Arreglos FET, MOSFET

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Número de parte del fabricante	Cantidad disponible	Precio	Serie	Paquete	Estado del producto	Tecnología	Configuración	Característica de FET	Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC	Rds On (máx) @ Id, Vgs	Vgs(th) (máx) a Id	Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs	Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds	Potencia - Máx.	Temperatura de funcionamiento	Grado	Calificación	Tipo de montaje	Paquete / Caja (carcasa)	Paquete del dispositivo del proveedor
SSM6N7002KFU,LF MOSFET 2N-CH 60V 0.3A US6 Toshiba Semiconductor and Storage	237,262 En stock	1 : $0.20000 Cinta cortada (CT) 3,000 : $0.04100 Cinta y rollo (TR)	-	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	MOSFET (óxido de metal)	Dos canal N (doble)	-	60V	300mA	1.5Ohm a 100mA, 10V	2.1V a 250µA	0.6nC a 4.5V	40pF a 10V	285mW	150°C (TJ)	-	-	Montaje en superficie	6-TSSOP, SC-88, SOT-363	US6
2N7002DW-7-F MOSFET 2N-CH 60V 0.23A SOT363 Diodes Incorporated	163,672 En stock	1 : $0.30000 Cinta cortada (CT) 3,000 : $0.06354 Cinta y rollo (TR)	-	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	MOSFET (óxido de metal)	Dos canal N (doble)	-	60V	230mA	7.5Ohm a 50mA, 5V	2V a 250µA	-	50pF a 25V	310mW	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montaje en superficie	6-TSSOP, SC-88, SOT-363	SOT-363
SSM6L56FE,LM MOSFET N/P-CH 20V 0.8A ES6 Toshiba Semiconductor and Storage	58,542 En stock	1 : $0.31000 Cinta cortada (CT) 4,000 : $0.06307 Cinta y rollo (TR)	-	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	MOSFET (óxido de metal)	Canal N y P	Compuerta de nivel lógico, controlador de 1.5V	20V	800mA (Ta)	235mOhm a 800mA, 4.5V, 390mOhm a 800mA, 4.5V	1V a 1mA	1nC a 10V	55pF a 10V, 100pF a 10V	150mW (Ta)	150°C	-	-	Montaje en superficie	SOT-563, SOT-666	ES6
2N7002DWH6327XTSA1 MOSFET 2N-CH 60V 0.3A SOT363 Infineon Technologies	48,619 En stock	1 : $0.31000 Cinta cortada (CT) 3,000 : $0.06369 Cinta y rollo (TR)	OptiMOS™	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	MOSFET (óxido de metal)	Dos canal N (doble)	Compuerta de nivel lógico	60V	300mA	3Ohm a 500mA, 10V	2.5V a 250µA	0.6nC a 10V	20pF a 25V	500mW	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montaje en superficie	6-VSSOP, SC-88, SOT-363	PG-SOT363-PO
SSM6N37FU,LF MOSFET 2N-CH 20V 0.25A US6 Toshiba Semiconductor and Storage	147,393 En stock	1 : $0.32000 Cinta cortada (CT) 3,000 : $0.06749 Cinta y rollo (TR)	-	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	MOSFET (óxido de metal)	Dos canal N (doble)	Compuerta de nivel lógico, controlador de 1.5V	20V	250mA (Ta)	2.2Ohm a 100mA, 4.5V	1V a 1mA	-	12pF a 10V	300mW	150°C	-	-	Montaje en superficie	6-TSSOP, SC-88, SOT-363	US6
2N7002BKS,115 MOSFET 2N-CH 60V 0.3A 6TSSOP Nexperia USA Inc.	210,623 En stock	1 : $0.36000 Cinta cortada (CT) 3,000 : $0.07766 Cinta y rollo (TR)	TrenchMOS™	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	MOSFET (óxido de metal)	Dos canal N (doble)	Compuerta de nivel lógico	60V	300mA (Ta)	1.6Ohm a 500mA, 10V	2.1V a 250µA	0.6nC a 4.5V	50pF a 10V	295mW	150°C (TJ)	Uso automotriz	AEC-Q101	Montaje en superficie	6-TSSOP, SC-88, SOT-363	6-TSSOP
DMG1016UDW-7 MOSFET N/P-CH 20V SOT363 Diodes Incorporated	25,966 En stock	1 : $0.37000 Cinta cortada (CT) 3,000 : $0.07983 Cinta y rollo (TR)	-	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	MOSFET (óxido de metal)	Canal N y P	Compuerta de nivel lógico	20V	1.07A, 845mA	450mOhm a 600mA, 4.5V	1V a 250µA	0.74nC a 4.5V	60.67pF a 10V	330mW	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montaje en superficie	6-TSSOP, SC-88, SOT-363	SOT-363
BSD840NH6327XTSA1 MOSFET 2N-CH 20V 0.88A SOT363 Infineon Technologies	28,576 En stock	1 : $0.38000 Cinta cortada (CT) 3,000 : $0.08073 Cinta y rollo (TR)	OptiMOS™	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	MOSFET (óxido de metal)	Dos canal N (doble)	Compuerta de nivel lógico	20V	880mA	400mOhm a 880mA, 2.5V	750mV a 1.6µA	0.26nC a 2.5V	78pF a 10V	500mW	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montaje en superficie	6-VSSOP, SC-88, SOT-363	PG-SOT363-PO
UM6K33NTN MOSFET 2N-CH 50V 0.2A UMT6 Rohm Semiconductor	732,068 En stock	1 : $0.40000 Cinta cortada (CT) 3,000 : $0.06956 Cinta y rollo (TR)	-	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	MOSFET (óxido de metal)	Dos canal N (doble)	Compuerta de nivel lógico, controlador de 1.2V	50V	200mA	2.2Ohm a 200mA, 4.5V	1V a 1mA	-	25pF a 10V	120mW	150°C (TJ)	-	-	Montaje en superficie	6-TSSOP, SC-88, SOT-363	UMT6
DMG6602SVT-7 MOSFET N/P-CH 30V 3.4A TSOT26 Diodes Incorporated	95,552 En stock 1,557,000 Fábrica	1 : $0.40000 Cinta cortada (CT) 3,000 : $0.08673 Cinta y rollo (TR)	-	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	No para diseños nuevos	MOSFET (óxido de metal)	Canal N y P	Compuerta de nivel lógico, controlador de 4.5V	30V	3.4 A, 2.8 A	60mOhm a 3.1A, 10V	2.3V a 250µA	13nC a 10V	400pF a 15V	840mW	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montaje en superficie	SOT-23-6 delgado, TSOT-23-6	TSOT-26
UM6K34NTCN MOSFET 2N-CH 50V 0.2A UMT6 Rohm Semiconductor	64,365 En stock	1 : $0.41000 Cinta cortada (CT) 3,000 : $0.08849 Cinta y rollo (TR)	-	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	MOSFET (óxido de metal)	Dos canal N (doble)	Compuerta de nivel lógico, controlador de 0.9V	50V	200mA	2.2Ohm a 200mA, 4.5V	800mV a 1mA	-	26pF a 10V	120mW	150°C (TJ)	-	-	Montaje en superficie	6-TSSOP, SC-88, SOT-363	UMT6
DMG6601LVT-7 MOSFET N/P-CH 30V 3.8A TSOT26 Diodes Incorporated	63,248 En stock 876,000 Fábrica	1 : $0.41000 Cinta cortada (CT) 3,000 : $0.08777 Cinta y rollo (TR)	-	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	MOSFET (óxido de metal)	Canal N y P	Compuerta de nivel lógico	30V	3.8 A, 2.5 A	55mOhm a 3.4A, 10V	1.5V a 250µA	12.3nC a 10V	422pF a 15V	850mW	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montaje en superficie	SOT-23-6 delgado, TSOT-23-6	TSOT-26
EM6K34T2CR MOSFET 2N-CH 50V 0.2A EMT6 Rohm Semiconductor	3,621 En stock	1 : $0.41000 Cinta cortada (CT) 8,000 : $0.07702 Cinta y rollo (TR)	-	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	MOSFET (óxido de metal)	Dos canal N (doble)	Compuerta de nivel lógico, controlador de 0.9V	50V	200mA	2.2Ohm a 200mA, 4.5V	800mV a 1mA	-	26pF a 10V	120mW	150°C (TJ)	-	-	Montaje en superficie	SOT-563, SOT-666	EMT6
SSM6L14FE(TE85L,F) MOSFET N/P-CH 20V 0.8A ES6 Toshiba Semiconductor and Storage	27,804 En stock	1 : $0.45000 Cinta cortada (CT) 4,000 : $0.09507 Cinta y rollo (TR)	-	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	MOSFET (óxido de metal)	Canal N y P	Compuerta de nivel lógico, controlador de 1.5V	20V	800mA (Ta), 720mA (Ta)	240mOhm a 500mA, 4.5V, 300mOhm a 400mA, 4.5V	1V a 1mA	2nC a 4.5V, 1.76nC a 4.5V	90pF a 10V, 110pF a 10V	150mW (Ta)	150°C	-	-	Montaje en superficie	SOT-563, SOT-666	ES6
NTZD3154NT1G MOSFET 2N-CH 20V 0.54A SOT563 onsemi	403,910 En stock	1 : $0.46000 Cinta cortada (CT) 4,000 : $0.09627 Cinta y rollo (TR)	-	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	MOSFET (óxido de metal)	Dos canal N (doble)	-	20V	540mA	550mOhm a 540mA, 4.5V	1V a 250µA	2.5nC a 4.5V	150pF a 16V	250mW	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montaje en superficie	SOT-563, SOT-666	SOT-563
2N7002DW MOSFET 2N-CH 60V 0.115A SC88 onsemi	80,073 En stock	1 : $0.46000 Cinta cortada (CT) 3,000 : $0.10095 Cinta y rollo (TR)	-	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	MOSFET (óxido de metal)	Dos canal N (doble)	Compuerta de nivel lógico	60V	115mA	7.5Ohm a 50mA, 5V	2V a 250µA	-	50pF a 25V	200mW	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montaje en superficie	6-TSSOP, SC-88, SOT-363	SC-88 (SC-70-6)
NTJD4401NT1G MOSFET 2N-CH 20V 0.63A SC88 onsemi	37,556 En stock	1 : $0.46000 Cinta cortada (CT) 3,000 : $0.10078 Cinta y rollo (TR)	-	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	MOSFET (óxido de metal)	Dos canal N (doble)	Compuerta de nivel lógico	20V	630mA	375mOhm a 630mA, 4.5V	1.5V a 250µA	3nC a 4.5V	46pF a 20V	270mW	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montaje en superficie	6-TSSOP, SC-88, SOT-363	SC-88/SC70-6/SOT-363
SSM6L09FUTE85LF MOSFET N/P-CH 30V 0.4A US6 Toshiba Semiconductor and Storage	27,660 En stock	1 : $0.46000 Cinta cortada (CT) 3,000 : $0.10195 Cinta y rollo (TR)	-	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	No para diseños nuevos	MOSFET (óxido de metal)	Canal N y P	Compuerta de nivel lógico	30V	400mA, 200mA	700mOhm a 200 MA, 10V	1.8V a 100µA	-	20pF a 5V	300mW	150°C (TJ)	-	-	Montaje en superficie	6-TSSOP, SC-88, SOT-363	US6
NTZD3152PT1G MOSFET 2P-CH 20V 0.43A SOT563 onsemi	49,620 En stock	1 : $0.48000 Cinta cortada (CT) 4,000 : $0.10161 Cinta y rollo (TR)	-	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	MOSFET (óxido de metal)	Dos canal P (doble)	-	20V	430mA	900mOhm a 430mA, 4.5V	1V a 250µA	2.5nC a 4.5V	175pF a 16V	250mW	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montaje en superficie	SOT-563, SOT-666	SOT-563
PMDT290UNE,115 MOSFET 2N-CH 20V 0.8A SOT666 Nexperia USA Inc.	75,064 En stock	1 : $0.49000 Cinta cortada (CT) 4,000 : $0.10274 Cinta y rollo (TR)	TrenchMOS™	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	No para diseños nuevos	MOSFET (óxido de metal)	Dos canal N (doble)	Compuerta de nivel lógico	20V	800mA	380mOhm a 500mA, 4.5V	950mV a 250µA	0.68nC a 4.5V	83pF a 10V	500mW	-55°C ~ 150°C (TJ)	Uso automotriz	AEC-Q101	Montaje en superficie	SOT-563, SOT-666	SOT-666
NTJD4001NT1G MOSFET 2N-CH 30V 0.25A SC88 onsemi	62,865 En stock	1 : $0.50000 Cinta cortada (CT) 3,000 : $0.11102 Cinta y rollo (TR)	-	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	MOSFET (óxido de metal)	Dos canal N (doble)	-	30V	250mA	1.5Ohm a 10mA, 4V	1.5V a 100µA	1.3nC a 5V	33pF a 5V	272mW	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montaje en superficie	6-TSSOP, SC-88, SOT-363	SC-88/SC70-6/SOT-363
DMC3071LVT-7 MOSFET N/P-CH 30V 4.6A TSOT26 Diodes Incorporated	17,637 En stock	1 : $0.51000 Cinta cortada (CT) 3,000 : $0.11392 Cinta y rollo (TR)	-	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	MOSFET (óxido de metal)	Complemento de canal N y P	-	30V	4.6A (Ta), 3.3A (Ta)	50mOhm a 3.5A, 10V, 95mOhm a 3.8A, 10V	2.5V a 250µA	4.5nC a 10V, 6.5nC a 10V	190pF a 15V, 254pF a 15V	700mW (Ta)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montaje en superficie	SOT-23-6 delgado, TSOT-23-6	TSOT-26
NTZD3155CT1G MOSFET N/P-CH 20V 0.54A SOT563 onsemi	58,467 En stock	1 : $0.53000 Cinta cortada (CT) 4,000 : $0.11478 Cinta y rollo (TR)	-	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	MOSFET (óxido de metal)	Canal N y P	Compuerta de nivel lógico	20V	540mA, 430mA	550mOhm a 540mA, 4.5V	1V a 250µA	2.5nC a 4.5V	150pF a 16V	250mW	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montaje en superficie	SOT-563, SOT-666	SOT-563
MCM3400A-TP MOSFET 2N-CH 30V 5A 6DFN Micro Commercial Co	103,963 En stock	1 : $0.54000 Cinta cortada (CT) 3,000 : $0.12150 Cinta y rollo (TR)	-	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	MOSFET (óxido de metal)	2 canales N	-	30V	5A	32mOhm a 5.8A, 10V	1.5V a 250µA	-	1155pF a 15V	1.4W	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montaje en superficie	Placa descubierta 6-VDFN	DFN2020-6L
PMDXB550UNEZ MOSFET 2N-CH 30V 0.59A 6DFN Nexperia USA Inc.	31,763 En stock	1 : $0.54000 Cinta cortada (CT) 5,000 : $0.11342 Cinta y rollo (TR)	-	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	MOSFET (óxido de metal)	Dos canal N (doble)	-	30V	590mA	670mOhm a 590mA, 4.5V	950mV a 250µA	1.05nC a 4.5V	30.3pF a 15V	285mW	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montaje en superficie	Placa descubierta 6-XFDFN	DFN1010B-6

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Los FET (transistor de efecto campo) son dispositivos electrónicos que usan un campo eléctrico para controlar el flujo de corriente. La aplicación de un voltaje al terminal de la compuerta altera la conductividad entre los terminales de la fuente y del drenaje. Los FET también se conocen como transistores unipolares, ya que implican un funcionamiento de un solo tipo de portador. Es decir, el funcionamiento de los FET incluye electrones u orificios como portadores de carga, pero no ambos. Los FET generalmente muestran una impedancia de entrada muy alta a bajas frecuencias.

Arreglos FET, MOSFET

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