Name: IRF9Z34NSTRLPBF
Brand: Infineon Technologies
SKU: IRF9Z34NSTRLPBFTR-ND
Price: 1.84 USD
Availability: InStock

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IRF9Z34NSTRLPBF
N.º de producto de DigiKey	IRF9Z34NSTRLPBFTR-ND - Cinta y rollo (TR) IRF9Z34NSTRLPBFCT-ND - Cinta cortada (CT) IRF9Z34NSTRLPBFDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	Infineon Technologies
Número de pieza del fabricante	IRF9Z34NSTRLPBF
Descripción	MOSFET P-CH 55V 19A D2PAK
Plazo estándar del fabricante	26 semanas
Referencia del cliente
Descripción detallada	Canal P Montaje en superficie 55 V 19A (Tc) 3.8W (Ta), 68W (Tc) D2PAK
Hoja de datos	Hoja de datos
Modelos EDA/CAD	IRF9Z34NSTRLPBF Modelos

Atributos del producto

Tipo	Descripción	Seleccionar todo
Categoría	Productos de semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET FET simple, MOSFET
Fabricante	Infineon Technologies
Serie	HEXFET®
Embalaje	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®
Estado de pieza	Activo
Tipo FET	Canal P
Tecnología	MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	55 V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC	19A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)	10V
Rds On (máx) @ Id, Vgs	100mOhm a 10A, 10V
Vgs(th) (máx) a Id	4V a 250µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs	35 nC @ 10 V
Vgs (máx.)	±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds	620 pF @ 25 V
Característica de FET	-
Disipación de potencia (Máx.)	3.8W (Ta), 68W (Tc)
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 175°C (TJ)
Grado	-
Calificación	-
Tipo de montaje	Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor	D2PAK
Paquete / Caja (carcasa)	TO-263-3, D2PAK (2 conductores + pestaña), TO-263AB
Número de producto base	IRF9Z34