Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation

MOSFET de potencia DTMOS-VI de 600 V y 650 V

Los MOSFET de superunión DTMOS-VI de Toshiba están diseñados para aplicaciones de conmutación

Imagen de los MOSFET de potencia DTMOS-VI de 600 V y 650 V de Toshiba El último proceso DTMOS-VI de Toshiba ofrece MOSFET de 600 V y 650 V mediante la utilización de un potente proceso de superunión con un diodo de cuerpo robusto o más rápido para mejorar la eficiencia en aplicaciones de conmutación críticas, como fuentes de alimentación, centros de datos e inversores solares.

Estos productos, que emplean el proceso DTMOS-VI (HSD), utilizan diodos de cuerpo de alta velocidad para mejorar las características de recuperación inversa, que son cruciales para las aplicaciones de circuito de puente y circuito del inversor. En comparación con el proceso DTMOS-VI estándar, consiguen una reducción de 65 % en el tiempo de recuperación inversa (trr) y una reducción de 88 % en la carga de recuperación inversa (Qrr) (condiciones de medición: -dIDR/dt=100 A/μs).

Ambos procesos DTMOS-VI están disponibles en una gran variedad de paquetes, incluidos los estándar TO-220 y TO-247 con orificio pasante, así como opciones de montaje en superficie como TOLL o DFN8x8.

Características
  • La resistencia en estado encendido más baja de la familia es de 0.024 Ω (máx.) (VGS=10 V)
  • Baja RDS(ON) x Qgd (resistencia en estado encendido de la fuente de drenaje x carga de drenaje de la compuerta)
  • Alta eficiencia en fuentes de alimentación de modo conmutado
  • Voltaje de umbral ajustado para un funcionamiento fiable
  • El diodo de alta velocidad incorporado ofrece una pérdida de recuperación inversa mejorada
Aplicaciones
  • Equipos industriales
  • Fuentes de alimentación conmutadas (servidores de centros de datos, equipos de comunicaciones, etc.)
  • Estaciones de carga para vehículos eléctricos
  • Acondicionadores de potencia para generadores fotovoltaicos
  • Sistemas de alimentación ininterrumpida
Diagrama (Haga clic para ampliar)

Imagen de la comparación de la resistencia de encendido de la fuente de drenaje y la carga de drenaje de la compuerta

DTMOS-VI 600 V and 650 V Power MOSFETs

ImagenNúmero de pieza del fabricanteDescripciónVoltaje de drenaje a fuente (Vdss)Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºCCantidad disponiblePrecioVer detalles
N-CH MOSFET, 600 V, 0.155 @10V,TK155U60Z1,RQN-CH MOSFET, 600 V, 0.155 @10V,600 V17A (Ta)4000 - Inmediata$3.46Ver detalles
N-CH MOSFET, 600 V, 0.125 @10V,TK125U60Z1,RQN-CH MOSFET, 600 V, 0.125 @10V,600 V20A (Ta)4000 - Inmediata$3.83Ver detalles
N-CH MOSFET, 600 V, 0.099 @10V,TK099U60Z1,RQN-CH MOSFET, 600 V, 0.099 @10V,600 V25A (Ta)4000 - Inmediata$4.42Ver detalles
N-CH MOSFET, 600 V, 0.08 @10V, TTK080U60Z1,RQN-CH MOSFET, 600 V, 0.08 @10V, T600 V30 A (Ta)4000 - Inmediata$5.06Ver detalles
N-CH MOSFET, 650 V, 0.115 @10V,TK115U65Z5,RQN-CH MOSFET, 650 V, 0.115 @10V,650 V24A (Ta)4000 - Inmediata$6.19Ver detalles
N-CH MOSFET, 650 V, 0.095 @10V,TK095U65Z5,RQN-CH MOSFET, 650 V, 0.095 @10V,650 V29A (Ta)4000 - Inmediata$7.01Ver detalles
N-CH MOSFET 600V 0.024OHM 10VTK024N60Z1,S1FN-CH MOSFET 600V 0.024OHM 10V600 V80A (Ta)104 - Inmediata$15.33Ver detalles
DTMOS VI TOLL PD=270W F=1MHZTK065U65Z,RQDTMOS VI TOLL PD=270W F=1MHZ650 V38A (Ta)1676 - Inmediata$8.88Ver detalles
DTMOS VI TOLL PD=190W F=1MHZTK110U65Z,RQDTMOS VI TOLL PD=190W F=1MHZ650 V24A (Ta)5932 - Inmediata$6.37Ver detalles
MOSFET N-CH 650V 24A 5DFNTK125V65Z,LQMOSFET N-CH 650V 24A 5DFN650 V24A (Ta)9890 - Inmediata$6.75Ver detalles
MOSFET N-CH 650V 30A 5DFNTK099V65Z,LQMOSFET N-CH 650V 30A 5DFN650 V30 A (Ta)4730 - Inmediata$7.38Ver detalles
DTMOS VI TOLL PD=230W F=1MHZTK090U65Z,RQDTMOS VI TOLL PD=230W F=1MHZ650 V30 A (Ta)0 - Inmediata$7.37Ver detalles
DTMOS VI TOLL PD=130W F=1MHZTK190U65Z,RQDTMOS VI TOLL PD=130W F=1MHZ650 V15 A (Ta)1008 - Inmediata$4.60Ver detalles
MOSFET N-CH 650V 18A 5DFNTK170V65Z,LQMOSFET N-CH 650V 18A 5DFN650 V18A (Ta)4938 - Inmediata$5.45Ver detalles
MOSFET N-CH 650V 15A 5DFNTK210V65Z,LQMOSFET N-CH 650V 15A 5DFN650 V15 A (Ta)4616 - Inmediata$4.93Ver detalles
650V DTMOS6-HIGH SPEED DIODETK095N65Z5,S1F650V DTMOS6-HIGH SPEED DIODE650 V29A (Ta)195 - Inmediata$8.01Ver detalles
650V DTMOS6-HSD TO-247 68MOHMTK068N65Z5,S1F650V DTMOS6-HSD TO-247 68MOHM650 V37A (Ta)235 - Inmediata$10.30Ver detalles
650V DTMOS6 HSD 42MOHM TO-247TK042N65Z5,S1F650V DTMOS6 HSD 42MOHM TO-247650 V55A (Ta)3 - Inmediata$13.84Ver detalles
MOSFET N-CH 650V 38A TO247TK065N65Z,S1FMOSFET N-CH 650V 38A TO247650 V38A (Ta)33 - Inmediata$9.45Ver detalles
MOSFET N-CH 650V 24A TO220SISTK110A65Z,S4XMOSFET N-CH 650V 24A TO220SIS650 V24A (Ta)27 - Inmediata$5.87Ver detalles
Publicado: 2025-08-20

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