TO-247-4
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TO-247-4
TO-247-4

TW140Z120C,S1F

N.º de producto de DigiKey
264-TW140Z120C,S1F-ND
Fabricante
Toshiba Semiconductor and Storage
Número de pieza del fabricante
TW140Z120C,S1F
Descripción
G3 1200V SIC-MOSFET TO-247-4L 14
Plazo estándar del fabricante
24 semanas
Referencia del cliente
Descripción detallada
Canal N Orificio pasante 1200 V 20A (Tc) 107W (Tc) TO-247-4L(X)
Hoja de datos
 Hoja de datos
Atributos del producto
Tipo
Descripción
Seleccionar todo
Categoría
Fabricante
Toshiba Semiconductor and Storage
Serie
-
Embalaje
Tubo
Estado de pieza
Activo
Tipo FET
Canal N
Tecnología
SiCFET (Carburo de silicio)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
1200 V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC
20A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)
18V
Rds On (máx) @ Id, Vgs
191mOhm a 10A, 18V
Vgs(th) (máx) a Id
5V a 1mA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs
24 nC @ 18 V
Vgs (máx.)
+25V, -10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds
691 pF @ 800 V
Característica de FET
-
Disipación de potencia (Máx.)
107W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
175°C
Grado
-
Calificación
-
Tipo de montaje
Orificio pasante
Paquete del dispositivo del proveedor
TO-247-4L(X)
Paquete / Caja (carcasa)
TO-247-4
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Cantidad
Todos los precios se expresan en USD
Tubo
Cantidad Precio por unidad Precio ext.
1$12.80000$12.80
30$7.75667$232.70
120$6.65108$798.13
510$6.61251$3,372.38
Paquete estándar del fabricante
Aviso: Debido a los servicios de valor añadido de DigiKey, el tipo de embalaje puede cambiar cuando el producto se adquiere en cantidades inferiores al embalaje estándar.