Tecnología IGBT de parada de campo

ON Semiconductor presenta la tecnología IGBT de parada de campo (FS) que permite a los diseñadores a desarrollar sistemas altamente confiables con un voltaje más alto mientras que ofrece un rendimiento óptimo donde la conducción baja y las pérdidas de conmutación son esenciales. Los IGBT ofrecen alta manipulación de capacidad de corriente, coeficiente de temperatura positivo, distribución ajustada de parámetros y un área amplia de funcionamiento seguro. El voltaje de avería mayor mejora la fiabilidad donde existan temperaturas negativas. A medida que la temperatura disminuye, el voltaje de bloqueo IGBT y FRD también disminuye lo que hace que los dispositivos sean especialmente beneficiosos para inversores solares PV utilizados en climas más fríos. Debido a que una cuidadosa selección de IGBT y diodos de rueda libre son esenciales para la eficacia máxima,los IGBT de ON Semiconductor proporcionan recuperación rápida y suave que reduce la disipación de energía y consigue bajas pérdidas de apagado y encendido.

La tecnología FS de ON Semiconductor logra alto rendimiento sin sacrificar fiabilidad o robustez y está comprometida con el continuo avance en el rendimiento de IGBT. Nuestro desarrollo de tecnología de cuarta generación permite características de excelente equilibrio y robustez dinámica de cierre más fuerte que cualquier otro IGBT de FS.

Libro blanco - Resultados de rendimiento y análisis detallados