TO-247-4
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TO-247-4
TO-247-4

NTH4L075N065SC1

N.º de producto de DigiKey
5556-NTH4L075N065SC1-ND
Fabricante
onsemi
Número de pieza del fabricante
NTH4L075N065SC1
Descripción
SILICON CARBIDE (SIC) MOSFET - 5
Plazo estándar del fabricante
17 semanas
Referencia del cliente
Descripción detallada
Canal N Orificio pasante 650 V 38A (Tc) 148W (Tc) TO-247-4L
Hoja de datos
 Hoja de datos
Atributos del producto
Tipo
Descripción
Seleccionar todo
Categoría
Fabricante
onsemi
Serie
-
Embalaje
Tubo
Estado de pieza
Activo
Tipo FET
Canal N
Tecnología
SiCFET (Carburo de silicio)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
650 V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC
38A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)
15V, 18V
Rds On (máx) @ Id, Vgs
85mOhm a 15A, 18V
Vgs(th) (máx) a Id
4.3V a 5mA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs
61 nC @ 18 V
Vgs (máx.)
+22V, -8V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds
1196 pF @ 325 V
Característica de FET
-
Disipación de potencia (Máx.)
148W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 175°C (TJ)
Grado
-
Calificación
-
Tipo de montaje
Orificio pasante
Paquete del dispositivo del proveedor
TO-247-4L
Paquete / Caja (carcasa)
TO-247-4
Número de producto base
NTH4L075
Preguntas y respuestas sobre el producto

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En stock: 414
Stock de fábrica: 450
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Cantidad
Todos los precios se expresan en USD
Tubo
Cantidad Precio por unidad Precio ext.
1$10.65000$10.65
30$6.33200$189.96
120$5.38558$646.27
510$4.99537$2,547.64
Paquete estándar del fabricante
Aviso: Debido a los servicios de valor añadido de DigiKey, el tipo de embalaje puede cambiar cuando el producto se adquiere en cantidades inferiores al embalaje estándar.