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Toshiba automotive ESD protection diodes absorb static electricity, prevent circuit malfunctions, and safeguard devices across various voltage ranges.
Transistores de grado automotriz
Fecha de publicación: 2025-10-23
Toshiba ofrece una amplia gama de transistores bipolares prepolarizados de grado automotriz y transistores estándar.
CI de controladores de motor de grado automotriz
Fecha de publicación: 2025-10-16
Los CI de controladores de motor de grado automotriz de Toshiba son adecuados para soluciones como el funcionamiento silencioso del motor debido a su uso de corriente de onda sinusoidal.
Los LDO de uso general de las series TCR3LM, TCR3DM y TCR3EM de Toshiba ofrecen una amplia gama de opciones de rendimiento para una gran variedad de aplicaciones móviles.
Dispositivos de potencia inteligentes de grado automotriz
Fecha de publicación: 2025-10-13
Los dispositivos de potencia inteligentes de grado automotriz de Toshiba cuentan con una bomba de carga incorporada y pueden ser accionados directamente desde un microprocesador.
Los MOSFET de bajo voltaje UMOS11 de Toshiba están diseñados para convertidores de CC/CC y unidades de motor, fuentes de alimentación de servidores y otras aplicaciones de fuentes de alimentación conmutadas.
Los MOSFET DTMOS-VI de 600 V/650 V de Toshiba utilizan un potente proceso de superunión con un diodo de cuerpo robusto para mejorar la eficiencia en aplicaciones de conmutación críticas.
MOSFET de carburo de silicio de tercera generación de 650 V y 1,200 V
Actualizado: 2025-08-06
La tecnología SiC de 650 V y 1,200 V de Toshiba es ideal para aplicaciones de fuentes de alimentación de alta eficiencia.
Optoacoplador controlador de puerta TLP5814H
Fecha de publicación: 2025-04-11
Los optoacopladores de controlador de compuerta TLP5814H de Toshiba son adecuados para controlar SiC, MOSFET e IGBT y proporcionan una alta protección de aislamiento.
Solución de inversor de motor de CA sin escobillas de 400 V
Actualizado: 2025-09-26
La solución de inversores de motor de CA sin escobillas de 400 V de Toshiba utilizan MOSFET de SiC de última generación para ofrecer una mayor eficiencia que los dispositivos IGBT a altos voltajes.
DigiKey, will highlight the latest power solutions from leading suppliers at APEC 2025, March 16-20, in Atlanta.
MOSFET de potencia de baja tensión
Fecha de publicación: 2025-02-25
Los MOSFET LVMOS de Toshiba utilizan los últimos procesos UMOS y se presentan en una gran variedad de voltajes y encapsulados para adaptarse a las aplicaciones que requieren una corriente más alta.
CI de impulsores de motor de CC con escobillas
Actualizado: 2025-04-07
Toshiba ofrece CI de impulsores de motor de CC de bajo costo con escobillas como forma rentable de controlar el movimiento en una amplia gama de productos, incluidos electrodomésticos y aparatos de oficina.
Updated
CI de controlador e impulsor de motor
Actualizado: 2025-10-22
Los cuatro tipos de controladores de motor y los CI del impulsor de Toshiba utilizan los procesos BiCMOS y BiCD para ayudarles a alcanzar un bajo consumo de energía y una alta potencia.
Controladores de motor sin escobillas
Actualizado: 2025-02-07
Las 19 soluciones de control de motores de CC sin escobillas de Toshiba incluyen controladores sin escobillas, controladores flexibles con controladores de puerta y controladores totalmente integrados llave en mano.
CI de impulsor de motor paso a paso
Actualizado: 2025-02-03
Los CI del impulsor del motor de paso a paso de Toshiba tienen la capacidad para generar más energía sin aumentar el peso del motor.
Fotorrelés de uso automotriz de 900 V TLX9152M y TLX9150M
Fecha de publicación: 2025-01-20
Los fotorrelés TLX9152M y TLX9150M de 900 V de Toshiba pueden manejar una corriente de estado encendido de hasta 50 mA con una resistencia máxima de estado encendido de 250 Ω.
Toshiba Power Solutions
Fecha de publicación: 2024-09-25
Desde MOSFET con velocidades de conmutación excepcionales y baja resistencia a la conexión, hasta aisladores ultracompactos que protegen circuitos sensibles y controladores de puerta inteligentes que alimentan motores de alto rendimiento, la exclusiva cartera de semiconductores de potencia de Toshiba es fundamental para los diseños de potencia modernos.
Diodos de barrera schottky TRSxxx65H
Fecha de publicación: 2024-08-23
Los diodos de barrera Schottky (SBD) de carburo de silicio (SiC) de la serie TRSxxx65H de Toshiba están diseñados para equipos industriales.
Interruptores de bus TDS4A212MX/TDS4B212MX
Fecha de publicación: 2024-08-23
Los interruptores multiplexor/de-multiplexor TDS4A212MX/TDS4B212MX de Toshiba admiten señales diferenciales de alta velocidad como PCIe® 5.0 y USB4®.
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