FGA30N120FTDTU onsemi | Productos de semiconductores discretos

FGA30N120FTDTU es obsoleto y ya no se fabrica.

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Precio por unidad : $11.92887

Imagen solo a efectos ilustrativos. Para obtener especificaciones exactas, visite la hoja de datos del producto.

FGA30N120FTDTU
N.º de producto de DigiKey	FGA30N120FTDTU-ND
Fabricante	onsemi
Número de pieza del fabricante	FGA30N120FTDTU
Descripción	IGBT TRENCH FS 1200V 60A TO-3PN
Referencia del cliente
Descripción detallada	IGBT Parada de campo de trinchera 1200 V 60 A 339 W Orificio pasante TO-3PN
Hoja de datos	Hoja de datos

Atributos del producto

Tipo	Descripción	Seleccionar todo
Categoría	Productos de semiconductores discretos Transistores IGBT IGBT simple
Fabricante	onsemi
Serie	-
Embalaje	Tubo
Estado de pieza	Obsoleto
Tipo IGBT	Parada de campo de trinchera
Voltaje - Ruptura de emisor colector (Máx.)	1200 V
Corriente - Colector (Ic) (Máx.)	60 A
Corriente - colector impulsado (Icm)	90 A
Vce (encendido) (máx.) a Vge, Ic	2V a 15V, 30A
Potencia - Máx.	339 W
Energía de conmutación	-
Tipo de entrada	Estándar
Carga de compuerta	208 nC
Td (encendido/apagado) a 25ºC	-
Condiciones de prueba	-
Tiempo de recuperación inversa (trr)	730 ns
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje	Orificio pasante
Paquete / Caja (carcasa)	TO-3P-3, SC-65-3
Paquete del dispositivo del proveedor	TO-3PN
Número de producto base	FGA30N120