Diodes Incorporated FET simple, MOSFET

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Demostración
de 2,867
Número de parte del fabricante
Cantidad disponible
Precio
Serie
Paquete
Estado del producto
Tipo FET
Tecnología
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)
Rds On (máx) @ Id, Vgs
Vgs(th) (máx) a Id
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs
Vgs (máx.)
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds
Característica de FET
Disipación de potencia (Máx.)
Temperatura de funcionamiento
Grado
Calificación
Tipo de montaje
Paquete del dispositivo del proveedor
Paquete / Caja (carcasa)
SOT-23-3
MOSFET N-CH 60V 115MA SOT23-3
Diodes Incorporated
423,252
En stock
1 : $0.14000
Cinta cortada (CT)
3,000 : $0.02550
Cinta y rollo (TR)
-
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
60 V
115mA (Ta)
5V, 10V
7.5Ohm a 50mA, 5V
2.5V a 250µA
-
±20V
50 pF @ 25 V
-
370mW (Ta)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
SOT-23-3
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
SOT-23-3
MOSFET P-CH 20V 4.2A SOT23
Diodes Incorporated
90,025
En stock
1 : $0.14000
Cinta cortada (CT)
3,000 : $0.04935
Cinta y rollo (TR)
-
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
Canal P
MOSFET (óxido de metal)
20 V
4.2A (Ta)
1.8V, 4.5V
52mOhm a 4.2A, 4.5V
900mV a 250µA
10.2 nC @ 4.5 V
±8V
808 pF @ 15 V
-
1.4W (Ta)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
SOT-23-3
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
SOT-23-3
MOSFET N-CH 50V 200MA SOT23-3
Diodes Incorporated
499,580
En stock
1 : $0.15000
Cinta cortada (CT)
3,000 : $0.02958
Cinta y rollo (TR)
-
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
50 V
200mA (Ta)
10V
3.5Ohm a 220mA, 10V
1.5V a 250µA
-
±20V
50 pF @ 10 V
-
300mW (Ta)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
SOT-23-3
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
SOT-23-3
MOSFET N-CH 60V 380MA SOT23-3
Diodes Incorporated
214,379
En stock
1 : $0.17000
Cinta cortada (CT)
3,000 : $0.03060
Cinta y rollo (TR)
-
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
60 V
380mA (Ta)
5V, 10V
2Ohm a 500mA, 10V
2.5V a 1mA
0.3 nC @ 4.5 V
±20V
50 pF @ 25 V
-
370mW (Ta)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
SOT-23-3
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
SOT-23-3
MOSFET P-CH 20V 4.3A SOT23
Diodes Incorporated
56,495
En stock
1 : $0.17000
Cinta cortada (CT)
3,000 : $0.07983
Cinta y rollo (TR)
-
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
Canal P
MOSFET (óxido de metal)
20 V
4.3A (Ta)
1.8V, 4.5V
45mOhm a 4A, 4.5V
1V a 250µA
6.8 nC @ 4.5 V
±8V
634 pF @ 10 V
-
800mW (Ta)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
SOT-23-3
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
SOT-23-3
MOSFET P-CH 50V 130MA SOT23-3
Diodes Incorporated
73,596
En stock
4,455,000
Fábrica
1 : $0.18000
Cinta cortada (CT)
3,000 : $0.03780
Cinta y rollo (TR)
-
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
Canal P
MOSFET (óxido de metal)
50 V
130mA (Ta)
5V
10Ohm a 100mA, 5V
2V a 1mA
-
±20V
45 pF @ 25 V
-
300mW (Ta)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
SOT-23-3
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
SOT-323
MOSFET N-CH 50V 200MA SOT323
Diodes Incorporated
155,987
En stock
1 : $0.19000
Cinta cortada (CT)
3,000 : $0.03468
Cinta y rollo (TR)
-
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
50 V
200mA (Ta)
10V
3.5Ohm a 220mA, 10V
1.5V a 250µA
-
±20V
50 pF @ 10 V
-
200mW (Ta)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
SOT-323
SC-70, SOT-323
SOT-23-3
MOSFET N-CH 20V 2.8A SOT23 T&R 3
Diodes Incorporated
40,094
En stock
1 : $0.19000
Cinta cortada (CT)
3,000 : $0.16954
Cinta y rollo (TR)
-
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
20 V
2.8A (Ta)
2.5V, 4.5V
90mOhm a 3.6A, 4.5V
1V a 250µA
2.8 nC @ 10 V
±12V
130 pF @ 10 V
-
660mW (Ta)
-55°C ~ 150°C (TJ)
Uso automotriz
AEC-Q101
Montaje en superficie
SOT-23-3
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
SOT-23-3
MOSFET N-CH 20V 2.8A SOT23
Diodes Incorporated
3,623
En stock
1 : $0.20000
Cinta cortada (CT)
3,000 : $0.04794
Cinta y rollo (TR)
-
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
20 V
2.8A (Ta)
2.5V, 4.5V
90mOhm a 3.6A, 4.5V
1V a 250µA
2.8 nC @ 10 V
±12V
130 pF @ 10 V
-
660mW (Ta)
-55°C ~ 150°C (TJ)
Uso automotriz
AEC-Q101
Montaje en superficie
SOT-23-3
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
SOT-23-3
MOSFET N-CH 30V 1.4A SOT23-3
Diodes Incorporated
68,094
En stock
1 : $0.21000
Cinta cortada (CT)
3,000 : $0.15300
Cinta y rollo (TR)
-
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
30 V
1.4A (Ta)
4.5V, 10V
220mOhm a 910mA, 10V
1V a 250µA
4.1 nC @ 10 V
±20V
150 pF @ 25 V
-
625mW (Ta)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
SOT-23-3
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
SOT-523
MOSFET P-CH 20V 460MA SOT523
Diodes Incorporated
40,118
En stock
1 : $0.21000
Cinta cortada (CT)
3,000 : $0.03150
Cinta y rollo (TR)
-
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
Canal P
MOSFET (óxido de metal)
20 V
460mA (Ta)
1.8V, 4.5V
700mOhm a 350mA, 4.5V
1V a 250µA
0.622 nC @ 4.5 V
±6V
59.76 pF @ 16 V
-
270mW (Ta)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
SOT-523
SOT-523
SOT-23-3
MOSFET N-CH 60V 1.6A SOT23
Diodes Incorporated
2,801
En stock
1 : $0.21000
Cinta cortada (CT)
10,000 : $0.05304
Cinta y rollo (TR)
-
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
60 V
1.6A (Ta)
4.5V, 10V
140mOhm a 1.8A, 10V
3V a 250µA
8.6 nC @ 10 V
±20V
315 pF @ 40 V
-
700mW (Ta)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
SOT-23-3
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
SOT-323
MOSFET N-CH 20V 1A SOT323
Diodes Incorporated
136,750
En stock
1 : $0.22000
Cinta cortada (CT)
3,000 : $0.04488
Cinta y rollo (TR)
-
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
20 V
1A (Ta)
1.8V, 4.5V
450mOhm a 600mA, 4.5V
1V a 250µA
0.74 nC @ 4.5 V
±6V
60.67 pF @ 16 V
-
290mW (Ta)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
SOT-323
SC-70, SOT-323
SOT-23-3
MOSFET N-CH 100V 170MA SOT23-3
Diodes Incorporated
124,497
En stock
1 : $0.22000
Cinta cortada (CT)
3,000 : $0.03570
Cinta y rollo (TR)
-
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
100 V
170mA (Ta)
10V
6Ohm a 170mA, 10V
2V a 1mA
-
±20V
60 pF @ 25 V
-
300mW (Ta)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
SOT-23-3
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
SOT-23-3
MOSFET N-CH 30V 4A SOT23
Diodes Incorporated
730,419
En stock
1 : $0.23000
Cinta cortada (CT)
3,000 : $0.07548
Cinta y rollo (TR)
-
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
30 V
4A (Ta)
2.5V, 10V
52mOhm a 4A, 10V
1.4V a 250µA
11.7 nC @ 10 V
±12V
464 pF @ 15 V
-
1.4W (Ta)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
SOT-23-3
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
SOT-23-3
MOSFET N-CH 60V 2A SOT23
Diodes Incorporated
44,753
En stock
1 : $0.23000
Cinta cortada (CT)
3,000 : $0.05202
Cinta y rollo (TR)
-
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
60 V
2A (Ta)
4.5V, 10V
85mOhm a 3.2A, 10V
3V a 250µA
12.3 nC @ 10 V
±20V
606 pF @ 20 V
-
800mW (Ta)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
SOT-23-3
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
SOT-323
MOSFET P-CH 50V 130MA SOT323
Diodes Incorporated
106,202
En stock
2,640,000
Fábrica
1 : $0.24000
Cinta cortada (CT)
3,000 : $0.06405
Cinta y rollo (TR)
-
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
Canal P
MOSFET (óxido de metal)
50 V
130mA (Ta)
5V
10Ohm a 100mA, 5V
2V a 1mA
-
±20V
45 pF @ 25 V
-
200mW (Ta)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
SOT-323
SC-70, SOT-323
SOT-523
MOSFET N-CH 20V 630MA SOT-523
Diodes Incorporated
396,590
En stock
1 : $0.25000
Cinta cortada (CT)
3,000 : $0.20640
Cinta y rollo (TR)
-
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
20 V
630mA (Ta)
1.8V, 4.5V
400mOhm a 600mA, 4.5V
1V a 250µA
0.74 nC @ 4.5 V
±6V
60.67 pF @ 16 V
-
280mW (Ta)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
SOT-523
SOT-523
SOT-23-3
MOSFET P-CH 20V 3A SOT23
Diodes Incorporated
65,864
En stock
1 : $0.25000
Cinta cortada (CT)
3,000 : $0.04182
Cinta y rollo (TR)
-
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
Canal P
MOSFET (óxido de metal)
20 V
3A (Ta)
2.5V, 4.5V
120mOhm a 2.8A, 4.5V
1.2V a 250µA
5.5 nC @ 4.5 V
±8V
476 pF @ 10 V
-
1.5W (Ta)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
SOT-23-3
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
SOT-523
MOSFET P-CH 20V 590MA SOT523
Diodes Incorporated
15,150
En stock
333,000
Fábrica
1 : $0.27000
Cinta cortada (CT)
3,000 : $0.08295
Cinta y rollo (TR)
-
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
Canal P
MOSFET (óxido de metal)
20 V
590mA (Ta)
1.8V, 4.5V
495mOhm a 400mA, 4.5V
700mV a 250µA (típico)
1.54 nC @ 8 V
±8V
80 pF @ 10 V
-
240mW (Ta)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
SOT-523
SOT-523
SOT-23-3
MOSFET P-CH 20V 4.2A SOT23
Diodes Incorporated
7,870
En stock
1 : $0.27000
Cinta cortada (CT)
10,000 : $0.04725
Cinta y rollo (TR)
-
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
Canal P
MOSFET (óxido de metal)
20 V
4.2A (Ta)
1.8V, 4.5V
52mOhm a 4.2A, 4.5V
900mV a 250µA
10.2 nC @ 4.5 V
±8V
808 pF @ 15 V
-
1.4W (Ta)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
SOT-23-3
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
SOT-23-3
MOSFET N-CH 30V 5.8A SOT23-3
Diodes Incorporated
141,386
En stock
1 : $0.28000
Cinta cortada (CT)
3,000 : $0.06528
Cinta y rollo (TR)
-
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
30 V
5.8A (Ta)
3V, 10V
28mOhm a 5.8A, 10V
2V a 250µA
9.2 nC @ 10 V
±20V
386 pF @ 15 V
-
720mW (Ta)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
SOT-23-3
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
SOT-323
MOSFET N-CH 60V 115MA SOT323
Diodes Incorporated
81,798
En stock
1 : $0.28000
Cinta cortada (CT)
3,000 : $0.04284
Cinta y rollo (TR)
-
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
60 V
115mA (Ta)
5V, 10V
7.5Ohm a 50mA, 5V
2V a 250µA
-
±20V
50 pF @ 25 V
-
200mW (Ta)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
SOT-323
SC-70, SOT-323
SOT-23-3
MOSFET P-CH 20V 600MA SOT23-3
Diodes Incorporated
707,794
En stock
1 : $0.29000
Cinta cortada (CT)
3,000 : $0.04830
Cinta y rollo (TR)
-
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
Canal P
MOSFET (óxido de metal)
20 V
600mA (Ta)
1.8V, 4.5V
900mOhm a 430mA, 4.5V
1V a 250µA
-
±8V
175 pF @ 16 V
-
550mW (Ta)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
SOT-23-3
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
SOT-23-3
MOSFET P-CH 30V 3.8A SOT23
Diodes Incorporated
188,477
En stock
1 : $0.29000
Cinta cortada (CT)
3,000 : $0.04725
Cinta y rollo (TR)
-
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
Canal P
MOSFET (óxido de metal)
30 V
3.8A (Ta)
4.5V, 10V
65mOhm a 3.8A, 10V
2.1V a 250µA
5.2 nC @ 4.5 V
±20V
563 pF @ 25 V
-
1.08W (Ta)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
SOT-23-3
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Demostración
de 2,867

FET y MOSFET simples


Los transistores de efecto de campo simple (FET) y los transistores de efecto de campo semiconductores de óxido metálico (MOSFET) son tipos de transistores utilizados para amplificar o conmutar señales electrónicas.

Un FET simple funciona controlando el flujo de corriente eléctrica entre los terminales de fuente y drenaje a través de un campo eléctrico generado por una tensión aplicada al terminal de la puerta de enlace. La principal ventaja de los FET es su elevada impedancia de entrada, que los hace ideales para su uso en amplificación de señales y circuitos analógicos. Se utilizan ampliamente en aplicaciones como amplificadores, osciladores y etapas de búfer en circuitos electrónicos.

Los MOSFET, un subtipo de FET, tienen un terminal de puerta de enlace aislado del canal por una fina capa de óxido, lo que mejora su rendimiento y los hace muy eficientes. Los MOSFET pueden clasificarse a su vez en dos tipos:

Los MOSFET son preferidos en muchas aplicaciones debido a su bajo consumo de energía, conmutación de alta velocidad y capacidad para manejar grandes corrientes y voltajes. Son cruciales en circuitos digitales y analógicos, como fuentes de alimentación, controladores de motores y aplicaciones de radiofrecuencia.

El funcionamiento de los MOSFET puede dividirse en dos modos:

  • Modo de mejora: En este modo, el MOSFET está normalmente apagado cuando la tensión puerta de enlace-fuente es cero. Requiere una tensión positiva en la fuente de la puerta de enlace (para el canal n) o una tensión negativa en la fuente de la puerta de enlace (para el canal p) para encenderse.
  • Modo de agotamiento: En este modo, el MOSFET está normalmente encendido cuando la tensión puerta de enlace-fuente es cero. La aplicación de un voltaje de puerta de enlace-fuente de polaridad opuesta puede apagarlo.

Los MOSFET ofrecen varias ventajas, como:

  1. Alta eficiencia: Consumen muy poca energía y pueden cambiar de estado rápidamente, lo que los hace muy eficientes para aplicaciones de gestión de energía.
  2. Baja resistencia al encendido: Tienen baja resistencia al encenderse, lo que minimiza la pérdida de potencia y la generación de calor.
  3. Alta impedancia de entrada: La estructura de puerta aislada da como resultado una impedancia de entrada extremadamente alta, lo que los hace ideales para la amplificación de señales de alta impedancia.

En resumen, los FET simples, en particular los MOSFET, son componentes fundamentales de la electrónica moderna, conocidos por su eficacia, velocidad y versatilidad en una amplia gama de aplicaciones, desde la amplificación de señales de baja potencia hasta la conmutación y el control de alta potencia.