TK125N60Z1,S1F
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TK068N65Z5,S1F

N.º de producto de DigiKey
264-TK068N65Z5,S1F-ND
Fabricante
Toshiba Semiconductor and Storage
Número de pieza del fabricante
TK068N65Z5,S1F
Descripción
650V DTMOS6-HSD TO-247 68MOHM
Plazo estándar del fabricante
16 semanas
Referencia del cliente
Descripción detallada
Canal N Orificio pasante 650 V 37A (Ta) 270W (Tc) TO-247
Hoja de datos
 Hoja de datos
Atributos del producto
Tipo
Descripción
Seleccionar todo
Categoría
Fabricante
Toshiba Semiconductor and Storage
Serie
DTMOSVI
Embalaje
Tubo
Estado de pieza
Activo
Tipo FET
Canal N
Tecnología
MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
650 V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC
37A (Ta)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)
10V
Rds On (máx) @ Id, Vgs
68mOhm a 18.5A, 10V
Vgs(th) (máx) a Id
4.5V a 1.69mA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs
68 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±30V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds
3765 pF @ 300 V
Característica de FET
-
Disipación de potencia (Máx.)
270W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
150°C
Grado
-
Calificación
-
Tipo de montaje
Orificio pasante
Paquete del dispositivo del proveedor
TO-247
Paquete / Caja (carcasa)
TO-247-3
Preguntas y respuestas sobre el producto

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Cantidad
Todos los precios se expresan en USD
Tubo
Cantidad Precio por unidad Precio ext.
1$10.30000$10.30
30$6.12500$183.75
120$5.20908$625.09
510$4.97875$2,539.16
Paquete estándar del fabricante
Aviso: Debido a los servicios de valor añadido de DigiKey, el tipo de embalaje puede cambiar cuando el producto se adquiere en cantidades inferiores al embalaje estándar.