SCT2450KEC es obsoleto y ya no se fabrica.
Reemplazos disponibles:

Directo


Rohm Semiconductor
En stock: 3
Precio por unidad : $12.14000
Hoja de datos

Similar


IXYS
En stock: 0
Precio por unidad : $9.62000
Hoja de datos

Similar


IXYS
En stock: 816
Precio por unidad : $13.76000
Hoja de datos

Similar


IXYS
En stock: 72
Precio por unidad : $14.60000
Hoja de datos

Similar


IXYS
En stock: 85
Precio por unidad : $16.87000
Hoja de datos

Similar


IXYS
En stock: 0
Precio por unidad : $19.57913
Hoja de datos

Similar


IXYS
En stock: 367
Precio por unidad : $31.52000
Hoja de datos

Similar


IXYS
En stock: 0
Precio por unidad : $26.13037
Hoja de datos

Similar


IXYS
En stock: 288
Precio por unidad : $27.56000
Hoja de datos

Similar


IXYS
En stock: 0
Precio por unidad : $0.00000
Hoja de datos

Similar


IXYS
En stock: 36
Precio por unidad : $28.51000
Hoja de datos

Similar


IXYS
En stock: 0
Precio por unidad : $23.15250
Hoja de datos

Similar


IXYS
En stock: 3
Precio por unidad : $44.29000
Hoja de datos

Similar


Microchip Technology
En stock: 2
Precio por unidad : $6.28000
Hoja de datos
Canal N Orificio pasante 1200 V 10A (Tc) 85W (Tc) TO-247
Imagen solo a efectos ilustrativos. Para obtener especificaciones exactas, visite la hoja de datos del producto.
Canal N Orificio pasante 1200 V 10A (Tc) 85W (Tc) TO-247
ROHM 4-pin SiC Power MOSFETs | Digi-Key Daily

SCT2450KEC

N.º de producto de DigiKey
SCT2450KEC-ND
Fabricante
Número de pieza del fabricante
SCT2450KEC
Descripción
SICFET N-CH 1200V 10A TO247
Referencia del cliente
Descripción detallada
Canal N Orificio pasante 1200 V 10A (Tc) 85W (Tc) TO-247
Hoja de datos
 Hoja de datos
Atributos del producto
Tipo
Descripción
Seleccionar todo
Categoría
Fabricante
Serie
-
Embalaje
Tubo
Estado de pieza
Obsoleto
Tipo FET
Tecnología
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
1200 V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)
18V
Rds On (máx) @ Id, Vgs
585mOhm a 3A, 18V
Vgs(th) (máx) a Id
4V a 900µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs
27 nC @ 18 V
Vgs (máx.)
+22V, -6V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds
463 pF @ 800 V
Característica de FET
-
Disipación de potencia (Máx.)
85W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
175°C (TJ)
Grado
-
Calificación
-
Tipo de montaje
Orificio pasante
Paquete del dispositivo del proveedor
TO-247
Paquete / Caja (carcasa)
Número de producto base
Preguntas y respuestas sobre el producto

Vea lo que preguntan los ingenieros, haga sus propias preguntas o ayude a un miembro de la comunidad de ingenieros de DigiKey

Obsoleto
Este producto ya no se fabrica. Ver Reemplazos.