Diodos y transistores de alto rendimiento

Nexperia ofrece una amplia gama de diodos y transistores de alto rendimiento diseñados para diversas aplicaciones automotrices e industriales. Esta descripción general incluye componentes como el 1PS10SB82,315, un diodo Schottky con un voltaje inverso máximo de 15 V y una corriente directa de 30 mA encapsulado en un paquete DFN1006-2. Los modelos 2PA1774QM, 315, 2PA1774QMB, 315 y 2PA1774RM, 315 son transistores PNP con una corriente de colector máxima de 100 mA y un voltaje colector-emisor de 40 V, alojados en paquetes SOT883. Los modelos 2PC4617QM,315, 2PC4617QMB,315 y 2PC4617RMB,315 son transistores NPN con especificaciones similares, pero con un voltaje colector-emisor de 50 V. Los modelos BAS116LYL, BAS116LSYL y BAS116LS-QYL son diodos de baja fuga con un voltaje inverso de 75 V y una corriente directa de 325 mA, disponibles en paquetes DFN1006-2 y DFN1006BD-2.

Estos componentes están diseñados para proporcionar un rendimiento confiable en entornos exigentes, cumpliendo con los estándares AEC-Q101 para aplicaciones automotrices. Ofrecen baja corriente de fuga, alta velocidad de conmutación y embalaje compacto, lo que los hace adecuados para aplicaciones de alta densidad. La amplia gama de componentes disponibles garantiza que los diseñadores puedan encontrar la solución adecuada para sus necesidades específicas, ya sea para regulación de voltaje, conmutación de señal o gestión de potencia.