entradas diferenciales reales, con ± 80 V de resistencia estática al desplazamiento a masa | ||
| 200 V | Trifásico | 6ED003L02-F2 | 0.165/0.375 A | TSSOP-28 | Infineon SOI, OCP, Habilitación, informe de fallos | ||
| 200 V | 6EDL04N02PR | 0.165/0.375 A | Infineon SOI, BSD integrado, OCP, Habilitación, informe de fallos | ||||
| 200 V | Lado alto y bajo | IRS2005S | 0.29/0.6A A | DSO-8 | VCC y VBS UVLO, retardo de propagación adaptado | ||
| 200 V | Medio puente | IRS2007S | 0.29/0.6A A | VCC y VBS UVLO, retardo de propagación adaptado | |||
| 200 V | Lado alto y bajo | IRS2011S | 1/1 A | Retardo de propagación de 60 ns, VCC y VBS UVLO | |||
| 600 V | Medio puente | 2EDL05N06PF | 0.36/0.7 AD | SOI de Infineon, BSD integrado | |||
| 600 V | 2EDL23N06PJ | 2.3/2.8 A | DSO-14 | Infineon SOI, BSD integrado, OCP, Habilitación, informe de fallos | |||
| 600 V | Trifásico | 6EDL04N06PT | 0.165/0.375 A | DSO-28 300 mil | Infineon SOI, BSD integrado, OCP, Habilitación, informe de fallos | ||
| 600 V | Lado alto y bajo | IRS21867S | 4/4 A | DSO-8 | Alta corriente para alta potencia y frecuencia de conmutación rápida con UVLO bajo (6 V/5.5 V) | ||
| Cargador de batería | 22 V | 1 canal no aislado | 1EDN8511B | 4/8 A | SOT23-6 | Salida independiente, retardo de propagación de 19 ns | MOSFET CoolMOS™ IPW60R070CFD7 IPAN60R125PFD7S MOSFET CoolMOS™ P7 IPA80R900P7 IPA60R180P7S MOSFET 650 V CoolSiC™ IMW65R048M1H IMZA65R072M1H Diodo CoolSiC™ IDH10G65C6 IDW20G65C5B OptiMOS™ 5 IPA083N10N5 IPA029N06N |
| 22 V | 2 canales no aislados | 2EDN8534F | 5/5 A | DSO-8 | Igualación de retardo de 2 ns, retardo de propagación de 19 ns | ||
| 25 V | 1 canal no aislado | 1ED44171N01B | 2.6/2.6 A | SOT23-5 | Habilitación, tiempo de eliminación de fallos programable, UVLO | ||
| 25 V | 1ED44175N01B | 2.6/2.6 A | SOT23-6 | OCP rápido y preciso (±5 %), notificación de fallos, activación, detección de corriente negativa | |||
| 25 V | IRS44273L | 1.5/1.5 A | SOT23-5 | Pin OUT adicional | |||
| 600 V | Lado alto y bajo | IRS2186S | 4/4 A | DSO-8 | Corriente elevada para alta potencia y frecuencia de conmutación rápida | ||
| 650 V | 2ED2106S06F | 0.29/0.7 A | SOI de Infineon, BSD integrado, HIN, LIN | ||||
| 650 V | 2ED2110S06M | 2.5/2.5 A | DSO-16 300 mil | Infineon SOI, BSD integrado, cambio rápido de nivel, apagado, VSS/COM separados | |||
| 650 V | 2ED2181S06F | 2.5/2.5 A | DSO-8 | SOI de Infineon, BSD integrado, HIN, LIN |
Controladores de compuerta recomendados para vehículos eléctricos ligeros (LEV)
| Aplicaciones | Clase de voltaje del controlador de compuerta (V) | Configuración | Producto | Corriente fuente/disipadores típ. | Paquetes | Descripción | Interruptores y módulos de potencia adecuados |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
| Inversor de motor <3 kW (batería <48 V) | 60 V | Trifásico | 6EDL7141 | 1.5/1.5 A | VQFN-48 7x7 mm | Amplificadores de detección de corriente y fuentes de alimentación totalmente programables e integradas, control de velocidad de respuesta y funciones de protección. | 60 V StrongIRET™ IRFS753060 IRF60SC241 MOSFET 60 V OptoMOS™ 5 IPTG007N06NM5 IPB01N06N IST011N06NM5 BSC012N06NS STrongIRFET™ 75 V IRFB7730 BSC036NE7NS3G |
| 160 V | Lado alto y bajo | 2ED2732S01G | 1/2 A | DFN10 3x3 mm | SOI, BSB integrado, UVLO, VSS/COM separados, almohadilla térmica | ||
| 160 V | Trifásico | 6ED2742S01Q | 1/2 A | QFN32, 5x5 mm | SOI, BSB integrado, PMU, 100 % CC con bomba de carga lenta, OCP programable con selección de ganancia, amplificador CS, RFE | ||
| 200 V | Trifásico | 6EDL04N02PR | 0.165/0.375 A | TSSOP-28 | Infineon SOI, BSB integrado, OCP, Habilitar informe de fallos | ||
| 200 V | Lado alto y bajo | IRS2005 | 0.29/0.6 A | DSO-8 | UVLO, MTON/OFF, máx. 50 ns, entrada 3.3 V-15 V | ||
| 200 V | Lado alto y bajo | IRS2011S | 1/1 A | DSO-8 | UVLO, MTON/OFF, máx. 20 ns, entrada 3.3 V-15 V | ||
| 600 V | Lado alto y bajo | 2EDL05N06PF | 0.36/0.7 A | DSO-8 | SOI, UVLO, MTON/OFF. Máx.=60 ns, entrada de 3.3-15 V, BSD | ||
| 600 V | Trifásico | 6EDL04N06PF | 0.165/0.375 A | DSO-28 300 mil | Infineon SOI, BSD integrado, OCP, Habilitación, informe de fallos | ||
| 600 V | Lado alto simple | IRS21271S | 0.2/0.42 A | DSO-8 | UVLO, OCP. Entrada de 3-15 V, notificación de fallos | ||
| Inversor de motor 3-10 kW (batería 48-96 V) | 160 V | Lado alto y bajo | 2ED2738S01G | 4.8 A | DFN10 3x3 mm | SOI, BSD integrado, UVLO, VSS/COM separados, almohadilla térmica | MOSFET 80 V OptiMOS™5 IPT010N08NM5 IPTG011N08NM5 IPB015N08N5 BSC019N08NS5 IST019N08NM5 MOSFET™ 100 V IR IRLS4030 IRF100B201 StrongIRFET™ 2 100 V IPP026N10NF2S IPA030N10NF2S MOSFET 100V OptiMOS™5 IPTG014N10NM5 IPTG018N10NM5 IPTC015N10NM5 IPB017N10N5 IST026N10NM5 BCS027N10NS5 MOSFET 100V OptiMOS™6 ISC022N10NM6 |
| 200 V | 10 canales no aislados | 1EDN8550B | 4/8 A | SOT23-6 | Entradas diferenciales verdaderas, con ± 80 V estáticos y ± 150 V dinámicos de desplazamiento de tierra, pines de salida SRC/SNK independientes. | ||
| 500 V | Lado alto y bajo | IRS2110S | 2/2 A | DSO-16 W | MTON/OFF, max-10NS, alimentación y tierra lógica separadas, pin SD, entrada 3-20V | ||
| 600 V | Lado alto y bajo | 2EDL23N06PJ | 2.3/2.8 A | DSO-14 | Entrada de 3.3 V-15 V, transitorio -100 V, PGND, SOI integrado BSB, OCP, UVLO, Habilitación, Informe de fallos | ||
| 600 V | Lado alto y bajo | IRS21867S | 4/4 A | DSO-8 | Entrada de 3 a 5 V, MTON/OFF, máx=35 ns, UVLO, neg. transitorio robusto | ||
| 650 V | Lado alto y bajo | 2ED2181S06F | 2.5/2.5 A | DSO-8 | SOI, BSD integrado, entrada de 3.3-15 V, MTON/OFF, máx=35 ns, transitorio -100 V | ||
| 650 V | Lado alto y bajo | 2ED21814S06J | 2.5/2.5 A | DSO-14 | SOI, BSD integrado; entrada 3.3 a 15 V, MTON/OFF, máx-35 ns, transitorios -100, lógica separada | ||
| Inversor de motor >10 kW (batería >96 V) | 1200 V | 1 canal aislado | 1EDB8275F | 5/9 A | DSO-8 | Aislamiento básico de 3 kV con tecnología CT. (ul1577), salida SRC/SNK independiente, UVLO (4 tipos), CMTI>300 V/ns | MOSFET 150 V IR MOSFET™ IRFB4115 MOSFET 150 V OptiMOS™ 5 IPB044N15N5 IPT039N15N5 200 V StrongIRFET™ IRF200S234 MOSFET 200 V OptiMOS™ 3 IPB107N20N3G IPTG111N20NM3FD |
| 2300 V | 1ED3142MU12F | 6/6.5 A | EiceDRIVER™ X3 Compact con salida independiente | ||||
| 1200 V | 2 canales aislados | 2EDB8259F | 5/9 A | DSO-16 | Aislamiento básico de 3 kV Tecnología CT (UL1577). Control de tiempo muerto (DTC) y STP, UVLO (4 tipos), CMTI.150V/ns | ||
| 1200 V | 2 canales aislados | 2EDB8259Y | 5/9 A | DSO-14 | Aislamiento básico de 3 kV Tecnología CT (UL1577). Control de tiempo muerto (DTC) y STP, UVLO (4 tipos), CMTI.150V/ns | ||
| 2300 V | 1 canal aislado | 1ED3121MC12H | 5.5/5.5 A | DSO-8 300 mIL | EiceDRIVER™ X3 Compact con salida independiente |
Las familias de CI de controladores de compuerta EiceDRIVER™ de Infineon proporcionan una alta eficiencia energética para ayudar a reducir el calentamiento global causado por las emisiones de dióxido de carbono. Con alta inmunidad al ruido y robustez, son fáciles de usar; con características tales como protección DESAT, pinza miller activa, control de velocidad de respuesta, y configurabilidad digital I2C, el controlador de compuerta EiceDRIVER™ ha sido ampliamente utilizado en los inversores y PFC para bombas de calor en varios niveles de potencia.
Categorías de bombas de calor por método - 3 sistemas principales
Diagrama de bloques típico de un sistema de bomba de calor
CI del controlador de compuerta para aplicaciones de impulsor de motor
CI del controlador de compuerta recomendado (Bomba de calor - Inversor)
| Clase de voltaje del controlador de compuerta (V) | Producto | Tecnología | Cantidad de canales | Encendido/apagado UVLO típico [V] | Corriente de accionamiento Io+/lo- típ. [A] | Retardo de propagación de encendido/apagado típico [ns] | Características | Paquete | Interruptores y módulos de potencia adecuados |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 600 V | 6EDL04I06PT | SOI | 6 | 11.7/9.8 | 0.165/0.375 | 490/530 | Diodo de arranque incorporado; protección contra sobrecorriente; habilitación; notificación de fallos; pin/clavija separado para la masa lógica. | DSO-28WB | RC-D2 600 V IKD10N60RC2 IKD15N60RC2 IGBT6 TRENCHSTOP™ 650 V IKA10N65ET6 IKA15N65ET6 TRENCHSTOP™ 600 V IKA10N60T IKA15N60T IGBT7 T7 650 V TRENCHSTOP™ IKW20N65ET7 IKW30N65ET7 IKW40N65ET7 |
| 600 V | 6EDL04N06P | 9.0/8.1 | 0.165/0.375 | 530/530 | |||||
| 1200 V | 6ED2230S12T | 11.4/10.4 | 0.35/0.65 | 600/600 | Diodo de arranque incorporado; protección contra sobrecorriente; protección contra disparo; activación; notificación de fallos; tiempo de eliminación de fallos programable; pin independiente para tierra lógica | DSO-24 | IGBT7 S7 1200 V TRENCHSTOP™ IKW40N120CS7 IKW25N120CS7 MOSFET 1200 V CoolSiC™ IMW120R030M1H IMW120R040M1H |
||
| 1200 V | 6ED2231S12T | 12.2/11.3 | 0.35/0.65 | 600/600 | |||||
| 650 V | 2ED2304S06F | SOI | 2 | 9.1/8.3 | 0.36/0.7 | 300/310 | Diodo de arranque incorporado; protección contra disparos | DSO-8 | RC-D2 600 V IKD10N60RC2 IKD15N60RC2 IGBT6 650 V TRENCHSTOP™ IKA10N65ET6 IKA05N65ET6 TRENCHSTOP™ 600 V IKA10N60T IKA15N60T IGBT T7 650 V TRENCHSTOP™ IKW20N65ET7 IKW30N65ET7 IKW40N65ET7 |
| 2ED2104S06F | 8.9/8.0 | 0.29/0.70 | 90/90 | Diodo de arranque incorporado; protección contra disparos; entrada de parada | |||||
| 2ED2184S06F | 9.1/8.2 | 2.5/2.5 | 200/200 | ||||||
| 600 V | 2EDL23N06PJ | 9.1/8.3 | 2.3/2.8 | 300/310 | Diodo de arranque incorporado; protección contra sobrecorriente; protección de paso de corriente; activación, notificación de fallos; pin independiente para tierra lógica. | DSO-14 | |||
| 2EDL23I06PJ | 12.5/11.6 | 2.3/2.8 | 400/420 | ||||||
| 1200 V | 2ED1324S12P | 12.2/11.3 | 2.3/2.3 | 500/500 | Diodo de arranque incorporado; pinza Miller activa; pinza de cortocircuito; protección contra sobrecorriente; protección contra sobreintensidad; activación; tiempo de eliminación de fallos programable; pin independiente para tierra lógica. | DSO-20DW | IGBT S7 1200 V TRENCHSTOP IKW40N120CS7 IKW25N120CS7 MOSFE 1200 V CoolSiC™ IMW120R030M1H IMW120R040M1H |
||
| 2ED1322S12M | 12.2/11.3 | 2.3/4.6 | 350/350 | Diodo de arranque incorporado; protección contra sobrecorriente; protección contra disparo; activación; notificación de fallos; tiempo de eliminación de fallos programable; pin independiente para tierra lógica | DSO-16 | ||||
| 1200 V | 1EDI20N12AF | Transformador sin núcleo | 1 | 9.1/8.5 | 4.0/3.5 | 120/115 | Salida de disipador/fuente independiente; pin independiente para tierra lógica | DSO-8 150 mil | IGBT7 H7 1200 V TRENCHSTOP™ IKW40N120CH7 |
| 1EDI60I12AF | 12.0/11.1 | 10.0/9.4 | 300/300 | ||||||
| 1EDI20I12MF | 12.011.1 | 4.4/4.1 | 300/300 | Pinza Miller activa; salida disipador/fuente separada; pin separado para tierra lógica. | |||||
| 2EDO2OI12-FI | 2 | 12.0/11.0 | 1.5/2.5 | 85/85 | Amplificador operacional y comparador para OCP | DSO-18 | |||
| 2300 V | 1ED312OMU12H | 1 | 10.0/8.0 | 5.5/5.5 | 90/90 | Certificado UL1577; salida de disipador/fuente independiente; pin independiente para tierra lógica | DSO-8 300 mil | ||
| 1ED3240MC12H | 11.8/10.8 | 10.0/10.0 | 110/110 | Control de velocidad de respuesta de dos niveles; certificación VDE0844-11 (reforzada); UL1577; salida de disipador/fuente independiente; pin independiente para tierra lógica | |||||
| 1ED3122MC12H | 10.0/8.0 | 10.0/9.0 | 90/90 | CERTIFICADO UL1577; pinza Miller activa; pin separado para tierra lógica | |||||
| 1ED3140MU12F | 9.3/8.55 | 6.5/5.5 | 45/45 | CERTIFICADO UL1577; salida de disipador/fuente independiente; pin independiente para tierra lógica | DSO-8 150 mil | ||||
| 1ED3142MU12F | 13.6/12.55 | 6.5/5.5 | 45/45 | CERTIFICADO UL1577; salida de disipador/fuente independiente; pin independiente para tierra lógica | |||||
| 1ED3321MC12N | 13.6/12.55 | 6/8.5 | 85/85 | Certificado UL1577 y VDE-11; pinza Miller activa; DESAT y desconexión suave | DSO-16 300 mil |
CI de controladores de compuerta recomendados (Bomba de calor - PFC)
| Clase de voltaje del controlador de compuerta (V) | Producto | Tipo PFC | Tecnología | Cantidad de canales | Encendido/apagado UVLO típico [V] | Corriente de accionamiento Io+/lo- típ. [A] | Retardo de propagación de encendido/apagado típico [ns] | Características | Paquete | Interruptores y módulos de potencia adecuados |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 25 V | IRS4427S | PFC elevador | Lado bajo dual | 2 | - | 2.3/3.3 | 65/85 | DSO-8 | 650 V TRENCHSTOP™ 5 WR6 IKWH30N65WR6 IKW40N65WR6 650 V TRENCHSTOP™ 5 H5 IKW40N65RH5 IKWH40N65WR6XKSA1 Diodo RAPID 1 IDW30C65D1 IGBT7 H7 1200 V TRENCHSTOP™ IKW40N120CH7 IKW40N120CH7XKSA1 Módulo EasyPIM™ (IGBT) FB50R07W2E3_B23 FB50R07W2E3_C36 |
|
| 24 V | 2ED24427N01F | 11.5/10.0 | 10.0/10.0 | 40/55 | DSO-8 con almohadilla de alimentación | |||||
| 25 V | 1ED44171N01B | Lado bajo único | 1 | 11.9/11.4 | 2.6/2.6 | 50/50 | SOT-23-5 | |||
| 1ED44176N01F | 11.9/11.4 | 0.8/1.75 | 50/50 | DSO-8 | ||||||
| 1ED44173N01B | 8.0/7.3 | 2.6/2.6 | 34/34 | SOT-23-6 | ||||||
| 1ED44175N01B | 11.9/11.0 | 2.6/2.6 | 50/50 | |||||||
| 650 V | 2ED2304S06F | PFC con polo Totem | SOI | 2 | 9.1/8.3 | 0.36/0.7 | 300/310 | Diodo de arranque incorporado; protección antidisparo | DSO-8 | 650 V TRENCHSTOP™ 5 IKWH30N65WR6 IKW40N65WR6 650 V TRENCHSTOP™ 5 H5 IKW40N65RH5 |
| 2ED2104S06F | 8.9/8.0 | 0.29/0.7 | 90/90 | Diodo de arranque incorporado; protección antidisparo; entrada de apagado | ||||||
| 2ED2184S06F | 9.1/8.2 | 2.5/2.5 | 200/200 | Diodo de arranque incorporado; protección antidisparo; entrada de apagado | ||||||
| 600 V | 2EDL23N06PJ | 9.1/8.3 | 2.3/2.8 | 300/310 | Diodo de arranque incorporado; sobreintensidad; protección contra sobreintensidad; habilitación; notificación de fallos; pin separado para tierra lógica. | DSO-14 | ||||
| 2EDL23I06PJ | 12.2/11.3 | 2.3/2.3 | 400/420 | |||||||
| 1200 V | 2ED1324S12P | 12.2/11.3 | 2.3/2.3 | 500/500 | Diodo de arranque incorporado; pinza Miller activa; protección contra sobreintensidad; protección contra sobreintensidad; activación; informe de fallos; tiempo de eliminación de fallos programable; pin independiente para tierra lógica. | DSO-20DW | 1200V TRENCHSTOP™ IGBT H7 IKW40N120CH7XKSA1 |
|||
| 2ED1322S12M | 12.2/11.3 | 2.3/4.6 | 350/350 | Diodo de arranque incorporado; protección contra sobreintensidad; protección de paso de corriente; activación; tiempo de borrado de fallos programable; pin independiente para tierra lógica. | DSO-16 | |||||
| 1200 V | 1EDI20N12AF | Transformador sin núcleo | 1 | 9.1/8.5 | 4.0/3.5 | 12/115 | Salida de disipador/fuente independiente; pin independiente para tierra lógica | DSO-8 150 mil | IGBT H7 1200V TRENCHSTOP™ IKW40N120CH7XKSA1 Módulo EasyPIM™ (IGBT) FP25R12W1T7_B11 FP35R12W2T7_B11 FP50R12W2T7_B11 FP35R12N2T7_B11 FP50R12N2T7_B11 FS55MR12W1M1HB11NPSA1 FS33MR12W1M1HPB11BPSA1 FS33MR12W1M1HPB11BPSA1 | |
| 1EDI60I12AF | 12.0/11.1 | 1.0/9.4 | 300/300 | |||||||
| 1EDI20I12MF | 12.0/11.1 | 4.4/4.1 | Pinza Miller activa; salida disipadora/fuente independiente; pin independiente para tierra lógica | |||||||
| 2ED020I12-FI | 2 | 12.0/11.0 | 1.5/2.5 | 85/85 | Amplificador operacional y comparador para OCP | DSO-8 150 mil | ||||
| 2300 V | 1ED3120MU12H | 1 | 10.0/8.0 | 5.5/5.5 | 90/90 | Certificado UL1577; salida de disipador/fuente independiente; pin independiente para tierra lógica | DSO-18 | |||
| 1ED3122MU12H | 10.0/8.0 | 10.0/9.0 | Certificado UL1577; pinza Miller activa; pin separado para tierra lógica | DSO-8 300 mil | ||||||
| 1ED3140MU12F | 9.3/8.55 | 6.5/5.5 | 45/45 | Certificado UL1577; salida de disipador/fuente independiente; pin independiente para tierra lógica | ||||||
| 1ED3142MU12F | 13.6/12.55 | Certificado UL1577; salida de disipador/fuente independiente; pin independiente para tierra lógica | DSO-8 150 mil | |||||||
| 1ED3321MC12N | 13.6/12.55 | 6/8.5 | 85/85 | Certificado UL1577 Y VDE-11; pinza Miller activa; DESAT y Soft-off | DSO-16 300 mil |
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