SCT2450KEGC11
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SCT2450KEGC11
ROHM's SiC Power and Gate Driver Solutions

SCT2450KEGC11

N.º de producto de DigiKey
846-SCT2450KEGC11-ND
Fabricante
Rohm Semiconductor
Número de pieza del fabricante
SCT2450KEGC11
Descripción
1200V, 10A, THD, SILICON-CARBIDE
Plazo estándar del fabricante
24 semanas
Referencia del cliente
Descripción detallada
Canal N Orificio pasante 1200 V 10A (Tc) 85W (Tc) TO-247N
Hoja de datos
 Hoja de datos
Atributos del producto
Tipo
Descripción
Seleccionar todo
Categoría
Fabricante
Rohm Semiconductor
Serie
-
Embalaje
Tubo
Estado de pieza
Activo
Tipo FET
Canal N
Tecnología
SiCFET (Carburo de silicio)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
1200 V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC
10A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)
18V
Rds On (máx) @ Id, Vgs
585mOhm a 3A, 18V
Vgs(th) (máx) a Id
4V a 900µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs
27 nC @ 18 V
Vgs (máx.)
+22V, -6V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds
463 pF @ 800 V
Característica de FET
-
Disipación de potencia (Máx.)
85W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
175°C
Grado
-
Calificación
-
Tipo de montaje
Orificio pasante
Paquete del dispositivo del proveedor
TO-247N
Paquete / Caja (carcasa)
TO-247-3
Número de producto base
SCT2450
Preguntas y respuestas sobre el producto

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En stock: 503
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Cantidad
Todos los precios se expresan en USD
Tubo
Cantidad Precio por unidad Precio ext.
1$11.72000$11.72
10$8.45000$84.50
450$6.10282$2,746.27
Paquete estándar del fabricante
Aviso: Debido a los servicios de valor añadido de DigiKey, el tipo de embalaje puede cambiar cuando el producto se adquiere en cantidades inferiores al embalaje estándar.