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Producto del mercado
Imagen solo a efectos ilustrativos. Para obtener especificaciones exactas, visite la hoja de datos del producto.
F417MR12W1M1HB76BPSA1 | |
|---|---|
N.º de producto de DigiKey | 448-F417MR12W1M1HB76BPSA1-ND |
Fabricante | |
Número de pieza del fabricante | F417MR12W1M1HB76BPSA1 |
Descripción | LOW POWER EASY |
Plazo estándar del fabricante | 8 semanas |
Referencia del cliente | |
Descripción detallada | MOSFET - Arreglos 1200V (1.2kV) 45A Montaje de chasis |
Hoja de datos | Hoja de datos |
Modelos EDA/CAD | F417MR12W1M1HB76BPSA1 Modelos |
Atributos del producto
Tipo | Descripción | Seleccionar todo |
|---|---|---|
Categoría | ||
Fabricante | Infineon Technologies | |
Serie | ||
Embalaje | Bandeja | |
Estado de pieza | Activo | |
Tecnología | Carburo de silicio (SiC) | |
Configuración | 4 Canal N | |
Característica de FET | - | |
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) | 1200V (1.2kV) | |
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC | 45A | |
Rds On (máx) @ Id, Vgs | 11.7mOhm a 62.5A, 18V | |
Vgs(th) (máx) a Id | 5.15V a 20mA | |
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs | 200nC a 18V | |
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds | 6050pF a 800V | |
Potencia - Máx. | - | |
Temperatura de funcionamiento | -40°C ~ 175°C (TJ) | |
Grado | - | |
Calificación | - | |
Tipo de montaje | Montaje de chasis | |
Paquete / Caja (carcasa) | Módulo | |
Paquete del dispositivo del proveedor | - | |
Número de producto base |
En stock: 17
Comprobar si hay stock entrante adicional
Cantidad
Todos los precios se expresan en USD
Bandeja
| Cantidad | Precio por unidad | Precio ext. |
|---|---|---|
| 1 | $93.37000 | $93.37 |
| 24 | $76.15000 | $1,827.60 |
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