3-UFDFN FET simple, MOSFET

Demostración

de 46

Número de parte del fabricante	Cantidad disponible	Precio	Serie	Paquete	Estado del producto	Tipo FET	Tecnología	Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC	Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)	Rds On (máx) @ Id, Vgs	Vgs(th) (máx) a Id	Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs	Vgs (máx.)	Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds	Característica de FET	Disipación de potencia (Máx.)	Temperatura de funcionamiento	Grado	Calificación	Tipo de montaje	Paquete del dispositivo del proveedor	Paquete / Caja (carcasa)
DMN62D1LFB-7B MOSFET N-CH 60V 320MA 3DFN Diodes Incorporated	89,144 En stock	1 : $0.35000 Cinta cortada (CT) 10,000 : $0.05406 Cinta y rollo (TR)	-	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	60 V	320mA (Ta)	1.5V, 4V	2Ohm a 100mA, 4V	1V a 250µA	0.9 nC @ 4.5 V	±20V	64 pF @ 25 V	-	500mW (Ta)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montaje en superficie	X1-DFN1006-3	3-UFDFN
DMN65D8LFB-7B MOSFET N-CH 60V 260MA 3DFN Diodes Incorporated	317,688 En stock	1 : $0.13000 Cinta cortada (CT) 10,000 : $0.03672 Cinta y rollo (TR)	-	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	60 V	260mA (Ta)	5V, 10V	3Ohm a 115mA, 10V	2V a 250µA	-	±20V	25 pF @ 25 V	-	430mW (Ta)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montaje en superficie	X1-DFN1006-3	3-UFDFN
DMN2600UFB-7 MOSFET N-CH 25V 1.3A 3DFN Diodes Incorporated	7,339 En stock 99,000 Fábrica	1 : $0.16000 Cinta cortada (CT) 3,000 : $0.03876 Cinta y rollo (TR)	-	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	25 V	1.3A (Ta)	1.8V, 4.5V	350mOhm a 200mA, 4.5V	1V a 250µA	0.85 nC @ 4.5 V	±8V	70.13 pF @ 15 V	-	540mW (Ta)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montaje en superficie	X1-DFN1006-3	3-UFDFN
DMN2250UFB-7B MOSFET N-CH 20V 1.35A 3DFN Diodes Incorporated	17,770 En stock 30,000 Fábrica	1 : $0.25000 Cinta cortada (CT) 10,000 : $0.05100 Cinta y rollo (TR)	-	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	20 V	1.35A (Ta)	1.8V, 4.5V	170mOhm a 1A, 4.5V	1V a 250µA	3.1 nC @ 10 V	±8V	94 pF @ 16 V	-	500mW (Ta)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montaje en superficie	X1-DFN1006-3	3-UFDFN
DMN65D8LFB-7 MOSFET N-CH 60V 260MA 3DFN Diodes Incorporated	24,242 En stock 69,000 Fábrica	1 : $0.26000 Cinta cortada (CT) 3,000 : $0.04284 Cinta y rollo (TR)	-	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	60 V	260mA (Ta)	5V, 10V	3Ohm a 115mA, 10V	2V a 250µA	-	±20V	25 pF @ 25 V	-	430mW (Ta)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montaje en superficie	X1-DFN1006-3	3-UFDFN
DMP68D0LFB-7B MOSFET BVDSS: 61V~100V X2-DFN100 Diodes Incorporated	6,599 En stock 30,000 Fábrica	1 : $0.29000 Cinta cortada (CT) 10,000 : $0.04620 Cinta y rollo (TR)	-	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	Canal P	MOSFET (óxido de metal)	65 V	192mA (Ta)	2.5V, 5V	8Ohm a 100mA, 5V	2.1V a 250µA	4.1 nC @ 5 V	±20V	36 pF @ 30 V	-	500mW	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montaje en superficie	X1-DFN1006-3	3-UFDFN
DMN62D1SFB-7B MOSFET N-CH 60V 410MA 3DFN Diodes Incorporated	42,819 En stock 19,160,000 Fábrica	1 : $0.31000 Cinta cortada (CT) 10,000 : $0.07242 Cinta y rollo (TR)	-	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	No para diseños nuevos	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	60 V	410mA (Ta)	4.5V, 10V	1.4Ohm a 40mA, 10V	2.3V a 250µA	2.8 nC @ 10 V	±20V	80 pF @ 40 V	-	470mW (Ta)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montaje en superficie	X1-DFN1006-3	3-UFDFN
DMP32D4SFB-7B MOSFET P-CH 30V 400MA 3DFN Diodes Incorporated	6,702 En stock	1 : $0.36000 Cinta cortada (CT) 10,000 : $0.06270 Cinta y rollo (TR)	-	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	Canal P	MOSFET (óxido de metal)	30 V	400mA (Ta)	2.5V, 10V	2.4Ohm a 200mA, 10V	2.3V a 250µA	1.3 nC @ 10 V	±20V	51 pF @ 15 V	-	500mW (Ta)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montaje en superficie	X1-DFN1006-3	3-UFDFN
DMN21D2UFB-7B MOSFET N-CH 20V 760MA 3DFN Diodes Incorporated	18,042 En stock	1 : $0.37000 Cinta cortada (CT) 10,000 : $0.06732 Cinta y rollo (TR)	-	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	20 V	760mA (Ta)	1.5V, 4.5V	990mOhm a 100mA, 4.5V	1V a 250µA	0.93 nC @ 10 V	±12V	27.6 pF @ 16 V	-	380mW (Ta)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montaje en superficie	X1-DFN1006-3	3-UFDFN
DMN1150UFB-7B MOSFET N-CH 12V 1.41A 3DFN Diodes Incorporated	15,180 En stock	1 : $0.37000 Cinta cortada (CT) 10,000 : $0.06387 Cinta y rollo (TR)	-	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	12 V	1.41A (Ta)	1.8V, 4.5V	150mOhm a 1A, 4.5V	1V a 250µA	1.5 nC @ 4.5 V	±6V	106 pF @ 10 V	-	500mW (Ta)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montaje en superficie	X1-DFN1006-3	3-UFDFN
DMP21D0UFB-7B MOSFET BVDSS: 8V~24V X1-DFN1006- Diodes Incorporated	36,114 En stock 110,000 Fábrica	1 : $0.40000 Cinta cortada (CT) 10,000 : $0.08820 Cinta y rollo (TR)	-	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	Canal P	MOSFET (óxido de metal)	20 V	770mA (Ta)	1.8V, 4.5V	495mOhm a 400mA, 4.5V	1V a 250µA	1.5 nC @ 8 V	±8V	76.5 pF @ 10 V	-	430mW (Ta)	-55°C ~ 150°C (TJ)	Uso automotriz	AEC-Q101	Montaje en superficie	X1-DFN1006-3	3-UFDFN
DMN62D0LFB-7 MOSFET N-CH 60V 100MA 3DFN Diodes Incorporated	172,554 En stock	1 : $0.45000 Cinta cortada (CT) 3,000 : $0.08362 Cinta y rollo (TR)	-	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	60 V	100mA (Ta)	1.5V, 4V	2Ohm a 100mA, 4V	1V a 250µA	0.45 nC @ 4.5 V	±20V	32 pF @ 25 V	-	470mW (Ta)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montaje en superficie	X1-DFN1006-3	3-UFDFN
DMP32D5SFB-7B MOSFET P-CH 30V 400MA 3DFN Diodes Incorporated	13,754 En stock 750,000 Fábrica	1 : $0.45000 Cinta cortada (CT) 10,000 : $0.08090 Cinta y rollo (TR)	-	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	Canal P	MOSFET (óxido de metal)	30 V	400mA (Ta)	4.5V, 10V	2.4Ohm a 200mA, 10V	2.3V a 250µA	4 nC @ 10 V	±25V	100 pF @ 15 V	-	500mW (Ta)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montaje en superficie	X1-DFN1006-3	3-UFDFN
DMN3730UFB-7 MOSFET N-CH 30V 750MA 3DFN Diodes Incorporated	1,449 En stock	1 : $0.57000 Cinta cortada (CT) 3,000 : $0.17738 Cinta y rollo (TR)	-	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	30 V	750mA (Ta)	1.8V, 4.5V	460mOhm a 200mA, 4.5V	950mV a 250µA	1.6 nC @ 4.5 V	±8V	64.3 pF @ 25 V	-	470mW (Ta)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montaje en superficie	X1-DFN1006-3	3-UFDFN
DMP2900UFB-7B MOSFET BVDSS: 8V~24V X1-DFN1006- Diodes Incorporated	18,138 En stock 100,000 Fábrica	1 : $0.23000 Cinta cortada (CT) 10,000 : $0.03366 Cinta y rollo (TR)	-	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	Canal P	MOSFET (óxido de metal)	20 V	990mA (Ta)	1.8V, 4.5V	750mOhm a 430mA, 4.5V	1V a 250µA	0.7 nC @ 4.5 V	±6V	49 pF @ 16 V	-	550mW (Ta)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montaje en superficie	X1-DFN1006-3	3-UFDFN
DMN2990UFB-7B MOSFET N-CH 20V 780MA 3DFN Diodes Incorporated	8,944 En stock 2,070,000 Fábrica	1 : $0.28000 Cinta cortada (CT) 10,000 : $0.03978 Cinta y rollo (TR)	-	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	20 V	780mA (Ta)	1.8V, 4.5V	990mOhm a 100mA, 4.5V	1V a 250A	0.41 nC @ 4.5 V	±8V	31 pF @ 15 V	-	520mW (Ta)	-55°C ~ 150°C (TJ)	Uso automotriz	AEC-Q101	Montaje en superficie	X1-DFN1006-3	3-UFDFN
DMP56D0UFB-7B MOSFET P-CH 50V 200MA 3DFN Diodes Incorporated	10,000 En stock	1 : $0.41000 Cinta cortada (CT) 10,000 : $0.08085 Cinta y rollo (TR)	-	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	Canal P	MOSFET (óxido de metal)	50 V	200mA (Ta)	2.5V, 4V	6Ohm a 100mA, 4V	1.2V a 250µA	0.58 nC @ 4 V	±8V	50.54 pF @ 25 V	-	425mW (Ta)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montaje en superficie	X1-DFN1006-3	3-UFDFN
DMN2005LPK-7 MOSFET N-CH 20V 440MA 3DFN Diodes Incorporated	38,834 En stock	1 : $0.42000 Cinta cortada (CT) 3,000 : $0.08568 Cinta y rollo (TR)	-	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	20 V	440mA (Ta)	1.5V, 4V	1.5Ohm a 10mA, 4V	1.2V a 100µA	-	±10V	-	-	450mW (Ta)	-65°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montaje en superficie	X1-DFN1006-3	3-UFDFN
DMP56D0UFB-7 MOSFET P-CH 50V 200MA 3DFN Diodes Incorporated	5,159 En stock 54,000 Fábrica	1 : $0.43000 Cinta cortada (CT) 3,000 : $0.09765 Cinta y rollo (TR)	-	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	Canal P	MOSFET (óxido de metal)	50 V	200mA (Ta)	2.5V, 4V	6Ohm a 100mA, 4V	1.2V a 250µA	0.58 nC @ 4 V	±8V	50.54 pF @ 25 V	-	425mW (Ta)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montaje en superficie	X1-DFN1006-3	3-UFDFN
PJQ1916_R1_00201 20V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M Panjit International Inc.	8,134 En stock	1 : $0.44000 Cinta cortada (CT) 10,000 : $0.06370 Cinta y rollo (TR)	-	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	20 V	950mA (Ta)	1.2V, 4.5V	300mOhm a 500mA, 4.5V	1V a 250µA	1.1 nC @ 4.5 V	±8V	46 pF @ 10 V	-	500mW (Ta)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montaje en superficie	DFN1006-3	3-UFDFN
DMP68D1LFB-7B DIODE Diodes Incorporated	5,670 En stock	1 : $0.10000 Granel	-	Granel	Activo	Canal P	MOSFET (óxido de metal)	65 V	215mA (Ta)	2.5V, 5V	8Ohm a 100mA, 5V	2.1V a 250µA	0.6 nC @ 5 V	±20V	42 pF @ 30 V	-	700mW	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montaje en superficie	X1-DFN1006-3	3-UFDFN
DMN62D4LFB-7B MOSFET BVDSS: 41V~60V X2-DFN1006 Diodes Incorporated	9,927 En stock 160,000 Fábrica	1 : $0.27000 Cinta cortada (CT) 10,000 : $0.03918 Cinta y rollo (TR)	-	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	60 V	407mA (Ta)	5V, 10V	2Ohm a 500mA, 10V	2.5V a 250µA	1.1 nC @ 10 V	±20V	40 pF @ 30 V	-	500mW	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montaje en superficie	X1-DFN1006-3	3-UFDFN
DMN2710UFBQ-7 MOSFET BVDSS: 8V~24V X1-DFN1006- Diodes Incorporated	3,000 En stock	3,000 : $0.07604 Cinta y rollo (TR)	-	Cinta y rollo (TR) - -	Activo	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	20 V	1.3A (Ta)	1.8V, 4.5V	450mOhm a 600mA, 4.5V	1V a 250µA	0.6 nC @ 4.5 V	±6V	42 pF @ 16 V	-	720mW (Ta)	-55°C ~ 150°C (TJ)	Uso automotriz	AEC-Q101	Montaje en superficie	X1-DFN1006-3	3-UFDFN
DMN62D0LFB-7B MOSFET N-CH 60V 100MA 3-DFN Diodes Incorporated	7,920 En stock 90,000 Fábrica	1 : $0.40000 Cinta cortada (CT) 10,000 : $0.07650 Cinta y rollo (TR)	-	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	60 V	100mA (Ta)	1.5V, 4V	2Ohm a 100mA, 4V	1V a 250µA	0.45 nC @ 4.5 V	±20V	32 pF @ 25 V	-	470mW (Ta)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montaje en superficie	X1-DFN1006-3	3-UFDFN
DMN2400UFB-7 MOSFET N-CH 20V 750MA 3DFN Diodes Incorporated	936 En stock	1 : $0.31000 Cinta cortada (CT) 3,000 : $0.05814 Cinta y rollo (TR)	-	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	20 V	750mA (Ta)	1.8V, 4.5V	550mOhm a 600mA, 4.5V	900mV a 250µA	0.5 nC @ 4.5 V	±12V	36 pF @ 16 V	-	470mW (Ta)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montaje en superficie	X1-DFN1006-3	3-UFDFN

Demostración

de 46

FET y MOSFET simples

Los transistores de efecto de campo simple (FET) y los transistores de efecto de campo semiconductores de óxido metálico (MOSFET) son tipos de transistores utilizados para amplificar o conmutar señales electrónicas.

Un FET simple funciona controlando el flujo de corriente eléctrica entre los terminales de fuente y drenaje a través de un campo eléctrico generado por una tensión aplicada al terminal de la puerta de enlace. La principal ventaja de los FET es su elevada impedancia de entrada, que los hace ideales para su uso en amplificación de señales y circuitos analógicos. Se utilizan ampliamente en aplicaciones como amplificadores, osciladores y etapas de búfer en circuitos electrónicos.

Los MOSFET, un subtipo de FET, tienen un terminal de puerta de enlace aislado del canal por una fina capa de óxido, lo que mejora su rendimiento y los hace muy eficientes. Los MOSFET pueden clasificarse a su vez en dos tipos:

MOSFET de canal n: donde los electrones son los portadores primarios.
MOSFET de canal p: donde los orificios son los portadores primarios.

Los MOSFET son preferidos en muchas aplicaciones debido a su bajo consumo de energía, conmutación de alta velocidad y capacidad para manejar grandes corrientes y voltajes. Son cruciales en circuitos digitales y analógicos, como fuentes de alimentación, controladores de motores y aplicaciones de radiofrecuencia.

El funcionamiento de los MOSFET puede dividirse en dos modos:

Modo de mejora: En este modo, el MOSFET está normalmente apagado cuando la tensión puerta de enlace-fuente es cero. Requiere una tensión positiva en la fuente de la puerta de enlace (para el canal n) o una tensión negativa en la fuente de la puerta de enlace (para el canal p) para encenderse.
Modo de agotamiento: En este modo, el MOSFET está normalmente encendido cuando la tensión puerta de enlace-fuente es cero. La aplicación de un voltaje de puerta de enlace-fuente de polaridad opuesta puede apagarlo.

Los MOSFET ofrecen varias ventajas, como:

Alta eficiencia: Consumen muy poca energía y pueden cambiar de estado rápidamente, lo que los hace muy eficientes para aplicaciones de gestión de energía.
Baja resistencia al encendido: Tienen baja resistencia al encenderse, lo que minimiza la pérdida de potencia y la generación de calor.
Alta impedancia de entrada: La estructura de puerta aislada da como resultado una impedancia de entrada extremadamente alta, lo que los hace ideales para la amplificación de señales de alta impedancia.

En resumen, los FET simples, en particular los MOSFET, son componentes fundamentales de la electrónica moderna, conocidos por su eficacia, velocidad y versatilidad en una amplia gama de aplicaciones, desde la amplificación de señales de baja potencia hasta la conmutación y el control de alta potencia.

FET y MOSFET simples

Información

AYUDA

CONTÁCTENOS

SÍGANOS