Name: IMW120R030M1HXKSA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IMW120R030M1HXKSA1-ND
Price: 14.79 USD
Availability: InStock

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IMW120R030M1HXKSA1
N.º de producto de DigiKey	448-IMW120R030M1HXKSA1-ND
Fabricante	Infineon Technologies
Número de pieza del fabricante	IMW120R030M1HXKSA1
Descripción	SICFET N-CH 1.2KV 56A TO247-3
Plazo estándar del fabricante	14 semanas
Referencia del cliente
Descripción detallada	Canal N Orificio pasante 1200 V 56A (Tc) 227W (Tc) PG-TO247-3-41
Hoja de datos	Hoja de datos
Modelos EDA/CAD	IMW120R030M1HXKSA1 Modelos

Atributos del producto

Tipo	Descripción	Seleccionar todo
Categoría	Productos de semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET FET simple, MOSFET
Fabricante	Infineon Technologies
Serie	CoolSiC™
Embalaje	Tubo
Estado de pieza	Activo
Tipo FET	Canal N
Tecnología	SiCFET (Carburo de silicio)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	1200 V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC	56A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)	15V, 18V
Rds On (máx) @ Id, Vgs	40mOhm a 25A, 18V
Vgs(th) (máx) a Id	5.7V a 10mA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs	63 nC @ 18 V
Vgs (máx.)	+23V, -7V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds	2120 pF @ 800 V
Característica de FET	-
Disipación de potencia (Máx.)	227W (Tc)
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 175°C (TJ)
Grado	-
Calificación	-
Tipo de montaje	Orificio pasante
Paquete del dispositivo del proveedor	PG-TO247-3-41
Paquete / Caja (carcasa)	TO-247-3
Número de producto base	IMW120

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Cantidad	Precio por unidad	Precio ext.
1	$14.79000	$14.79
30	$9.07300	$272.19
120	$7.97100	$956.52

Paquete estándar del fabricante

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