MOSFET SiC TW070J120B

El MOSFET de carburo de silicio TW070J120B de Toshiba presenta una R_DS(ON) baja (70 mΩ) en un paquete TO-3P(N).

Los dispositivos de potencia son componentes esenciales para reducir el consumo de energía en equipos industriales y otros equipos eléctricos. El SiC se anticipa ampliamente como un material de próxima generación para dispositivos de potencia, ya que produce voltajes más altos y menores pérdidas que el silicio. Se espera que los dispositivos de energía de SiC se utilicen en aplicaciones de alta densidad de energía, incluidos los sistemas de energía fotovoltaica y los sistemas de administración de energía para equipos industriales.

Toshiba creó una estructura que evita la activación del diodo PN colocando un SBD en paralelo al diodo PN dentro de la celda. La corriente fluye a través del SBD integrado porque su voltaje en estado encendido comparado es más bajo que el del diodo PN, lo que suprime los cambios en la resistencia ON y la degradación de la confiabilidad del MOSFET.

Los MOSFET con SBD integrados ya están en uso práctico, pero solo en altos voltajes alrededor de 3.3 kV. Normalmente, los SBD incorporados hacen que la resistencia ON aumente a un nivel que solo los productos de alto voltaje pueden tolerar. Toshiba ajustó varios parámetros del dispositivo y descubrió que la relación del área SBD en un MOSFET es la clave para suprimir el aumento de la resistencia ON. Al optimizar la relación SBD, Toshiba ha creado un MOSFET SiC de clase 1.2 kV altamente confiable.