
SISS5623DN-T1-GE3 | |
|---|---|
N.º de producto de DigiKey | 742-SISS5623DN-T1-GE3TR-ND - Cinta y rollo (TR) 742-SISS5623DN-T1-GE3CT-ND - Cinta cortada (CT) 742-SISS5623DN-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel® |
Fabricante | |
Número de pieza del fabricante | SISS5623DN-T1-GE3 |
Descripción | P-CHANNEL 60 V (D-S) MOSFET POWE |
Plazo estándar del fabricante | 55 semanas |
Referencia del cliente | |
Descripción detallada | Canal P Montaje en superficie 60 V 10.5H (Ta), 36.3H (Tc) 4.8W (Ta), 56.8W (Tc) PowerPAK® 1212-8S |
Hoja de datos | Hoja de datos |
Modelos EDA/CAD | SISS5623DN-T1-GE3 Modelos |
Categoría | Vgs(th) (máx) a Id 2.6V a 250µA |
Fabricante | Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 33 nC @ 10 V |
Embalaje Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel® | Vgs (máx.) ±20V |
Estado de pieza Activo | Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 1575 pF @ 30 V |
Tipo FET | Disipación de potencia (Máx.) 4.8W (Ta), 56.8W (Tc) |
Tecnología | Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ) |
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 60 V | Tipo de montaje Montaje en superficie |
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC | Paquete del dispositivo del proveedor PowerPAK® 1212-8S |
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 4.5V, 10V | Paquete / Caja (carcasa) |
Rds On (máx) @ Id, Vgs 24mOhm a 10A, 10V | Número de producto base |
| Cantidad | Precio por unidad | Precio ext. |
|---|---|---|
| 1 | $2.66000 | $2.66 |
| 10 | $1.70900 | $17.09 |
| 100 | $1.16840 | $116.84 |
| 500 | $0.93698 | $468.49 |
| 1,000 | $0.86522 | $865.22 |
| Cantidad | Precio por unidad | Precio ext. |
|---|---|---|
| 3,000 | $0.76819 | $2,304.57 |
| 6,000 | $0.72071 | $4,324.26 |
| 9,000 | $0.70688 | $6,361.92 |










