Name: SQM35N30-97_GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SQM35N30-97_GE3TR-ND
Price: 4.78 USD
Availability: InStock

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SQM35N30-97_GE3
N.º de producto de DigiKey	SQM35N30-97_GE3TR-ND - Cinta y rollo (TR) SQM35N30-97_GE3CT-ND - Cinta cortada (CT) SQM35N30-97_GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	Vishay Siliconix
Número de pieza del fabricante	SQM35N30-97_GE3
Descripción	MOSFET N-CH 300V 35A TO263
Plazo estándar del fabricante	25 semanas
Referencia del cliente
Descripción detallada	Canal N Montaje en superficie 300 V 35A (Tc) 375W (Tc) TO-263 (D2PAK)
Hoja de datos	Hoja de datos

Atributos del producto

Tipo	Descripción	Seleccionar todo
Categoría	Productos de semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET FET simple, MOSFET
Fabricante	Vishay Siliconix
Serie	TrenchFET®
Embalaje	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®
Estado de pieza	Activo
Tipo FET	Canal N
Tecnología	MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	300 V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC	35A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)	10V
Rds On (máx) @ Id, Vgs	97mOhm a 10A, 10V
Vgs(th) (máx) a Id	3.5V a 250µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs	130 nC @ 10 V
Vgs (máx.)	±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds	5650 pF @ 25 V
Característica de FET	-
Disipación de potencia (Máx.)	375W (Tc)
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 175°C (TJ)
Grado	Uso automotriz
Calificación	AEC-Q101
Tipo de montaje	Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor	TO-263 (D2PAK)
Paquete / Caja (carcasa)	TO-263-3, D2PAK (2 conductores + pestaña), TO-263AB
Número de producto base	SQM35