SPB18P06PGATMA1 Infineon Technologies | FET simple, MOSFET

SPB18P06PGATMA1
N.º de producto de DigiKey	SPB18P06PGATMA1TR-ND - Cinta y rollo (TR) SPB18P06PGATMA1CT-ND - Cinta cortada (CT) SPB18P06PGATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	Infineon Technologies
Número de pieza del fabricante	SPB18P06PGATMA1
Descripción	MOSFET P-CH 60V 18.7A D2PAK
Referencia del cliente
Descripción detallada	Canal P Montaje en superficie 60 V 18.7A (Ta) 81.1W (Ta) PG-TO263-3
Hoja de datos	Hoja de datos

Tipo	Descripción	Seleccionar todo
Categoría	Productos de semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET FET simple, MOSFET
Fabricante	Infineon Technologies
Serie	SIPMOS®
Embalaje	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®
Estado de pieza	Obsoleto
Tipo FET	Canal P
Tecnología	MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	60 V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC	18.7A (Ta)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)	10V
Rds On (máx) @ Id, Vgs	130mOhm a 13.2A, 10V
Vgs(th) (máx) a Id	4V a 1mA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs	28 nC @ 10 V
Vgs (máx.)	±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds	860 pF @ 25 V
Característica de FET	-
Disipación de potencia (Máx.)	81.1W (Ta)
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 175°C (TJ)
Grado	Uso automotriz
Calificación	AEC-Q101
Tipo de montaje	Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor	PG-TO263-3
Paquete / Caja (carcasa)	TO-263-3, D2PAK (2 conductores + pestaña), TO-263AB
Número de producto base	SPB18P06

SPB18P06PGATMA1