Name: DMP56D0UFB-7B
Brand: Diodes Incorporated
SKU: DMP56D0UFB-7BDITR-ND
Price: 0.51 USD
Availability: InStock

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DMP56D0UFB-7B
N.º de producto de DigiKey	DMP56D0UFB-7BDITR-ND - Cinta y rollo (TR) DMP56D0UFB-7BDICT-ND - Cinta cortada (CT) DMP56D0UFB-7BDIDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	Diodes Incorporated
Número de pieza del fabricante	DMP56D0UFB-7B
Descripción	MOSFET P-CH 50V 200MA 3DFN
Plazo estándar del fabricante	24 semanas
Referencia del cliente
Descripción detallada	Canal P Montaje en superficie 50 V 200mA (Ta) 425mW (Ta) X1-DFN1006-3
Hoja de datos	Hoja de datos

Atributos del producto

Tipo	Descripción	Seleccionar todo
Categoría	Productos de semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET FET simple, MOSFET
Fabricante	Diodes Incorporated
Serie	-
Embalaje	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®
Estado de pieza	Activo
Tipo FET	Canal P
Tecnología	MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	50 V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC	200mA (Ta)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)	2.5V, 4V
Rds On (máx) @ Id, Vgs	6Ohm a 100mA, 4V
Vgs(th) (máx) a Id	1.2V a 250µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs	0.58 nC @ 4 V
Vgs (máx.)	±8V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds	50.54 pF @ 25 V
Característica de FET	-
Disipación de potencia (Máx.)	425mW (Ta)
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Grado	-
Calificación	-
Tipo de montaje	Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor	X1-DFN1006-3
Paquete / Caja (carcasa)	3-UFDFN
Número de producto base	DMP56