VideoLibrary

End-to-End SiC Manufacturing Capabilities and EliteSiC Family Solutions Advance a Sustainable Future

onsemi is seizing this opportunity to be a leading advocate for building a better future. One of the primary ways we’re contributing to a more sustainable future is through the end-to-end manufacturing of siliconcarbide (SiC).

5/21/2024 7:27:41 PM

onsemi SiCFET (Silicon Carbide) Single FETs, MOSFETs

ImagenNúmero de pieza del fabricanteDescripciónCantidad disponiblePrecioVer detalles
SICFET N-CH 1200V 31A TO247-3NTHL080N120SC1ASICFET N-CH 1200V 31A TO247-3834 - Inmediata
149400 - Stock en fábrica		$12.93Ver detalles
SICFET N-CH 1200V 60A TO247-3NTHL040N120SC1SICFET N-CH 1200V 60A TO247-31777 - Inmediata
9900 - Stock en fábrica		$21.91Ver detalles
SICFET N-CH 1200V 58A TO247-4NTH4L040N120SC1SICFET N-CH 1200V 58A TO247-4582 - Inmediata
6750 - Stock en fábrica		$22.15Ver detalles
TRANS SJT N-CH 1200V 60A D2PAK-7NVBG040N120SC1TRANS SJT N-CH 1200V 60A D2PAK-72846 - Inmediata$27.43Ver detalles
SILICON CARBIDE MOSFET, NCHANNELNTH4L015N065SC1SILICON CARBIDE MOSFET, NCHANNEL1599 - Inmediata
9450 - Stock en fábrica		$28.13Ver detalles
SILICON CARBIDE MOSFET, NCHANNELNTBG015N065SC1SILICON CARBIDE MOSFET, NCHANNEL2967 - Inmediata
8000 - Stock en fábrica		$28.15Ver detalles
SILICON CARBIDE MOSFET, NCHANNELNTH4L020N090SC1SILICON CARBIDE MOSFET, NCHANNEL203 - Inmediata
6750 - Stock en fábrica		$28.22Ver detalles
SILICON CARBIDE (SIC) MOSFET - 1NTHL015N065SC1SILICON CARBIDE (SIC) MOSFET - 1490 - Inmediata$28.28Ver detalles

onsemi SiC (Silicon Carbide) Schottky Single Diodes

ImagenNúmero de pieza del fabricanteDescripciónCantidad disponiblePrecioVer detalles
DIODE SIL CARBIDE 650V 73A D2PAKFFSB3065B-F085DIODE SIL CARBIDE 650V 73A D2PAK3488 - Inmediata
200000 - Stock en fábrica		$8.43Ver detalles
DIODE SIL CARB 1200V 17A TO2472FFSH10120A-F085DIODE SIL CARB 1200V 17A TO2472518 - Inmediata
17550 - Stock en fábrica		$9.35Ver detalles
DIODE SIL CARB 1700V 25A TO2472NDSH25170ADIODE SIL CARB 1700V 25A TO24720 - Inmediata$17.54Ver detalles
DIODE SIL CARBIDE 1200V TO252AAFFSD10120ADIODE SIL CARBIDE 1200V TO252AA559 - Inmediata$7.00Ver detalles
DIODE SIL CARB 650V 23.6A TO263FFSB2065BDN-F085DIODE SIL CARB 650V 23.6A TO263800 - Inmediata$7.48Ver detalles
DIODE SIL CARBIDE 650V 73A TO263FFSB3065BDIODE SIL CARBIDE 650V 73A TO2632588 - Inmediata
3200 - Stock en fábrica		$7.59Ver detalles
DIODE SIL CARB 650V 37A TO247-2FFSH3065B-F085DIODE SIL CARB 650V 37A TO247-2218 - Inmediata$10.29Ver detalles
DIODE SIL CARB 1700V 16A TO2472NDSH10170ADIODE SIL CARB 1700V 16A TO247263 - Inmediata
450 - Stock en fábrica		$10.37Ver detalles

Related Videos

Advantages of onsemi's EliteSiC Family
Advantages of onsemi's EliteSiC Family

Fecha de publicación: 2024-04-03

Exploring Industrial Drives and Pumps
Exploring Industrial Drives and Pumps

Fecha de publicación: 2024-02-15

onsemi 2023 Embedded World Interview – EliteSiC
onsemi 2023 Embedded World Interview – EliteSiC

Fecha de publicación: 2023-04-10

Related Product Highlight

Soluciones para almacenamiento de energía de onsemi Las soluciones de almacenamiento de energía de onsemi capturan la energía producida en un momento dado para su uso posterior. Consiste en transformar la energía de formas difíciles de almacenar en formas más convenientes o económicamente almacenables.
MOSFET EliteSiC de canal N NVHL El MOSFET EliteSiC de canal NVHL de onsemi proporciona transiciones ultrarrápidas con una fiabilidad superior en un encapsulado miniatura TO-247-3.
MOSFET EliteSiC NVBG Los MOSFET EliteSiC NVBG de onsemi ofrecen conmutación de alta velocidad y baja capacitancia en un encapsulado de tamaño reducido.

Related Articles and Blogs

Los semiconductores de banda prohibida reconfiguran el mundo del transporte Todo el sector del transporte está experimentando una transformación radical con soluciones para coches eléctricos e híbridos y un transporte de masas más limpio.
Semiconductores de amplio salto energético en aplicaciones aeroespaciales y de satélites Los semiconductores de amplio salto energético aportan varias ventajas a la conversión de potencia, como el aumento de la densidad de potencia y la eficiencia, y la reducción del tamaño y el peso del sistema.
Cómo hacer que las infraestructuras energéticas sean más eficientes y fiables a la vez que se reducen los costos Cómo utilizar el carburo de silicio (SiC) para que los sistemas de infraestructuras energéticas sean más eficientes y fiables, con una menor huella de carbono y menores costes.

Related Product Training Modules

SiC Gate Drivers onsemi's NCP51561 isolated dual-channel gate drivers are designed for fast switching to drive power MOSFETs and SiC MOSFET power switches.