Arreglos FET, MOSFET

Demostración

de 5,980

Número de parte del fabricante	Cantidad disponible	Precio	Serie	Paquete	Estado del producto	Tecnología	Configuración	Característica de FET	Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC	Rds On (máx) @ Id, Vgs	Vgs(th) (máx) a Id	Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs	Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds	Potencia - Máx.	Temperatura de funcionamiento	Grado	Calificación	Tipo de montaje	Paquete / Caja (carcasa)	Paquete del dispositivo del proveedor
SSM6N7002KFU,LF MOSFET 2N-CH 60V 0.3A US6 Toshiba Semiconductor and Storage	12,978 En stock	1 : $0.21000 Cinta cortada (CT) 3,000 : $0.03984 Cinta y rollo (TR)	-	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	MOSFET (óxido de metal)	Dos canal N (doble)	-	60V	300mA	1.5Ohm a 100mA, 10V	2.1V a 250µA	0.6nC a 4.5V	40pF a 10V	285mW	150°C (TJ)	-	-	Montaje en superficie	6-TSSOP, SC-88, SOT-363	US6
NTJD5121NT1G MOSFET 2N-CH 60V 0.295A SC88 onsemi	49,376 En stock	1 : $0.28000 Cinta cortada (CT) 3,000 : $0.05784 Cinta y rollo (TR)	-	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	MOSFET (óxido de metal)	Dos canal N (doble)	Compuerta de nivel lógico	60V	295mA	1.6Ohm a 500mA, 10V	2.5V a 250µA	0.9nC a 4.5V	26pF a 20V	250mW	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montaje en superficie	6-TSSOP, SC-88, SOT-363	SC-88/SC70-6/SOT-363
2N7002DWH6327XTSA1 MOSFET 2N-CH 60V 0.3A SOT363 Infineon Technologies	120,471 En stock	1 : $0.31000 Cinta cortada (CT) 3,000 : $0.06520 Cinta y rollo (TR)	OptiMOS™	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	MOSFET (óxido de metal)	Dos canal N (doble)	Compuerta de nivel lógico	60V	300mA	3Ohm a 500mA, 10V	2.5V a 250µA	0.6nC a 10V	20pF a 25V	500mW	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montaje en superficie	6-VSSOP, SC-88, SOT-363	PG-SOT363-PO
2N7002DW-7-F MOSFET 2N-CH 60V 0.23A SOT363 Diodes Incorporated	91,676 En stock	1 : $0.31000 Cinta cortada (CT) 3,000 : $0.05887 Cinta y rollo (TR)	-	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	MOSFET (óxido de metal)	Dos canal N (doble)	-	60V	230mA	7.5Ohm a 50mA, 5V	2V a 250µA	-	50pF a 25V	310mW	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montaje en superficie	6-TSSOP, SC-88, SOT-363	SOT-363
SSM6L56FE,LM MOSFET N/P-CH 20V 0.8A ES6 Toshiba Semiconductor and Storage	72,222 En stock	1 : $0.32000 Cinta cortada (CT) 4,000 : $0.04692 Cinta y rollo (TR)	-	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	MOSFET (óxido de metal)	Canal N y P	Compuerta de nivel lógico, controlador de 1.5V	20V	800mA (Ta)	235mOhm a 800mA, 4.5V, 390mOhm a 800mA, 4.5V	1V a 1mA	1nC a 10V	55pF a 10V, 100pF a 10V	150mW (Ta)	150°C	-	-	Montaje en superficie	SOT-563, SOT-666	ES6
SSM6N37FU,LF MOSFET 2N-CH 20V 0.25A US6 Toshiba Semiconductor and Storage	26,289 En stock	1 : $0.33000 Cinta cortada (CT) 3,000 : $0.06749 Cinta y rollo (TR)	-	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	MOSFET (óxido de metal)	Dos canal N (doble)	Compuerta de nivel lógico, controlador de 1.5V	20V	250mA (Ta)	2.2Ohm a 100mA, 4.5V	1V a 1mA	-	12pF a 10V	300mW	150°C	-	-	Montaje en superficie	6-TSSOP, SC-88, SOT-363	US6
BSS138BKS,115 MOSFET 2N-CH 60V 0.32A 6TSSOP Nexperia USA Inc.	329,613 En stock	1 : $0.36000 Cinta cortada (CT) 3,000 : $0.07060 Cinta y rollo (TR)	TrenchMOS™	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	MOSFET (óxido de metal)	Dos canal N (doble)	Compuerta de nivel lógico	60V	320mA	1.6Ohm a 320mA, 10V	1.6V a 250µA	0.7nC a 4.5V	56pF a 10V	445mW	-55°C ~ 150°C (TJ)	Uso automotriz	AEC-Q101	Montaje en superficie	6-TSSOP, SC-88, SOT-363	6-TSSOP
SSM6L36FE,LM MOSFET N/P-CH 20V 0.5A ES6 Toshiba Semiconductor and Storage	4,999 En stock	1 : $0.37000 Cinta cortada (CT) 4,000 : $0.06599 Cinta y rollo (TR)	-	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	MOSFET (óxido de metal)	Canal N y P	Compuerta de nivel lógico	20V	500mA, 330mA	630mOhm a 200mA, 5V	1V a 1mA	1.23nC a 4V	46pF a 10V	150mW	150°C (TJ)	-	-	Montaje en superficie	SOT-563, SOT-666	ES6
2N7002DW MOSFET 2N-CH 60V 0.115A SC88 onsemi	56,677 En stock	1 : $0.38000 Cinta cortada (CT) 3,000 : $0.08670 Cinta y rollo (TR)	-	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	MOSFET (óxido de metal)	Dos canal N (doble)	Compuerta de nivel lógico	60V	115mA	7.5Ohm a 50mA, 5V	2V a 250µA	-	50pF a 25V	200mW	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montaje en superficie	6-TSSOP, SC-88, SOT-363	SC-88 (SC-70-6)
BSD840NH6327XTSA1 MOSFET 2N-CH 20V 0.88A SOT363 Infineon Technologies	43,643 En stock	1 : $0.38000 Cinta cortada (CT) 3,000 : $0.08073 Cinta y rollo (TR)	OptiMOS™	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	MOSFET (óxido de metal)	Dos canal N (doble)	Compuerta de nivel lógico	20V	880mA	400mOhm a 880mA, 2.5V	750mV a 1.6µA	0.26nC a 2.5V	78pF a 10V	500mW	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montaje en superficie	6-VSSOP, SC-88, SOT-363	PG-SOT363-PO
UM6K33NTN MOSFET 2N-CH 50V 0.2A UMT6 Rohm Semiconductor	675,706 En stock	1 : $0.40000 Cinta cortada (CT) 3,000 : $0.07362 Cinta y rollo (TR)	-	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	MOSFET (óxido de metal)	Dos canal N (doble)	Compuerta de nivel lógico, controlador de 1.2V	50V	200mA	2.2Ohm a 200mA, 4.5V	1V a 1mA	-	25pF a 10V	120mW	150°C (TJ)	-	-	Montaje en superficie	6-TSSOP, SC-88, SOT-363	UMT6
DMG6602SVT-7 MOSFET N/P-CH 30V 3.4A TSOT26 Diodes Incorporated	44,059 En stock	1 : $0.41000 Cinta cortada (CT) 3,000 : $0.07257 Cinta y rollo (TR)	-	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	No para diseños nuevos	MOSFET (óxido de metal)	Canal N y P	Compuerta de nivel lógico, controlador de 4.5V	30V	3.4 A, 2.8 A	60mOhm a 3.1A, 10V	2.3V a 250µA	13nC a 10V	400pF a 15V	840mW	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montaje en superficie	SOT-23-6 delgado, TSOT-23-6	TSOT-26
SI1034CX-T1-GE3 MOSFET 2N-CH 20V 0.61A SC89 Vishay Siliconix	33,805 En stock	1 : $0.42000 Cinta cortada (CT) 3,000 : $0.09588 Cinta y rollo (TR)	TrenchFET®	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	MOSFET (óxido de metal)	Dos canal N (doble)	Compuerta de nivel lógico	20V	610mA (Ta)	396mOhm a 500mA, 4.5V	1V a 250µA	2nC a 8V	43pF a 10V	220mW	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montaje en superficie	SOT-563, SOT-666	SC-89 (SOT-563F)
DMG6601LVT-7 MOSFET N/P-CH 30V 3.8A TSOT26 Diodes Incorporated	26,682 En stock	1 : $0.42000 Cinta cortada (CT) 3,000 : $0.07151 Cinta y rollo (TR)	-	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	MOSFET (óxido de metal)	Canal N y P	Compuerta de nivel lógico	30V	3.8 A, 2.5 A	55mOhm a 3.4A, 10V	1.5V a 250µA	12.3nC a 10V	422pF a 15V	850mW	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montaje en superficie	SOT-23-6 delgado, TSOT-23-6	TSOT-26
SIL2308-TP MOSFET N/P-CH 20V 5A/4A SOT23-6L MCC (Micro Commercial Components)	63,422 En stock	1 : $0.45000 Cinta cortada (CT) 3,000 : $0.08190 Cinta y rollo (TR)	-	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	MOSFET (óxido de metal)	Canal N y P	-	20V	5A, 4A	38mOhm a 4.5A, 4.5V, 90mOhm a 500mA, 4.5V	1V a 250µA	11nC a 4.5V, 12nC a 2.5V	800pF, 405pF a 8V, 10V	-	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montaje en superficie	SOT-23-6	SOT-23-6L
NTJD4401NT1G MOSFET 2N-CH 20V 0.63A SC88 onsemi	0 En stock 855,000 Mercado Consultar el plazo de entrega	1 : $0.46000 Cinta cortada (CT) 3,000 : $0.10078 Cinta y rollo (TR) 10,000 : $0.10000 Cinta y rollo (TR)	-	Cinta y rollo (TR) Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	MOSFET (óxido de metal)	Dos canal N (doble)	Compuerta de nivel lógico	20V	630mA	375mOhm a 630mA, 4.5V	1.5V a 250µA	3nC a 4.5V	46pF a 20V	270mW	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montaje en superficie	6-TSSOP, SC-88, SOT-363	SC-88/SC70-6/SOT-363
NTZD3154NT1G MOSFET 2N-CH 20V 0.54A SOT563 onsemi	374,583 En stock	1 : $0.46000 Cinta cortada (CT) 4,000 : $0.07963 Cinta y rollo (TR)	-	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	MOSFET (óxido de metal)	Dos canal N (doble)	-	20V	540mA	550mOhm a 540mA, 4.5V	1V a 250µA	2.5nC a 4.5V	150pF a 16V	250mW	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montaje en superficie	SOT-563, SOT-666	SOT-563
MCM3400A-TP MOSFET 2N-CH 30V 5A 6DFN MCC (Micro Commercial Components)	6,184 En stock	1 : $0.47000 Cinta cortada (CT) 3,000 : $0.09996 Cinta y rollo (TR)	-	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	MOSFET (óxido de metal)	Dos canal N (doble)	-	30V	5A	32mOhm a 5.8A, 10V	1.5V a 250µA	-	1155pF a 15V	1.4W	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montaje en superficie	Placa descubierta 6-VDFN	DFN2020-6L
SSM6L09FUTE85LF MOSFET N/P-CH 30V 0.4A US6 Toshiba Semiconductor and Storage	53,989 En stock	1 : $0.48000 Cinta cortada (CT) 3,000 : $0.08624 Cinta y rollo (TR)	-	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	No para diseños nuevos	MOSFET (óxido de metal)	Canal N y P	Compuerta de nivel lógico	30V	400mA, 200mA	700mOhm a 200 MA, 10V	1.8V a 100µA	-	20pF a 5V	300mW	150°C (TJ)	-	-	Montaje en superficie	6-TSSOP, SC-88, SOT-363	US6
NTJD4001NT1G MOSFET 2N-CH 30V 0.25A SC88 onsemi	27,282 En stock	1 : $0.48000 Cinta cortada (CT) 3,000 : $0.09673 Cinta y rollo (TR)	-	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	MOSFET (óxido de metal)	Dos canal N (doble)	-	30V	250mA	1.5Ohm a 10mA, 4V	1.5V a 100µA	1.3nC a 5V	33pF a 5V	272mW	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montaje en superficie	6-TSSOP, SC-88, SOT-363	SC-88/SC70-6/SOT-363
BSS138DWQ-7 MOSFET 2N-CH 50V 0.2A SOT363 Diodes Incorporated	25,162 En stock 1,359,000 Fábrica	1 : $0.48000 Cinta cortada (CT) 3,000 : $0.10195 Cinta y rollo (TR)	-	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	MOSFET (óxido de metal)	Dos canal N (doble)	-	50V	200mA	3.5Ohm a 220mA, 10V	1.5V a 250µA	-	50pF a 10V	200mW	-55°C ~ 150°C (TJ)	Uso automotriz	AEC-Q101	Montaje en superficie	6-TSSOP, SC-88, SOT-363	SOT-363
NTZD3155CT1G MOSFET N/P-CH 20V 0.54A SOT563 onsemi	0 En stock 308,000 Mercado Consultar el plazo de entrega	1 : $0.53000 Cinta cortada (CT) 4,000 : $0.11478 Cinta y rollo (TR) 5,000 : $0.10000 Cinta y rollo (TR)	-	Cinta y rollo (TR) Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	MOSFET (óxido de metal)	Canal N y P	Compuerta de nivel lógico	20V	540mA, 430mA	550mOhm a 540mA, 4.5V	1V a 250µA	2.5nC a 4.5V	150pF a 16V	250mW	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montaje en superficie	SOT-563, SOT-666	SOT-563
DMG1029SV-7 MOSFET N/P-CH 60V 0.5A SOT563 Diodes Incorporated	384,783 En stock 1,479,000 Fábrica	1 : $0.54000 Cinta cortada (CT) 3,000 : $0.10653 Cinta y rollo (TR)	-	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	MOSFET (óxido de metal)	Canal N y P	Compuerta de nivel lógico	60V	500mA, 360mA	1.7Ohm a 500mA, 10V	2.5V a 250µA	0.3nC a 4.5V	30pF a 25V, 25pF a 25V	450mW	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montaje en superficie	SOT-563, SOT-666	SOT-563
SI1539CDL-T1-GE3 MOSFET N/P-CH 30V 0.7A SC70-6 Vishay Siliconix	35,943 En stock	1 : $0.55000 Cinta cortada (CT) 3,000 : $0.10303 Cinta y rollo (TR)	TrenchFET®	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	MOSFET (óxido de metal)	Canal N y P	Compuerta de nivel lógico	30V	700mA, 500mA	388mOhm a 600mA, 10V	2.5V a 250µA	1.5nC a 10V	28pF a 15V	340mW	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montaje en superficie	6-TSSOP, SC-88, SOT-363	SC-70-6
SI3932DV-T1-GE3 MOSFET 2N-CH 30V 3.7A 6TSOP Vishay Siliconix	29,776 En stock	1 : $0.55000 Cinta cortada (CT) 3,000 : $0.20400 Cinta y rollo (TR)	TrenchFET®	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	MOSFET (óxido de metal)	Dos canal N (doble)	Compuerta de nivel lógico	30V	3.7A	58mOhm a 3.4A, 10V	2.2V a 250µA	6nC a 10V	235pF a 15V	1.4W	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montaje en superficie	SOT-23-6 delgado, TSOT-23-6	6-TSOP

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de 5,980

Los FET (transistor de efecto campo) son dispositivos electrónicos que usan un campo eléctrico para controlar el flujo de corriente. La aplicación de un voltaje al terminal de la compuerta altera la conductividad entre los terminales de la fuente y del drenaje. Los FET también se conocen como transistores unipolares, ya que implican un funcionamiento de un solo tipo de portador. Es decir, el funcionamiento de los FET incluye electrones u orificios como portadores de carga, pero no ambos. Los FET generalmente muestran una impedancia de entrada muy alta a bajas frecuencias.

Arreglos FET, MOSFET

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