Canal N Orificio pasante 650 V 30H (Tc) 111W (Tc) TO-247
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Canal N Orificio pasante 650 V 30H (Tc) 111W (Tc) TO-247
Toshiba 650 V and 1,200 V 3rd Generation Silicon Carbide MOSFETs | Datasheet Preview

TW083N65C,S1F

N.º de producto de DigiKey
264-TW083N65CS1F-ND
Fabricante
Número de pieza del fabricante
TW083N65C,S1F
Descripción
G3 650V SIC-MOSFET TO-247 83MOH
Plazo estándar del fabricante
24 semanas
Referencia del cliente
Descripción detallada
Canal N Orificio pasante 650 V 30H (Tc) 111W (Tc) TO-247
Hoja de datos
 Hoja de datos
Atributos del producto
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Categoría
Vgs(th) (máx) a Id
5V a 600µA
Fabricante
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs
28 nC @ 18 V
Embalaje
Tubo
Vgs (máx.)
+25V, -10V
Estado de pieza
Activo
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds
873 pF @ 400 V
Tipo FET
Disipación de potencia (Máx.)
111W (Tc)
Tecnología
Temperatura de funcionamiento
175°C
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
650 V
Tipo de montaje
Orificio pasante
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC
Paquete del dispositivo del proveedor
TO-247
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)
18V
Paquete / Caja (carcasa)
Rds On (máx) @ Id, Vgs
113mOhm a 15A, 18V
Clasificaciones medioambientales y de exportación
Preguntas y respuestas sobre el producto
Recursos adicionales
En stock: 0
Consultar el plazo de entrega
Solicitud de notificación de existencias
Todos los precios se expresan en USD
Tubo
Cantidad Precio por unidad Precio ext.
1$17.96000$17.96
30$11.11233$333.37
120$9.61317$1,153.58
510$9.02375$4,602.11
Paquete estándar del fabricante
Aviso: Debido a los servicios de valor añadido de DigiKey, el tipo de embalaje puede cambiar cuando el producto se adquiere en cantidades inferiores al embalaje estándar.