IPTG111N20NM3FDATMA1 Infineon Technologies | Productos de semiconductores discretos

Imagen solo a efectos ilustrativos. Para obtener especificaciones exactas, visite la hoja de datos del producto.

IPTG111N20NM3FDATMA1
N.º de producto de DigiKey	448-IPTG111N20NM3FDATMA1TR-ND - Cinta y rollo (TR) 448-IPTG111N20NM3FDATMA1CT-ND - Cinta cortada (CT) 448-IPTG111N20NM3FDATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	Infineon Technologies
Número de pieza del fabricante	IPTG111N20NM3FDATMA1
Descripción	TRENCH >=100V PG-HSOG-8
Referencia del cliente
Descripción detallada	Canal N Montaje en superficie 200 V 10.8A (Ta), 108A (Tc) 3.8W (Ta), 375W (Tc) PG-HSOG-8-1
Hoja de datos	Hoja de datos
Modelos EDA/CAD	IPTG111N20NM3FDATMA1 Modelos

Atributos del producto

Tipo	Descripción	Seleccionar todo
Categoría	Productos de semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET FET simple, MOSFET
Fabricante	Infineon Technologies
Serie	OptiMOS™ 3
Embalaje	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®
Estado de pieza	Discontinuo en Digi-Key
Tipo FET	Canal N
Tecnología	MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	200 V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC	10.8A (Ta), 108A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)	10V
Rds On (máx) @ Id, Vgs	11.1mOhm a 96A, 10V
Vgs(th) (máx) a Id	4V a 267µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs	81 nC @ 10 V
Vgs (máx.)	±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds	7000 pF @ 100 V
Característica de FET	-
Disipación de potencia (Máx.)	3.8W (Ta), 375W (Tc)
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 175°C (TJ)
Grado	-
Calificación	-
Tipo de montaje	Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor	PG-HSOG-8-1
Paquete / Caja (carcasa)	8-PowerSMD, Ala de gaviota
Número de producto base	IPTG111N