SCT2H12NYTB Rohm Semiconductor | Productos de semiconductores discretos

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SCT2H12NYTB
N.º de producto de DigiKey	SCT2H12NYTBTR-ND - Cinta y rollo (TR) SCT2H12NYTBCT-ND - Cinta cortada (CT) SCT2H12NYTBDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	Rohm Semiconductor
Número de pieza del fabricante	SCT2H12NYTB
Descripción	SICFET N-CH 1700V 4A TO268
Referencia del cliente
Descripción detallada	Canal N Montaje en superficie 1700 V 4A (Tc) 44W (Tc) TO-268
Hoja de datos	Hoja de datos
Modelos EDA/CAD	SCT2H12NYTB Modelos

Atributos del producto

Tipo	Descripción	Seleccionar todo
Categoría	Productos de semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET FET simple, MOSFET
Fabricante	Rohm Semiconductor
Serie	-
Embalaje	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®
Estado de pieza	Obsoleto
Tipo FET	Canal N
Tecnología	SiCFET (Carburo de silicio)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	1700 V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC	4A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)	18V
Rds On (máx) @ Id, Vgs	1.5Ohm a 1.1A, 18V
Vgs(th) (máx) a Id	4V a 410µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs	14 nC @ 18 V
Vgs (máx.)	+22V, -6V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds	184 pF @ 800 V
Característica de FET	-
Disipación de potencia (Máx.)	44W (Tc)
Temperatura de funcionamiento	175°C (TJ)
Grado	-
Calificación	-
Tipo de montaje	Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor	TO-268
Paquete / Caja (carcasa)	TO-268-3, D3PAK (2 conductores + pestaña), TO-268AA
Número de producto base	SCT2H12