Canal P FET simple, MOSFET

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de 6,764

Número de parte del fabricante	Cantidad disponible	Precio	Serie	Paquete	Estado del producto	Tipo FET	Tecnología	Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC	Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)	Rds On (máx) @ Id, Vgs	Vgs(th) (máx) a Id	Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs	Vgs (máx.)	Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds	Característica de FET	Disipación de potencia (Máx.)	Temperatura de funcionamiento	Grado	Calificación	Tipo de montaje	Paquete del dispositivo del proveedor	Paquete / Caja (carcasa)
BSS84-7-F MOSFET P-CH 50V 130MA SOT23-3 Diodes Incorporated	127,170 En stock	1 : $0.23000 Cinta cortada (CT) 3,000 : $0.04300 Cinta y rollo (TR)	-	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	Canal P	MOSFET (óxido de metal)	50 V	130mA (Ta)	5V	10Ohm a 100mA, 5V	2V a 1mA	-	±20V	45 pF @ 25 V	-	300mW (Ta)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montaje en superficie	SOT-23-3	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
DMG1013T-7 MOSFET P-CH 20V 460MA SOT523 Diodes Incorporated	68,355 En stock	1 : $0.27000 Cinta cortada (CT) 3,000 : $0.05493 Cinta y rollo (TR)	-	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	Canal P	MOSFET (óxido de metal)	20 V	460mA (Ta)	1.8V, 4.5V	700mOhm a 350mA, 4.5V	1V a 250µA	0.622 nC @ 4.5 V	±6V	59.76 pF @ 16 V	-	270mW (Ta)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montaje en superficie	SOT-523	SOT-523
BSS84PH6327XTSA2 MOSFET P-CH 60V 170MA SOT23-3 Infineon Technologies	1,096,310 En stock	1 : $0.28000 Cinta cortada (CT) 3,000 : $0.05678 Cinta y rollo (TR)	SIPMOS®	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	Canal P	MOSFET (óxido de metal)	60 V	170mA (Ta)	4.5V, 10V	8Ohm a 170mA, 10V	2V a 20µA	1.5 nC @ 10 V	±20V	19 pF @ 25 V	-	360mW (Ta)	-55°C ~ 150°C (TJ)	Uso automotriz	AEC-Q101	Montaje en superficie	PG-SOT23	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
BSS84W-7-F MOSFET P-CH 50V 130MA SOT323 Diodes Incorporated	52,041 En stock	1 : $0.28000 Cinta cortada (CT) 3,000 : $0.05816 Cinta y rollo (TR)	-	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	Canal P	MOSFET (óxido de metal)	50 V	130mA (Ta)	5V	10Ohm a 100mA, 5V	2V a 1mA	-	±20V	45 pF @ 25 V	-	200mW (Ta)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montaje en superficie	SOT-323	SC-70, SOT-323
PMF170XP,115 MOSFET P-CH 20V 1A SOT323 Nexperia USA Inc.	16,283 En stock	1 : $0.28000 Cinta cortada (CT) 3,000 : $0.05807 Cinta y rollo (TR)	-	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	Canal P	MOSFET (óxido de metal)	20 V	1A (Ta)	4.5V	200mOhm a 1A, 4.5V	1.15V a 250µA	3.9 nC @ 4.5 V	±12V	280 pF @ 10 V	-	290mW (Ta), 1.67W (Tc)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montaje en superficie	SOT-323	SC-70, SOT-323
BSS84LT1G MOSFET P-CH 50V 130MA SOT23-3 onsemi	24,091 En stock	1 : $0.31000 Cinta cortada (CT) 3,000 : $0.05919 Cinta y rollo (TR)	-	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	Canal P	MOSFET (óxido de metal)	50 V	130mA (Ta)	5V	10Ohm a 100mA, 5V	2V a 250µA	-	±20V	30 pF @ 5 V	-	225mW (Ta)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montaje en superficie	SOT-23-3 (TO-236)	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
DMG2301L-7 MOSFET P-CH 20V 3A SOT23 Diodes Incorporated	16,094 En stock	1 : $0.31000 Cinta cortada (CT) 3,000 : $0.06530 Cinta y rollo (TR)	-	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	Canal P	MOSFET (óxido de metal)	20 V	3A (Ta)	2.5V, 4.5V	120mOhm a 2.8A, 4.5V	1.2V a 250µA	5.5 nC @ 4.5 V	±8V	476 pF @ 10 V	-	1.5W (Ta)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montaje en superficie	SOT-23-3	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
DMP2004K-7 MOSFET P-CH 20V 600MA SOT23-3 Diodes Incorporated	511,346 En stock	1 : $0.34000 Cinta cortada (CT) 3,000 : $0.07061 Cinta y rollo (TR)	-	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	Canal P	MOSFET (óxido de metal)	20 V	600mA (Ta)	1.8V, 4.5V	900mOhm a 430mA, 4.5V	1V a 250µA	-	±8V	175 pF @ 16 V	-	550mW (Ta)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montaje en superficie	SOT-23-3	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
RZM002P02T2L MOSFET P-CH 20V 200MA VMT3 Rohm Semiconductor	77,136 En stock	1 : $0.34000 Cinta cortada (CT) 8,000 : $0.06132 Cinta y rollo (TR)	-	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	Canal P	MOSFET (óxido de metal)	20 V	200mA (Ta)	1.2V, 4.5V	1.2Ohm a 200mA, 4.5V	1V a 100µA	1.4 nC @ 4.5 V	±10V	115 pF @ 10 V	-	150mW (Ta)	150°C (TJ)	-	-	Montaje en superficie	VMT3	SOT-723
NX2301P,215 MOSFET P-CH 20V 2A TO236AB Nexperia USA Inc.	13,592 En stock	1 : $0.35000 Cinta cortada (CT) 3,000 : $0.07254 Cinta y rollo (TR)	TrenchMOS™	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	No para diseños nuevos	Canal P	MOSFET (óxido de metal)	20 V	2A (Ta)	2.5V, 4.5V	120mOhm a 1A, 4.5V	1.1V a 250µA	6 nC @ 4.5 V	±8V	380 pF @ 6 V	-	400mW (Ta), 2.8W (Tc)	150°C (TJ)	Uso automotriz	AEC-Q101	Montaje en superficie	TO-236AB	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
BSS84 MOSFET P-CH 50V 130MA SOT23-3 onsemi	114,951 En stock	1 : $0.37000 Cinta cortada (CT) 3,000 : $0.07408 Cinta y rollo (TR)	-	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	Canal P	MOSFET (óxido de metal)	50 V	130mA (Ta)	4.5V, 10V	8Ohm a 150mA, 10V	2V a 250µA	1.3 nC @ 5 V	±20V	73 pF @ 25 V	-	225mW (Ta)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montaje en superficie	SOT-23-3 (TO-236)	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
PJA3441_R1_00001 SOT-23, MOSFET Panjit International Inc.	17,859 En stock	1 : $0.37000 Cinta cortada (CT) 3,000 : $0.07712 Cinta y rollo (TR)	-	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	Canal P	MOSFET (óxido de metal)	40 V	3.1A (Ta)	4.5V, 10V	88mOhm a 3.1A, 10V	2.5V a 250µA	6 nC @ 4.5 V	±20V	505 pF @ 20 V	-	1.25W (Ta)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montaje en superficie	SOT-23	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
SSM3J372R,LF MOSFET P-CH 30V 6A SOT23F Toshiba Semiconductor and Storage	4,717 En stock	1 : $0.39000 Cinta cortada (CT) 3,000 : $0.08301 Cinta y rollo (TR)	U-MOSVI	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	Canal P	MOSFET (óxido de metal)	30 V	6A (Ta)	1.8V, 10V	42mOhm a 5A, 10V	1.2V a 1mA	8.2 nC @ 4.5 V	+12V, -6V	560 pF @ 15 V	-	1W (Ta)	150°C	-	-	Montaje en superficie	SOT-23F	SOT-23-3 conductores planos
SSM3J56MFV,L3F MOSFET P-CH 20V 800MA VESM Toshiba Semiconductor and Storage	190,370 En stock	1 : $0.40000 Cinta cortada (CT) 8,000 : $0.07351 Cinta y rollo (TR)	U-MOSVI	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	Canal P	MOSFET (óxido de metal)	20 V	800mA (Ta)	1.2V, 4.5V	390mOhm a 800mA, 4.5V	-	-	±8V	100 pF @ 10 V	-	150mW (Ta)	150°C (TJ)	-	-	Montaje en superficie	VESM	SOT-723
SSM3J332R,LF MOSFET P-CH 30V 6A SOT23F Toshiba Semiconductor and Storage	29,059 En stock	1 : $0.40000 Cinta cortada (CT) 3,000 : $0.08470 Cinta y rollo (TR)	U-MOSVI	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	Canal P	MOSFET (óxido de metal)	30 V	6A (Ta)	1.8V, 10V	42mOhm a 5A, 10V	1.2V a 1mA	8.2 nC @ 4.5 V	±12V	560 pF @ 15 V	-	1W (Ta)	150°C (TJ)	-	-	Montaje en superficie	SOT-23F	SOT-23-3 conductores planos
BSS314PEH6327XTSA1 MOSFET P-CH 30V 1.5A SOT23-3 Infineon Technologies	11,485 En stock	1 : $0.40000 Cinta cortada (CT) 3,000 : $0.08470 Cinta y rollo (TR)	OptiMOS™	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	Canal P	MOSFET (óxido de metal)	30 V	1.5A (Ta)	4.5V, 10V	140mOhm a 1.5A, 10V	2V a 6.3µA	2.9 nC @ 10 V	±20V	294 pF @ 15 V	-	500mW (Ta)	-55°C ~ 150°C (TJ)	Uso automotriz	AEC-Q101	Montaje en superficie	PG-SOT23	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
NTS4173PT1G MOSFET P-CH 30V 1.2A SC70-3 onsemi	5,996 En stock	1 : $0.41000 Cinta cortada (CT) 3,000 : $0.08167 Cinta y rollo (TR)	-	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	Canal P	MOSFET (óxido de metal)	30 V	1.2 A (Ta)	2.5V, 10V	150mOhm a 1.2A, 10V	1.5V a 250µA	10.1 nC @ 10 V	±12V	430 pF @ 15 V	-	290mW (Ta)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montaje en superficie	SC-70-3 (SOT323)	SC-70, SOT-323
DMP2045U-7 MOSFET P-CH 20V 4.3A SOT23 Diodes Incorporated	1,113 En stock	1 : $0.41000 Cinta cortada (CT) 3,000 : $0.08805 Cinta y rollo (TR)	-	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	Canal P	MOSFET (óxido de metal)	20 V	4.3A (Ta)	1.8V, 4.5V	45mOhm a 4A, 4.5V	1V a 250µA	6.8 nC @ 4.5 V	±8V	634 pF @ 10 V	-	800mW (Ta)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montaje en superficie	SOT-23-3	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
DMP3068L-7 MOSFET P-CH 30V 3.3A SOT23 Diodes Incorporated	4,156 En stock	1 : $0.42000 Cinta cortada (CT) 3,000 : $0.08939 Cinta y rollo (TR)	-	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	Canal P	MOSFET (óxido de metal)	30 V	3.3A (Ta)	1.8V, 10V	72mOhm a 4.2A, 10V	1.3V a 250µA	15.9 nC @ 10 V	±12V	708 pF @ 15 V	-	700mW (Ta)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montaje en superficie	SOT-23-3	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
BSS83PH6327XTSA1 MOSFET P-CH 60V 330MA SOT23-3 Infineon Technologies	30,992 En stock	1 : $0.43000 Cinta cortada (CT) 3,000 : $0.09228 Cinta y rollo (TR)	SIPMOS®	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	Canal P	MOSFET (óxido de metal)	60 V	330mA (Ta)	4.5V, 10V	2Ohm a 330mA, 10V	2V a 80µA	3.57 nC @ 10 V	±20V	78 pF @ 25 V	-	360mW (Ta)	-55°C ~ 150°C (TJ)	Uso automotriz	AEC-Q101	Montaje en superficie	PG-SOT23	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
DMP21D0UT-7 MOSFET P-CH 20V 590MA SOT523 Diodes Incorporated	47,989 En stock	1 : $0.44000 Cinta cortada (CT) 3,000 : $0.09469 Cinta y rollo (TR)	-	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	Canal P	MOSFET (óxido de metal)	20 V	590mA (Ta)	1.8V, 4.5V	495mOhm a 400mA, 4.5V	700mV a 250µA (típico)	1.54 nC @ 8 V	±8V	80 pF @ 10 V	-	240mW (Ta)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montaje en superficie	SOT-523	SOT-523
AO3403 MOSFET P-CH 30V 2.6A SOT23-3L Alpha & Omega Semiconductor Inc.	3,777 En stock	1 : $0.44000 Cinta cortada (CT) 3,000 : $0.09469 Cinta y rollo (TR)	-	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	No para diseños nuevos	Canal P	MOSFET (óxido de metal)	30 V	2.6A (Ta)	2.5V, 10V	115mOhm a 2.6A, 10V	1.4V a 250µA	7.2 nC @ 10 V	±12V	315 pF @ 15 V	-	1.4W (Ta)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montaje en superficie	SOT-23-3	3-SMD, SOT-23-3 variante
SSM3J328R,LF MOSFET P-CH 20V 6A SOT23F Toshiba Semiconductor and Storage	280,225 En stock	1 : $0.45000 Cinta cortada (CT) 3,000 : $0.09156 Cinta y rollo (TR)	U-MOSVI	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	Canal P	MOSFET (óxido de metal)	20 V	6A (Ta)	1.5V, 4.5V	29.8mOhm a 3A, 4.5V	1V a 1mA	12.8 nC @ 4.5 V	±8V	840 pF @ 10 V	-	1W (Ta)	150°C (TJ)	-	-	Montaje en superficie	SOT-23F	SOT-23-3 conductores planos
CSD25481F4 MOSFET P-CH 20V 2.5A 3PICOSTAR Texas Instruments	137,494 En stock	1 : $0.45000 Cinta cortada (CT) 3,000 : $0.09797 Cinta y rollo (TR)	NexFET™	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	Canal P	MOSFET (óxido de metal)	20 V	2.5A (Ta)	1.8V, 4.5V	88mOhm a 500mA, 8V	1.2V a 250µA	0.913 nC @ 4.5 V	-12V	189 pF @ 10 V	-	500mW (Ta)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montaje en superficie	3-PICOSTAR (1x0.60)	3-XFDFN
NTR4101PT1G MOSFET P-CH 20V 1.8A SOT23-3 onsemi	127,623 En stock	1 : $0.45000 Cinta cortada (CT) 3,000 : $0.09202 Cinta y rollo (TR)	-	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	Canal P	MOSFET (óxido de metal)	20 V	1.8A (Ta)	1.8V, 4.5V	85mOhm a 1.6A, 4.5V	1.2V a 250µA	8.5 nC @ 4.5 V	±8V	675 pF @ 10 V	-	420mW (Ta)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montaje en superficie	SOT-23-3 (TO-236)	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

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de 6,764

FET y MOSFET simples

Los transistores de efecto de campo simple (FET) y los transistores de efecto de campo semiconductores de óxido metálico (MOSFET) son tipos de transistores utilizados para amplificar o conmutar señales electrónicas.

Un FET simple funciona controlando el flujo de corriente eléctrica entre los terminales de fuente y drenaje a través de un campo eléctrico generado por una tensión aplicada al terminal de la puerta de enlace. La principal ventaja de los FET es su elevada impedancia de entrada, que los hace ideales para su uso en amplificación de señales y circuitos analógicos. Se utilizan ampliamente en aplicaciones como amplificadores, osciladores y etapas de búfer en circuitos electrónicos.

Los MOSFET, un subtipo de FET, tienen un terminal de puerta de enlace aislado del canal por una fina capa de óxido, lo que mejora su rendimiento y los hace muy eficientes. Los MOSFET pueden clasificarse a su vez en dos tipos:

MOSFET de canal n: donde los electrones son los portadores primarios.
MOSFET de canal p: donde los orificios son los portadores primarios.

Los MOSFET son preferidos en muchas aplicaciones debido a su bajo consumo de energía, conmutación de alta velocidad y capacidad para manejar grandes corrientes y voltajes. Son cruciales en circuitos digitales y analógicos, como fuentes de alimentación, controladores de motores y aplicaciones de radiofrecuencia.

El funcionamiento de los MOSFET puede dividirse en dos modos:

Modo de mejora: En este modo, el MOSFET está normalmente apagado cuando la tensión puerta de enlace-fuente es cero. Requiere una tensión positiva en la fuente de la puerta de enlace (para el canal n) o una tensión negativa en la fuente de la puerta de enlace (para el canal p) para encenderse.
Modo de agotamiento: En este modo, el MOSFET está normalmente encendido cuando la tensión puerta de enlace-fuente es cero. La aplicación de un voltaje de puerta de enlace-fuente de polaridad opuesta puede apagarlo.

Los MOSFET ofrecen varias ventajas, como:

Alta eficiencia: Consumen muy poca energía y pueden cambiar de estado rápidamente, lo que los hace muy eficientes para aplicaciones de gestión de energía.
Baja resistencia al encendido: Tienen baja resistencia al encenderse, lo que minimiza la pérdida de potencia y la generación de calor.
Alta impedancia de entrada: La estructura de puerta aislada da como resultado una impedancia de entrada extremadamente alta, lo que los hace ideales para la amplificación de señales de alta impedancia.

En resumen, los FET simples, en particular los MOSFET, son componentes fundamentales de la electrónica moderna, conocidos por su eficacia, velocidad y versatilidad en una amplia gama de aplicaciones, desde la amplificación de señales de baja potencia hasta la conmutación y el control de alta potencia.

FET y MOSFET simples

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