Name: IST011N06NM5AUMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IST011N06NM5AUMA1TR-ND
Price: 5.54 USD
Availability: InStock

IST011N06NM5AUMA1
N.º de producto de DigiKey	448-IST011N06NM5AUMA1TR-ND - Cinta y rollo (TR) 448-IST011N06NM5AUMA1CT-ND - Cinta cortada (CT) 448-IST011N06NM5AUMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	Infineon Technologies
Número de pieza del fabricante	IST011N06NM5AUMA1
Descripción	TRENCH 40<-<100V PG-HSOF-5
Plazo estándar del fabricante	17 semanas
Referencia del cliente
Descripción detallada	Canal N Montaje en superficie 60 V 38A (Ta), 399A (Tc) 3.8W (Ta), 313W (Tc) PG-HSOF-5-4
Hoja de datos	Hoja de datos
Modelos EDA/CAD	IST011N06NM5AUMA1 Modelos

Tipo	Descripción	Seleccionar todo
Categoría	Productos de semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET FET simple, MOSFET
Fabricante	Infineon Technologies
Serie	OptiMOS™ 5
Embalaje	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®
Estado de pieza	Activo
Tipo FET	Canal N
Tecnología	MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	60 V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC	38A (Ta), 399A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)	6V, 10V
Rds On (máx) @ Id, Vgs	1.1mOhm a 100A, 10V
Vgs(th) (máx) a Id	3.3V a 148µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs	154 nC @ 10 V
Vgs (máx.)	±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds	8100 pF @ 30 V
Característica de FET	-
Disipación de potencia (Máx.)	3.8W (Ta), 313W (Tc)
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 175°C (TJ)
Grado	-
Calificación	-
Tipo de montaje	Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor	PG-HSOF-5-4
Paquete / Caja (carcasa)	5-PowerSFN
Número de producto base	IST011N

IST011N06NM5AUMA1