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SIHB18N60E-GE3 | |
|---|---|
N.º de producto de DigiKey | SIHB18N60E-GE3-ND |
Fabricante | |
Número de pieza del fabricante | SIHB18N60E-GE3 |
Descripción | MOSFET N-CH 600V 18A TO263 |
Plazo estándar del fabricante | 24 semanas |
Referencia del cliente | |
Descripción detallada | Canal N Montaje en superficie 600 V 18A (Tc) 179W (Tc) TO-263 (D2PAK) |
Hoja de datos | Hoja de datos |
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Categoría | Vgs(th) (máx) a Id 4V a 250µA |
Fabricante | Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 92 nC @ 10 V |
Embalaje Tubo | Vgs (máx.) ±30V |
Estado de pieza Activo | Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 1640 pF @ 100 V |
Tipo FET | Disipación de potencia (Máx.) 179W (Tc) |
Tecnología | Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ) |
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 600 V | Tipo de montaje Montaje en superficie |
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC | Paquete del dispositivo del proveedor TO-263 (D2PAK) |
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 10V | Paquete / Caja (carcasa) |
Rds On (máx) @ Id, Vgs 202mOhm a 9A, 10V | Número de producto base |
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Sustitutos (9)
| N.° de pieza | Fabricante | Cantidad disponible | N.º de producto de DigiKey | Precio por unidad | Tipo de reemplazo |
|---|---|---|---|---|---|
| TK20G60W,RVQ | Toshiba Semiconductor and Storage | 52 | TK20G60WRVQCT-ND | $4.50000 | Directo |
| FCB199N65S3 | onsemi | 578 | 488-FCB199N65S3CT-ND | $5.16000 | Similar |
| IPB60R165CPATMA1 | Infineon Technologies | 5,928 | IPB60R165CPATMA1CT-ND | $5.02000 | Similar |
| IXFA22N65X2 | IXYS | 4,207 | 238-IXFA22N65X2-ND | $7.82000 | Similar |
| IXFA24N60X | IXYS | 0 | IXFA24N60X-ND | $3.20113 | Similar |
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|---|---|---|
| 1,000 | $1.51859 | $1,518.59 |
