TO-247-4
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TO-247-4
TO-247-4

TW083Z65C,S1F

N.º de producto de DigiKey
264-TW083Z65C,S1F-ND
Fabricante
Toshiba Semiconductor and Storage
Número de pieza del fabricante
TW083Z65C,S1F
Descripción
G3 650V SIC-MOSFET TO-247-4L 83
Plazo estándar del fabricante
24 semanas
Referencia del cliente
Descripción detallada
Canal N Orificio pasante 650 V 30A (Tc) 111W (Tc) TO-247-4L(X)
Hoja de datos
 Hoja de datos
Atributos del producto
Tipo
Descripción
Seleccionar todo
Categoría
Fabricante
Toshiba Semiconductor and Storage
Serie
-
Embalaje
Tubo
Estado de pieza
Activo
Tipo FET
Canal N
Tecnología
SiCFET (Carburo de silicio)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
650 V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC
30A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)
18V
Rds On (máx) @ Id, Vgs
118mOhm a 15A, 18V
Vgs(th) (máx) a Id
5V a 600µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs
28 nC @ 18 V
Vgs (máx.)
+25V, -10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds
873 pF @ 400 V
Característica de FET
-
Disipación de potencia (Máx.)
111W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
175°C
Grado
-
Calificación
-
Tipo de montaje
Orificio pasante
Paquete del dispositivo del proveedor
TO-247-4L(X)
Paquete / Caja (carcasa)
TO-247-4
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Cantidad
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Tubo
Cantidad Precio por unidad Precio ext.
1$15.40000$15.40
30$9.48400$284.52
120$8.40125$1,008.15
Paquete estándar del fabricante
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