MOSFET DTMOS VI en paquete TOLL

Los MOSFET de Toshiba son ideales para cambiar aplicaciones de fuente de alimentación

Los MOSFET DTMOS VI de alto voltaje de Imagen de los MOSFET DTMOSVI de Toshiba en el paquete TOLLToshiba cuentan con una baja resistencia en estado encendido (RDS(ON)) de drenaje-fuente y propiedades de conmutación de alta velocidad con baja capacitancia. Esto los hace ideales para cambiar aplicaciones de suministro de energía. Este DTMOS VI de última generación ofrece la RDS(ON) x QGD con el más bajo coeficiente de calidad, y está alojado en el paquete TOLL con una conexión Kelvin Source para reducir las pérdidas de encendido y apagado.

Características
  • Reducción de costos
  • Amplia gama de resistencias en estado encendido y opciones de embalaje
  • (RDS(ON) x QGD) con el más bajo coeficiente de calidad ofrecida por DTMOS VI
  • Resistencia en estado encendido estable a temperaturas más altas
  • Libertad de elección y flexibilidad en paquetes y línea de RDS(ON)
  • DTMOS VI para la conmutación de mayor eficiencia en la fuente de alimentación
  • Generación de calor reducida
  • Menores costos de componentes pasivos
  • Permite una mayor densidad de potencia
Aplicaciones
  • Centros de datos, inversores fotovoltaicos y UPS
  • Fuentes de alimentación de modo conmutado
  • Iluminación
  • Control del factor de potencia
  • Electrónica industrial

DTMOSVI MOSFETs in TOLL Package

ImagenNúmero de pieza del fabricanteDescripciónCantidad disponiblePrecioVer detalles
DTMOS VI TOLL PD=190W F=1MHZTK110U65Z,RQDTMOS VI TOLL PD=190W F=1MHZ5932 - Inmediata$6.37Ver detalles
DTMOS VI TOLL PD=130W F=1MHZTK190U65Z,RQDTMOS VI TOLL PD=130W F=1MHZ974 - Inmediata$4.60Ver detalles
DTMOS VI TOLL PD=150W F=1MHZTK155U65Z,RQDTMOS VI TOLL PD=150W F=1MHZ0 - Inmediata$4.37Ver detalles
DTMOS VI TOLL PD=230W F=1MHZTK090U65Z,RQDTMOS VI TOLL PD=230W F=1MHZ0 - Inmediata$7.37Ver detalles
DTMOS VI TOLL PD=270W F=1MHZTK065U65Z,RQDTMOS VI TOLL PD=270W F=1MHZ1662 - Inmediata$8.88Ver detalles
Publicado: 2021-05-04