Name: IRF9Z34NSTRLPBF
Brand: Infineon Technologies
SKU: IRF9Z34NSTRLPBFTR-ND
Price: 2.99 USD
Availability: InStock

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IRF9Z34NSTRLPBF
N.º de producto de DigiKey	IRF9Z34NSTRLPBFTR-ND - Cinta y rollo (TR) IRF9Z34NSTRLPBFCT-ND - Cinta cortada (CT) IRF9Z34NSTRLPBFDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	Infineon Technologies
Número de pieza del fabricante	IRF9Z34NSTRLPBF
Descripción	MOSFET P-CH 55V 19A D2PAK
Plazo estándar del fabricante	48 semanas
Referencia del cliente
Descripción detallada	Canal P Montaje en superficie 55 V 19A (Tc) 3.8W (Ta), 68W (Tc) D2PAK
Hoja de datos	Hoja de datos
Modelos EDA/CAD	IRF9Z34NSTRLPBF Modelos

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Categoría Productos de semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET FET simple, MOSFET	Vgs(th) (máx) a Id 4V a 250µA
Fabricante Infineon Technologies	Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 35 nC @ 10 V
Serie HEXFET®	Vgs (máx.) ±20V
Embalaje Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 620 pF @ 25 V
Estado de pieza Activo	Disipación de potencia (Máx.) 3.8W (Ta), 68W (Tc)
Tipo FET Canal P	Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 175°C (TJ)
Tecnología MOSFET (óxido de metal)	Tipo de montaje Montaje en superficie
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 55 V	Paquete del dispositivo del proveedor D2PAK
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC 19A (Tc)	Paquete / Caja (carcasa) TO-263-3, D2PAK (2 conductores + pestaña), TO-263AB
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 10V	Número de producto base IRF9Z34
Rds On (máx) @ Id, Vgs 100mOhm a 10A, 10V