VideoLibrary

onsemi 2023 Embedded World Interview – EliteSiC

At Embedded World 2023 in the DigiKey booth, Paige West speaks Paul Klausner, Product Marketing Manager at onsemi about how they aim to achieve robust reliability with their EliteSiC product line.

4/10/2023 8:09:30 PM

Part List

ImagenNúmero de pieza del fabricanteDescripciónCantidad disponiblePrecioVer detalles
SICFET N-CH 900V 118A TO247-3NTHL020N090SC1SICFET N-CH 900V 118A TO247-31555 - Inmediata
2700 - Stock en fábrica		$28.35Ver detalles
SICFET N-CH 900V 118A TO247-3NVHL020N090SC1SICFET N-CH 900V 118A TO247-3168 - Inmediata$29.70Ver detalles
SICFET N-CH 1200V 60A D2PAK-7NTBG040N120SC1SICFET N-CH 1200V 60A D2PAK-7418 - Inmediata
26400 - Stock en fábrica		$22.24Ver detalles
MOSFET N-CH 650V 75A TO247-3NTHL027N65S3HFMOSFET N-CH 650V 75A TO247-3578 - Inmediata
5400 - Stock en fábrica		$22.57Ver detalles
SICFET N-CH 900V 9.8A/112A D2PAKNTBG020N090SC1SICFET N-CH 900V 9.8A/112A D2PAK714 - Inmediata$28.48Ver detalles
MOSFET N-CH 650V 46A TO247-3NTHL065N65S3HFMOSFET N-CH 650V 46A TO247-3509 - Inmediata$12.73Ver detalles
POWER MOSFET, N-CHANNEL, SUPERFENTHL067N65S3HPOWER MOSFET, N-CHANNEL, SUPERFE371 - Inmediata$9.91Ver detalles
SILICON CARBIDE (SIC) MOSFET - 5NTH4L075N065SC1SILICON CARBIDE (SIC) MOSFET - 5414 - Inmediata
450 - Stock en fábrica		$10.65Ver detalles
SILICON CARBIDE MOSFET, NCHANNELNTH4L060N090SC1SILICON CARBIDE MOSFET, NCHANNEL478 - Inmediata
450 - Stock en fábrica		$13.80Ver detalles
SIC MOS TO247-4L 650VNTH4L060N065SC1SIC MOS TO247-4L 650V477 - Inmediata$11.99Ver detalles
SIC MOS TO247-3L 650VNTHL060N065SC1SIC MOS TO247-3L 650V234 - Inmediata
3600 - Stock en fábrica		$11.42Ver detalles
MOSFET N-CH 650V 65A TO247-4NTH4L040N65S3FMOSFET N-CH 650V 65A TO247-4310 - Inmediata$15.94Ver detalles
MOSFET N-CH 650V 75A TO247-3NVHL025N65S3MOSFET N-CH 650V 75A TO247-3120 - Inmediata$21.42Ver detalles
SILICON CARBIDE MOSFET, NCHANNELNTH4L020N090SC1SILICON CARBIDE MOSFET, NCHANNEL192 - Inmediata
4500 - Stock en fábrica		$28.22Ver detalles
SILICON CARBIDE MOSFET, NCHANNELNTBG045N065SC1SILICON CARBIDE MOSFET, NCHANNEL2617 - Inmediata
13600 - Stock en fábrica		$13.62Ver detalles
SIC MOS TO247-4L 22MOHM 1200VNTH4L022N120M3SSIC MOS TO247-4L 22MOHM 1200V912 - Inmediata$19.41Ver detalles
SILICON CARBIDE MOSFET, NCHANNELNTH4L015N065SC1SILICON CARBIDE MOSFET, NCHANNEL1380 - Inmediata
3600 - Stock en fábrica		$28.13Ver detalles
MOSFET N-CH 650V 46A TO247-3NTHL065N65S3FMOSFET N-CH 650V 46A TO247-35415 - Inmediata
56700 - Stock en fábrica		$12.57Ver detalles
SICFET N-CH 1200V 8.6A/98A D2PAKNTBG020N120SC1SICFET N-CH 1200V 8.6A/98A D2PAK956 - Inmediata$36.41Ver detalles
SICFET N-CH 1200V 103A TO247-3NTHL020N120SC1SICFET N-CH 1200V 103A TO247-3338 - Inmediata
1350 - Stock en fábrica		$36.12Ver detalles

Related Videos

End-to-End SiC Manufacturing Capabilities and EliteSiC Family Solutions Advance a Sustainable Future
End-to-End SiC Manufacturing Capabilities and EliteSiC Family Solutions Advance a Sustainable Future

Fecha de publicación: 2024-05-21

Advantages of onsemi's EliteSiC Family
Advantages of onsemi's EliteSiC Family

Fecha de publicación: 2024-04-03

Exploring Industrial Drives and Pumps
Exploring Industrial Drives and Pumps

Fecha de publicación: 2024-02-15

Related Product Highlight

Soluciones para almacenamiento de energía de onsemi Las soluciones de almacenamiento de energía de onsemi capturan la energía producida en un momento dado para su uso posterior. Consiste en transformar la energía de formas difíciles de almacenar en formas más convenientes o económicamente almacenables.
MOSFET EliteSiC de canal N NVHL El MOSFET EliteSiC de canal NVHL de onsemi proporciona transiciones ultrarrápidas con una fiabilidad superior en un encapsulado miniatura TO-247-3.
MOSFET EliteSiC NVBG Los MOSFET EliteSiC NVBG de onsemi ofrecen conmutación de alta velocidad y baja capacitancia en un encapsulado de tamaño reducido.

Related Articles and Blogs

Los semiconductores de banda prohibida reconfiguran el mundo del transporte Todo el sector del transporte está experimentando una transformación radical con soluciones para coches eléctricos e híbridos y un transporte de masas más limpio.
Semiconductores de amplio salto energético en aplicaciones aeroespaciales y de satélites Los semiconductores de amplio salto energético aportan varias ventajas a la conversión de potencia, como el aumento de la densidad de potencia y la eficiencia, y la reducción del tamaño y el peso del sistema.
Cómo hacer que las infraestructuras energéticas sean más eficientes y fiables a la vez que se reducen los costos Cómo utilizar el carburo de silicio (SiC) para que los sistemas de infraestructuras energéticas sean más eficientes y fiables, con una menor huella de carbono y menores costes.

Related Product Training Modules

SiC Gate Drivers onsemi's NCP51561 isolated dual-channel gate drivers are designed for fast switching to drive power MOSFETs and SiC MOSFET power switches.