Name: SCT2H12NWBTL1
Brand: Rohm Semiconductor
SKU: 846-SCT2H12NWBTL1TR-ND
Price: 5.97 USD
Availability: InStock

SCT2H12NWBTL1
N.º de producto de DigiKey	846-SCT2H12NWBTL1TR-ND - Cinta y rollo (TR) 846-SCT2H12NWBTL1CT-ND - Cinta cortada (CT) 846-SCT2H12NWBTL1DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	Rohm Semiconductor
Número de pieza del fabricante	SCT2H12NWBTL1
Descripción	SICFET N-CH 1700V 4A TO268
Plazo estándar del fabricante	23 semanas
Referencia del cliente
Descripción detallada	Canal N Montaje en superficie 1700 V 3.9A (Tc) 39W (Tc) TO-263CA-7LSHYAD
Hoja de datos	Hoja de datos

Tipo	Descripción	Seleccionar todo
Categoría	Productos de semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET FET simple, MOSFET
Fabricante	Rohm Semiconductor
Serie	-
Embalaje	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®
Estado de pieza	Activo
Tipo FET	Canal N
Tecnología	SiCFET (Carburo de silicio)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	1700 V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC	3.9A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)	18V
Rds On (máx) @ Id, Vgs	1.5Ohm a 1.1A, 18V
Vgs(th) (máx) a Id	4V a 410µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs	24 nC @ 18 V
Vgs (máx.)	+22V, -6V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds	197 pF @ 800 V
Característica de FET	-
Disipación de potencia (Máx.)	39W (Tc)
Temperatura de funcionamiento	175°C (TJ)
Grado	-
Calificación	-
Tipo de montaje	Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor	TO-263CA-7LSHYAD
Paquete / Caja (carcasa)	TO-263-8, conductores D2PAK (7 conductores + pestaña), TO-263CA

SCT2H12NWBTL1