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SIHB22N60ET5-GE3 | |
|---|---|
N.º de producto de DigiKey | SIHB22N60ET5-GE3-ND - Cinta y rollo (TR) |
Fabricante | |
Número de pieza del fabricante | SIHB22N60ET5-GE3 |
Descripción | MOSFET N-CH 600V 21A TO263 |
Plazo estándar del fabricante | 24 semanas |
Referencia del cliente | |
Descripción detallada | Canal N Montaje en superficie 600 V 21A (Tc) 227W (Tc) TO-263 (D2PAK) |
Hoja de datos | Hoja de datos |
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Categoría | Vgs(th) (máx) a Id 4V a 250µA |
Fabricante | Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 86 nC @ 10 V |
Serie | Vgs (máx.) ±30V |
Embalaje Cinta y rollo (TR) | Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 1920 pF @ 100 V |
Estado de pieza Activo | Disipación de potencia (Máx.) 227W (Tc) |
Tipo FET | Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tecnología | Tipo de montaje Montaje en superficie |
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 600 V | Paquete del dispositivo del proveedor TO-263 (D2PAK) |
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC | Paquete / Caja (carcasa) |
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 10V | Número de producto base |
Rds On (máx) @ Id, Vgs 180mOhm a 11A, 10V |
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Sustitutos (8)
| N.° de pieza | Fabricante | Cantidad disponible | N.º de producto de DigiKey | Precio por unidad | Tipo de reemplazo |
|---|---|---|---|---|---|
| FCB20N60FTM | onsemi | 1,795 | FCB20N60FTMCT-ND | $7.02000 | Directo |
| IPB60R180P7ATMA1 | Infineon Technologies | 2,025 | IPB60R180P7ATMA1CT-ND | $3.12000 | Similar |
| IPB60R190C6ATMA1 | Infineon Technologies | 10,460 | IPB60R190C6ATMA1CT-ND | $3.96000 | Similar |
| IXFA22N65X2 | IXYS | 4,207 | 238-IXFA22N65X2-ND | $7.82000 | Similar |
| IXFA24N60X | IXYS | 0 | IXFA24N60X-ND | $3.20113 | Similar |
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Cantidad
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Cinta y rollo (TR)
| Cantidad | Precio por unidad | Precio ext. |
|---|---|---|
| 800 | $2.27920 | $1,823.36 |
