Name: SQM10250E_GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SQM10250E_GE3TR-ND
Price: 4.19 USD
Availability: InStock

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SQM10250E_GE3
N.º de producto de DigiKey	SQM10250E_GE3TR-ND - Cinta y rollo (TR) SQM10250E_GE3CT-ND - Cinta cortada (CT) SQM10250E_GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	Vishay Siliconix
Número de pieza del fabricante	SQM10250E_GE3
Descripción	MOSFET N-CH 250V 65A TO263
Plazo estándar del fabricante	32 semanas
Referencia del cliente
Descripción detallada	Canal N Montaje en superficie 250 V 65A (Tc) 375W (Tc) TO-263 (D2PAK)
Hoja de datos	Hoja de datos

Atributos del producto

Tipo	Descripción	Seleccionar todo
Categoría	Productos de semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET FET simple, MOSFET
Fabricante	Vishay Siliconix
Serie	TrenchFET®
Embalaje	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®
Estado de pieza	Activo
Tipo FET	Canal N
Tecnología	MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	250 V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC	65A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)	7.5V, 10V
Rds On (máx) @ Id, Vgs	30mOhm a 15A, 10V
Vgs(th) (máx) a Id	3.5V a 250µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs	75 nC @ 10 V
Vgs (máx.)	±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds	4050 pF @ 25 V
Característica de FET	-
Disipación de potencia (Máx.)	375W (Tc)
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 175°C (TJ)
Grado	Uso automotriz
Calificación	AEC-Q101
Tipo de montaje	Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor	TO-263 (D2PAK)
Paquete / Caja (carcasa)	TO-263-3, D2PAK (2 conductores + pestaña), TO-263AB
Número de producto base	SQM10250