FET simple, MOSFET

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46,231Resultados

Demostración
de 46,231
Número de parte del fabricante
Cantidad disponible
Precio
Serie
Paquete
Estado del producto
Tipo FET
Tecnología
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)
Rds On (máx) @ Id, Vgs
Vgs(th) (máx) a Id
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs
Vgs (máx.)
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds
Característica de FET
Disipación de potencia (Máx.)
Temperatura de funcionamiento
Grado
Calificación
Tipo de montaje
Paquete del dispositivo del proveedor
Paquete / Caja (carcasa)
86,532
En stock
1 : $0.14000
Cinta cortada (CT)
3,000 : $0.02609
Cinta y rollo (TR)
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
60 V
200mA (Ta)
4.5V, 10V
3.9Ohm a 100mA, 10V
2.1V a 250µA
0.35 nC @ 4.5 V
±20V
17 pF @ 10 V
-
320mW (Ta)
150°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
SOT-23-3
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
31,988
En stock
1 : $0.15000
Cinta cortada (CT)
3,000 : $0.02806
Cinta y rollo (TR)
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
60 V
400mA (Ta)
4.5V, 10V
1.5Ohm a 100mA, 10V
2.1V a 250µA
0.6 nC @ 4.5 V
±20V
40 pF @ 10 V
-
320mW (Ta)
150°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
SOT-23-3
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
sot-23
MOSFET N-CH 60V 280MA SOT23-3
Diotec Semiconductor
4,620
En stock
1 : $0.15000
Cinta cortada (CT)
3,000 : $0.02993
Cinta y rollo (TR)
-
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
60 V
280mA (Ta)
5V, 10V
5Ohm a 500mA, 10V
2.5V a 250µA
-
±30V
50 pF @ 25 V
-
350mW (Ta)
150°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
SOT-23-3 (TO-236)
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
120,987
En stock
1 : $0.16000
Cinta cortada (CT)
3,000 : $0.03092
Cinta y rollo (TR)
-
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
60 V
115mA (Ta)
5V, 10V
7.5Ohm a 500mA, 10V
2.5V a 250µA
-
±20V
50 pF @ 25 V
-
1.08W
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
SOT-23
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
98,678
En stock
1 : $0.18000
Cinta cortada (CT)
3,000 : $0.03561
Cinta y rollo (TR)
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
60 V
300mA (Ta)
4.5V, 10V
1.5Ohm a 100mA, 10V
2.1V a 250µA
0.6 nC @ 4.5 V
±20V
40 pF @ 10 V
-
150mW (Ta)
150°C
-
-
Montaje en superficie
SSM
SC-75, SOT-416
SOT-23-3
MOSFET N-CH 60V 115MA SOT23-3
Diodes Incorporated
84,580
En stock
1 : $0.18000
Cinta cortada (CT)
3,000 : $0.03633
Cinta y rollo (TR)
-
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
60 V
115mA (Ta)
5V, 10V
7.5Ohm a 50mA, 5V
2.5V a 250µA
-
±20V
50 pF @ 25 V
-
370mW (Ta)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
SOT-23-3
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
71,248
En stock
1 : $0.18000
Cinta cortada (CT)
3,000 : $0.03481
Cinta y rollo (TR)
-
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
50 V
220mA (Tj)
4.5V, 10V
3.5Ohm a 220mA, 10V
1.5V a 1mA
-
±20V
60 pF @ 25 V
-
350mW
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
SOT-23
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
MMBT2222AWT1G
MOSFET N-CH 60V 310MA SC70-3
onsemi
110,187
En stock
1 : $0.19000
Cinta cortada (CT)
3,000 : $0.03803
Cinta y rollo (TR)
-
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
60 V
310mA (Ta)
4.5V, 10V
1.6Ohm a 500mA, 10V
2.5V a 250µA
0.7 nC @ 4.5 V
±20V
24.5 pF @ 20 V
-
280mW (Tj)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
SC-70-3 (SOT323)
SC-70, SOT-323
SOT-323
MOSFET P-CH 50V 150MA SOT323
Nexperia USA Inc.
2,010
En stock
1 : $0.19000
Cinta cortada (CT)
3,000 : $0.03709
Cinta y rollo (TR)
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
Canal P
MOSFET (óxido de metal)
50 V
150mA (Ta)
10V
7.5Ohm a 100mA, 10V
2.1V a 250µA
0.35 nC @ 5 V
±20V
36 pF @ 25 V
-
260mW (Ta), 830mW (Tc)
-55°C ~ 150°C (TJ)
Uso automotriz
AEC-Q101
Montaje en superficie
SOT-323
SC-70, SOT-323
SOT-323
MOSFET N-CH 30V 180MA SOT323
Nexperia USA Inc.
1,226
En stock
1 : $0.19000
Cinta cortada (CT)
3,000 : $0.03709
Cinta y rollo (TR)
-
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
30 V
180mA (Ta)
2.5V, 10V
4.5Ohm a 100mA, 10V
1.5V a 250µA
0.44 nC @ 4.5 V
±20V
13 pF @ 10 V
-
260mW (Ta), 1.1W (Tc)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
SOT-323
SC-70, SOT-323
DTC114YEBTL
MOSFET N-CH 20V 200MA EMT3F
Rohm Semiconductor
984,620
En stock
1 : $0.20000
Cinta cortada (CT)
3,000 : $0.04044
Cinta y rollo (TR)
-
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
20 V
200mA (Ta)
1.2V, 2.5V
1.2Ohm a 100mA, 2.5V
1V a 1mA
-
±8V
25 pF @ 10 V
-
150mW (Ta)
150°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
EMT3F (SOT-416FL)
SC-89, SOT-490
SOT 23-3
MOSFET N-CH 60V 320MA SOT23-3
onsemi
313,823
En stock
1 : $0.20000
Cinta cortada (CT)
3,000 : $0.03914
Cinta y rollo (TR)
-
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
60 V
320mA (Ta)
4.5V, 10V
1.6Ohm a 500mA, 10V
2.3V a 250µA
0.7 nC @ 4.5 V
±20V
24.5 pF @ 20 V
-
300mW (Ta)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
SOT-23-3 (TO-236)
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
SOT-323
MOSFET N-CH 60V 320MA SOT323
Nexperia USA Inc.
221,773
En stock
1 : $0.20000
Cinta cortada (CT)
3,000 : $0.04062
Cinta y rollo (TR)
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
60 V
320mA (Ta)
10V
1.6Ohm a 300mA, 10V
1.5V a 250µA
0.8 nC @ 4.5 V
±20V
50 pF @ 10 V
-
260mW (Ta), 830mW (Tc)
-55°C ~ 150°C (TA)
Uso automotriz
AEC-Q101
Montaje en superficie
SOT-323
SC-70, SOT-323
SOT-23-3
MOSFET N-CH 60V 180MA SOT23
Diodes Incorporated
111,605
En stock
1 : $0.20000
Cinta cortada (CT)
3,000 : $0.03851
Cinta y rollo (TR)
-
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
60 V
180mA (Ta)
5V, 10V
6Ohm a 115mA, 5V
2V a 250µA
-
±20V
23 pF @ 25 V
-
370mW (Ta)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
SOT-23-3
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
50,259
En stock
1 : $0.20000
Cinta cortada (CT)
3,000 : $0.03923
Cinta y rollo (TR)
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
20 V
200mA (Ta)
1.5V, 4.5V
2.2Ohm a 100mA, 4.5V
1V a 1mA
-
±10V
12 pF @ 10 V
-
100mW (Ta)
150°C (TA)
-
-
Montaje en superficie
SSM
SC-75, SOT-416
SOT-23-3
MOSFET P-CH 50V 130MA SOT23-3
Diodes Incorporated
284,856
En stock
1 : $0.21000
Cinta cortada (CT)
3,000 : $0.04300
Cinta y rollo (TR)
-
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
Canal P
MOSFET (óxido de metal)
50 V
130mA (Ta)
5V
10Ohm a 100mA, 5V
2V a 1mA
-
±20V
45 pF @ 25 V
-
300mW (Ta)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
SOT-23-3
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
SOT 23-3
MOSFET N-CH 60V 260MA SOT23-3
onsemi
216,542
En stock
1 : $0.21000
Cinta cortada (CT)
3,000 : $0.04172
Cinta y rollo (TR)
-
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
60 V
260mA (Ta)
4.5V, 10V
2.5Ohm a 240mA, 10V
2.5V a 250µA
0.81 nC @ 5 V
±20V
26.7 pF @ 25 V
-
300mW (Tj)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
SOT-23-3 (TO-236)
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
SOT-23-3
MOSFET N-CH 30V 350MA SOT23
Diodes Incorporated
43,646
En stock
1 : $0.21000
Cinta cortada (CT)
3,000 : $0.04083
Cinta y rollo (TR)
-
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
30 V
350mA (Ta)
2.5V, 10V
2.8Ohm a 250mA, 10V
1.5V a 250µA
0.9 nC @ 10 V
±20V
23.2 pF @ 25 V
-
350mW (Ta)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
SOT-23-3
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
8,601
En stock
1 : $0.21000
Cinta cortada (CT)
10,000 : $0.03388
Cinta y rollo (TR)
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
60 V
400mA (Ta)
4.5V, 10V
1.5Ohm a 100mA, 10V
2.1V a 250µA
0.6 nC @ 4.5 V
±20V
40 pF @ 10 V
-
500mW (Ta)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
CST3
SC-101, SOT-883
DTA124EUBHZGTL
MOSFET N-CH 50V 200MA UMT3F
Rohm Semiconductor
68,259
En stock
1 : $0.22000
Cinta cortada (CT)
3,000 : $0.04408
Cinta y rollo (TR)
-
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
50 V
200mA (Ta)
0.9V, 4.5V
2.2Ohm a 200mA, 4.5V
800mV a 1mA
-
±8V
26 pF @ 10 V
-
150mW (Ta)
150°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
UMT3F
SC-85
DTA023YMT2L
MOSFET P-CH 20V 100MA VMT3
Rohm Semiconductor
47,814
En stock
1 : $0.22000
Cinta cortada (CT)
8,000 : $0.03772
Cinta y rollo (TR)
-
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
Canal P
MOSFET (óxido de metal)
20 V
100mA (Ta)
1.2V, 4.5V
3.8Ohm a 100mA, 4.5V
1V a 100µA
-
±10V
15 pF @ 10 V
-
150mW (Ta)
150°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
VMT3
SOT-723
SOT 23-3
MOSFET N-CH 60V 115MA SOT23-3
onsemi
237,983
En stock
1 : $0.23000
Cinta cortada (CT)
3,000 : $0.04623
Cinta y rollo (TR)
-
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
60 V
115mA (Tc)
5V, 10V
7.5Ohm a 500mA, 10V
2.5V a 250µA
-
±20V
50 pF @ 25 V
-
225mW (Ta)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
SOT-23-3 (TO-236)
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
SOT-23-3
MOSFET N-CH 100V 170MA SOT23-3
Diodes Incorporated
228,168
En stock
1 : $0.23000
Cinta cortada (CT)
3,000 : $0.04450
Cinta y rollo (TR)
-
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
100 V
170mA (Ta)
10V
6Ohm a 170mA, 10V
2V a 1mA
-
±20V
60 pF @ 25 V
-
300mW (Ta)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
SOT-23-3
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
SOT-523
MOSFET N-CH 60V 115MA SOT-523
Diodes Incorporated
172,551
En stock
1 : $0.23000
Cinta cortada (CT)
3,000 : $0.04570
Cinta y rollo (TR)
-
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
60 V
115mA (Ta)
5V, 10V
7.5Ohm a 50mA, 5V
2V a 250µA
-
±20V
50 pF @ 25 V
-
150mW (Ta)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
SOT-523
SOT-523
130,191
En stock
1 : $0.23000
Cinta cortada (CT)
8,000 : $0.03963
Cinta y rollo (TR)
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
30 V
100mA (Ta)
2.5V, 4V
3.6Ohm a 10mA, 4V
1.5V a 100µA
-
±20V
13.5 pF @ 3 V
-
150mW (Ta)
150°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
VESM
SOT-723
Demostración
de 46,231

FET y MOSFET simples


Los transistores de efecto de campo simple (FET) y los transistores de efecto de campo semiconductores de óxido metálico (MOSFET) son tipos de transistores utilizados para amplificar o conmutar señales electrónicas.

Un FET simple funciona controlando el flujo de corriente eléctrica entre los terminales de fuente y drenaje a través de un campo eléctrico generado por una tensión aplicada al terminal de la puerta de enlace. La principal ventaja de los FET es su elevada impedancia de entrada, que los hace ideales para su uso en amplificación de señales y circuitos analógicos. Se utilizan ampliamente en aplicaciones como amplificadores, osciladores y etapas de búfer en circuitos electrónicos.

Los MOSFET, un subtipo de FET, tienen un terminal de puerta de enlace aislado del canal por una fina capa de óxido, lo que mejora su rendimiento y los hace muy eficientes. Los MOSFET pueden clasificarse a su vez en dos tipos:

Los MOSFET son preferidos en muchas aplicaciones debido a su bajo consumo de energía, conmutación de alta velocidad y capacidad para manejar grandes corrientes y voltajes. Son cruciales en circuitos digitales y analógicos, como fuentes de alimentación, controladores de motores y aplicaciones de radiofrecuencia.

El funcionamiento de los MOSFET puede dividirse en dos modos:

  • Modo de mejora: En este modo, el MOSFET está normalmente apagado cuando la tensión puerta de enlace-fuente es cero. Requiere una tensión positiva en la fuente de la puerta de enlace (para el canal n) o una tensión negativa en la fuente de la puerta de enlace (para el canal p) para encenderse.
  • Modo de agotamiento: En este modo, el MOSFET está normalmente encendido cuando la tensión puerta de enlace-fuente es cero. La aplicación de un voltaje de puerta de enlace-fuente de polaridad opuesta puede apagarlo.

Los MOSFET ofrecen varias ventajas, como:

  1. Alta eficiencia: Consumen muy poca energía y pueden cambiar de estado rápidamente, lo que los hace muy eficientes para aplicaciones de gestión de energía.
  2. Baja resistencia al encendido: Tienen baja resistencia al encenderse, lo que minimiza la pérdida de potencia y la generación de calor.
  3. Alta impedancia de entrada: La estructura de puerta aislada da como resultado una impedancia de entrada extremadamente alta, lo que los hace ideales para la amplificación de señales de alta impedancia.

En resumen, los FET simples, en particular los MOSFET, son componentes fundamentales de la electrónica moderna, conocidos por su eficacia, velocidad y versatilidad en una amplia gama de aplicaciones, desde la amplificación de señales de baja potencia hasta la conmutación y el control de alta potencia.