MOSFET de carburo de silicio de tercera generación de 650 V y 1,200 V

Los MOSFET de carburo de silicio (SiC) de 3.ª generación de 650 V y 1,200 V de Toshiba están diseñados para aplicaciones industriales de alta potencia, como fuentes de alimentación de CA/CC de entrada de 400 V y 800 V_CA, inversores fotovoltaicos (PV) y convertidores de CC/CC bidireccionales para sistemas de alimentación ininterrumpida (UPS).

Estos MOSFET ayudan a reducir el consumo de energía y a mejorar la densidad de potencia, gracias a la tecnología SiC, que permite que los dispositivos ofrezcan una mayor resistencia a la tensión, una conmutación más rápida y una menor resistencia en estado encendido. El diseño de chip de tercera generación de Toshiba ofrece una mayor fiabilidad. Los productos de 650 V cuentan con una capacitancia de entrada (C_ISS) de 4,850 pF (típico), una carga de entrada de compuerta baja (Q_g) de 128 nC (típico) y una resistencia en estado encendido de drenaje a fuente (R_{DS (ON)} de solo 15 mΩ (típico).

Además, los productos de 1,200 V ofrecen una capacitancia de entrada igualmente baja (C_ISS) de 6000 pF (típico), una carga de entrada de compuerta (Q_g) de 158 nC (típico) y una resistencia en estado encendido de drenaje a fuente (R_{DS (ON)}) de 15 mΩ (típico).

Los MOSFET de SiC de 650 V y 1,200 V se ofrecen en el paquete TO-247 de tres conductores estándar de la industria, además de los paquetes TOLL y DFN8x8 de montaje en superficie.