TK125N60Z1,S1F
Imagen solo a efectos ilustrativos. Para obtener especificaciones exactas, visite la hoja de datos del producto.
TK125N60Z1,S1F
Toshiba 650 V and 1,200 V 3rd Generation Silicon Carbide MOSFETs | Datasheet Preview

TW027N65C,S1F

N.º de producto de DigiKey
264-TW027N65CS1F-ND
Fabricante
Toshiba Semiconductor and Storage
Número de pieza del fabricante
TW027N65C,S1F
Descripción
G3 650V SIC-MOSFET TO-247 27MOH
Plazo estándar del fabricante
24 semanas
Referencia del cliente
Descripción detallada
Canal N Orificio pasante 650 V 58A (Tc) 156W (Tc) TO-247
Hoja de datos
 Hoja de datos
Atributos del producto
Tipo
Descripción
Seleccionar todo
Categoría
Fabricante
Toshiba Semiconductor and Storage
Serie
-
Embalaje
Tubo
Estado de pieza
Activo
Tipo FET
Canal N
Tecnología
SiCFET (Carburo de silicio)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
650 V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC
58A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)
18V
Rds On (máx) @ Id, Vgs
37mOhm a 29A, 18V
Vgs(th) (máx) a Id
5V a 3mA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs
65 nC @ 18 V
Vgs (máx.)
+25V, -10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds
2288 pF @ 400 V
Característica de FET
-
Disipación de potencia (Máx.)
156W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
175°C
Grado
-
Calificación
-
Tipo de montaje
Orificio pasante
Paquete del dispositivo del proveedor
TO-247
Paquete / Caja (carcasa)
TO-247-3
Product Questions and Answers

See what engineers are asking, ask your own questions, or help out a member of the DigiKey engineering community

En stock: 20
Comprobar si hay stock entrante adicional
Cantidad
Todos los precios se expresan en USD
Tubo
Cantidad Precio por unidad Precio ext.
1$27.29000$27.29
30$17.67400$530.22
120$17.42625$2,091.15
Paquete estándar del fabricante
Aviso: Debido a los servicios de valor añadido de DigiKey, el tipo de embalaje puede cambiar cuando el producto se adquiere en cantidades inferiores al embalaje estándar.