Name: IPF012N06NF2SATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IPF012N06NF2SATMA1TR-ND
Price: 4.2 USD
Availability: InStock

Imagen solo a efectos ilustrativos. Para obtener especificaciones exactas, visite la hoja de datos del producto.

IPF012N06NF2SATMA1
N.º de producto de DigiKey	448-IPF012N06NF2SATMA1TR-ND - Cinta y rollo (TR) 448-IPF012N06NF2SATMA1CT-ND - Cinta cortada (CT) 448-IPF012N06NF2SATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	Infineon Technologies
Número de pieza del fabricante	IPF012N06NF2SATMA1
Descripción	TRENCH 40<-<100V
Plazo estándar del fabricante	18 semanas
Referencia del cliente
Descripción detallada	Canal N Montaje en superficie 60 V 41A (Ta), 282A (Tc) 3.8W (Ta), 250W (Tc) PG-TO263-7-U02
Hoja de datos	Hoja de datos

Atributos del producto

Tipo	Descripción	Seleccionar todo
Categoría	Productos de semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET FET simple, MOSFET
Fabricante	Infineon Technologies
Serie	StrongIRFET™2
Embalaje	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®
Estado de pieza	Activo
Tipo FET	Canal N
Tecnología	MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	60 V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC	41A (Ta), 282A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)	6V, 10V
Rds On (máx) @ Id, Vgs	1.2mOhm a 100A, 10V
Vgs(th) (máx) a Id	3.3V a 186µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs	233 nC @ 10 V
Vgs (máx.)	±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds	10500 pF @ 30 V
Característica de FET	-
Disipación de potencia (Máx.)	3.8W (Ta), 250W (Tc)
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 175°C (TJ)
Grado	-
Calificación	-
Tipo de montaje	Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor	PG-TO263-7-U02
Paquete / Caja (carcasa)	TO-263-7, D2PAK (6 conductores + pestaña)
Número de producto base	IPF012