Name: FCB199N65S3
Brand: onsemi
SKU: 488-FCB199N65S3TR-ND
Price: 4.82 USD
Availability: InStock

Imagen solo a efectos ilustrativos. Para obtener especificaciones exactas, visite la hoja de datos del producto.

FCB199N65S3
N.º de producto de DigiKey	488-FCB199N65S3TR-ND - Cinta y rollo (TR) 488-FCB199N65S3CT-ND - Cinta cortada (CT) 488-FCB199N65S3DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	onsemi
Número de pieza del fabricante	FCB199N65S3
Descripción	MOSFET N-CH 650V 14A D2PAK
Plazo estándar del fabricante	17 semanas
Referencia del cliente
Descripción detallada	Canal N Montaje en superficie 650 V 14A (Tc) 98W (Tc) TO-263 (D2PAK)
Hoja de datos	Hoja de datos
Modelos EDA/CAD	FCB199N65S3 Modelos

Atributos del producto

Tipo	Descripción	Seleccionar todo
Categoría	Productos de semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET FET simple, MOSFET
Fabricante	onsemi
Serie	SuperFET® III
Embalaje	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®
Estado de pieza	Activo
Tipo FET	Canal N
Tecnología	MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	650 V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC	14A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)	10V
Rds On (máx) @ Id, Vgs	199mOhm a 7A, 10V
Vgs(th) (máx) a Id	4.5V a 1.4mA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs	30 nC @ 10 V
Vgs (máx.)	±30V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds	1225 pF @ 400 V
Característica de FET	-
Disipación de potencia (Máx.)	98W (Tc)
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Grado	-
Calificación	-
Tipo de montaje	Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor	TO-263 (D2PAK)
Paquete / Caja (carcasa)	TO-263-3, D2PAK (2 conductores + pestaña), TO-263AB
Número de producto base	FCB199