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Imagen solo a efectos ilustrativos. Para obtener especificaciones exactas, visite la hoja de datos del producto.
SIHB22N60E-GE3 | |
|---|---|
N.º de producto de DigiKey | SIHB22N60E-GE3-ND |
Fabricante | |
Número de pieza del fabricante | SIHB22N60E-GE3 |
Descripción | MOSFET N-CH 600V 21A D2PAK |
Plazo estándar del fabricante | 24 semanas |
Referencia del cliente | |
Descripción detallada | Canal N Montaje en superficie 600 V 21H (Tc) 227W (Tc) TO-263 (D2PAK) |
Hoja de datos | Hoja de datos |
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Categoría | Vgs(th) (máx) a Id 4V a 250µA |
Fabricante | Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 86 nC @ 10 V |
Embalaje Tubo | Vgs (máx.) ±30V |
Estado de pieza Activo | Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 1920 pF @ 100 V |
Tipo FET | Disipación de potencia (Máx.) 227W (Tc) |
Tecnología | Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ) |
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 600 V | Tipo de montaje Montaje en superficie |
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC | Paquete del dispositivo del proveedor TO-263 (D2PAK) |
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 10V | Paquete / Caja (carcasa) |
Rds On (máx) @ Id, Vgs 180mOhm a 11A, 10V | Número de producto base |
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Sustitutos (22)
| N.° de pieza | Fabricante | Cantidad disponible | N.º de producto de DigiKey | Precio por unidad | Tipo de reemplazo |
|---|---|---|---|---|---|
| SIHB22N60E-E3 | Vishay Siliconix | 0 | SIHB22N60E-E3-ND | $1.85000 | Equivalente paramétrico |
| SIHB22N60ET1-GE3 | Vishay Siliconix | 410 | SIHB22N60ET1-GE3CT-ND | $4.84000 | Equivalente paramétrico |
| SIHB22N60ET5-GE3 | Vishay Siliconix | 0 | SIHB22N60ET5-GE3-ND | $2.27920 | Equivalente paramétrico |
| AOB20S60L | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | 365 | 785-1247-1-ND | $4.84000 | Similar |
| AOB27S60L | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | 9,892 | 785-1248-1-ND | $5.67000 | Similar |
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Tubo
| Cantidad | Precio por unidad | Precio ext. |
|---|---|---|
| 1 | $5.04000 | $5.04 |
| 50 | $2.61940 | $130.97 |
| 100 | $2.38540 | $238.54 |
| 500 | $2.14600 | $1,073.00 |
