IRF60SC241ARMA1 Infineon Technologies | Productos de semiconductores discretos

IRF60SC241ARMA1
N.º de producto de DigiKey	448-IRF60SC241ARMA1TR-ND - Cinta y rollo (TR) 448-IRF60SC241ARMA1CT-ND - Cinta cortada (CT) 448-IRF60SC241ARMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	Infineon Technologies
Número de pieza del fabricante	IRF60SC241ARMA1
Descripción	MOSFET N-CH 60V 360A TO263-7
Referencia del cliente
Descripción detallada	Canal N Montaje en superficie 60 V 360A (Tc) 2.4W (Ta), 417W (Tc) PG-TO263-7
Hoja de datos	Hoja de datos
Modelos EDA/CAD	IRF60SC241ARMA1 Modelos

Tipo	Descripción	Seleccionar todo
Categoría	Productos de semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET FET simple, MOSFET
Fabricante	Infineon Technologies
Serie	StrongIRFET™
Embalaje	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®
Estado de pieza	Obsoleto
Tipo FET	Canal N
Tecnología	MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	60 V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC	360A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)	6V, 10V
Rds On (máx) @ Id, Vgs	1.3mOhm a 100A, 10V
Vgs(th) (máx) a Id	3.7V a 250µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs	388 nC @ 10 V
Vgs (máx.)	±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds	16000 pF @ 30 V
Característica de FET	-
Disipación de potencia (Máx.)	2.4W (Ta), 417W (Tc)
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 175°C (TJ)
Grado	-
Calificación	-
Tipo de montaje	Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor	PG-TO263-7
Paquete / Caja (carcasa)	TO-263-7, D2PAK (6 conductores + pestaña)
Número de producto base	IRF60SC241