4H (Tc) FET simple, MOSFET

Demostración

de 280

Número de parte del fabricante	Cantidad disponible	Precio	Serie	Paquete	Estado del producto	Tipo FET	Tecnología	Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC	Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)	Rds On (máx) @ Id, Vgs	Vgs(th) (máx) a Id	Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs	Vgs (máx.)	Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds	Característica de FET	Disipación de potencia (Máx.)	Temperatura de funcionamiento	Grado	Calificación	Tipo de montaje	Paquete del dispositivo del proveedor	Paquete / Caja (carcasa)
SI1443EDH-T1-GE3 MOSFET P-CH 30V 4A SOT-363 Vishay Siliconix	37,573 En stock	1 : $0.78000 Cinta cortada (CT) 3,000 : $0.18301 Cinta y rollo (TR)	TrenchFET®	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	Canal P	MOSFET (óxido de metal)	30 V	4H (Tc)	10V	54mOhm a 4.3A, 10V	1.5V a 250µA	28 nC @ 10 V	±12V	-	-	1.6W (Ta), 2.8W (Tc)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montaje en superficie	SC-70-6	6-TSSOP, SC-88, SOT-363
IPD95R2K0P7ATMA1 MOSFET N-CH 950V 4A TO252-3 Infineon Technologies	127,022 En stock	1 : $2.00000 Cinta cortada (CT) 2,500 : $0.54440 Cinta y rollo (TR)	CoolMOS™ P7	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	950 V	4H (Tc)	10V	2Ohm a 1.7A, 10V	3.5V a 80µA	10 nC @ 10 V	±20V	330 pF @ 400 V	-	37W (Tc)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montaje en superficie	PG-TO252-3	TO-252-3, DPAK (2 conductores + pestaña), SC-63
STP4N150 MOSFET N-CH 1500V 4A TO220AB STMicroelectronics	186 En stock	1 : $6.26000 Tubo	PowerMESH™	Tubo	Activo	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	1500 V	4H (Tc)	10V	7Ohm a 2A, 10V	5V a 250µA	50 nC @ 10 V	±30V	1300 pF @ 25 V	-	160W (Tc)	150°C (TJ)	-	-	Orificio pasante	TO-220	TO-220-3
SI1401EDH-T1-GE3 MOSFET P-CH 12V 4A SC70-6 Vishay Siliconix	8,984 En stock	1 : $0.76000 Cinta cortada (CT) 3,000 : $0.16410 Cinta y rollo (TR)	TrenchFET®	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	Canal P	MOSFET (óxido de metal)	12 V	4H (Tc)	1.5V, 4.5V	34mOhm a 5.5A, 4.5V	1V a 250µA	36 nC @ 8 V	±10V	-	-	1.6W (Ta), 2.8W (Tc)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montaje en superficie	SC-70-6	6-TSSOP, SC-88, SOT-363
STN3NF06 MOSFET N-CH 60V 4A SOT-223 STMicroelectronics	8,355 En stock	1 : $0.88000 Cinta cortada (CT) 4,000 : $0.20313 Cinta y rollo (TR)	STripFET™ II	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	60 V	4H (Tc)	10V	100mOhm a 1.5A, 10V	4V a 250µA	13 nC @ 10 V	±20V	315 pF @ 25 V	-	3.3W (Tc)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montaje en superficie	SOT-223	TO-261-4, TO-261AA
IPN70R1K4P7SATMA1 MOSFET N-CHANNEL 700V 4A SOT223 Infineon Technologies	42,848 En stock	1 : $1.08000 Cinta cortada (CT) 3,000 : $0.25894 Cinta y rollo (TR)	CoolMOS™ P7	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	700 V	4H (Tc)	10V	1.4Ohm a 700mA, 10V	3.5V a 40µA	4.7 nC @ 10 V	±16V	158 pF @ 400 V	-	6.2W (Tc)	-40°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montaje en superficie	PG-SOT223	TO-261-4, TO-261AA
IPD70R1K4P7SAUMA1 MOSFET N-CH 700V 4A TO252-3 Infineon Technologies	7,535 En stock	1 : $1.15000 Cinta cortada (CT) 2,500 : $0.28404 Cinta y rollo (TR)	CoolMOS™ P7	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	700 V	4H (Tc)	10V	1.4Ohm a 700mA, 10V	3.5V a 40µA	4.7 nC @ 10 V	±16V	158 pF @ 400 V	-	23W (Tc)	-40°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montaje en superficie	PG-TO252-3	TO-252-3, DPAK (2 conductores + pestaña), SC-63
STN4NF06L MOSFET N-CH 60V 4A SOT-223 STMicroelectronics	2,546 En stock	1 : $1.34000 Cinta cortada (CT) 4,000 : $0.31711 Cinta y rollo (TR)	STripFET™ II	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	60 V	4H (Tc)	5V, 10V	100mOhm a 1.5A, 10V	2.8V a 250µA	9 nC @ 5 V	±16V	340 pF @ 25 V	-	3.3W (Tc)	-55°C ~ 150°C (TJ)	Uso automotriz	AEC-Q101	Montaje en superficie	SOT-223	TO-261-4, TO-261AA
STL12P6F6 MOSFET P-CH 60V 4A POWERFLAT STMicroelectronics	319 En stock	1 : $1.45000 Cinta cortada (CT) 3,000 : $0.37486 Cinta y rollo (TR)	DeepGATE™, STripFET™ VI	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	Canal P	MOSFET (óxido de metal)	60 V	4H (Tc)	10V	160mOhm a 1.5A, 10V	4V a 250µA	6.4 nC @ 10 V	±20V	340 pF @ 48 V	-	75W (Tc)	-55°C ~ 175°C (TJ)	-	-	Montaje en superficie	PowerFlat™ (5x6)	8-PowerVDFN
FDD5N50NZTM MOSFET N-CH 500V 4A DPAK onsemi	4,748 En stock	1 : $1.73000 Cinta cortada (CT) 2,500 : $0.44018 Cinta y rollo (TR)	UniFET™	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	500 V	4H (Tc)	10V	1.5Ohm a 2A, 10V	5V a 250µA	12 nC @ 10 V	±25V	440 pF @ 25 V	-	62W (Tc)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montaje en superficie	TO-252AA	TO-252-3, DPAK (2 conductores + pestaña), SC-63
IPD80R1K4P7ATMA1 MOSFET N-CH 800V 4A TO252 Infineon Technologies	16,796 En stock	1 : $1.83000 Cinta cortada (CT) 2,500 : $0.49110 Cinta y rollo (TR)	CoolMOS™	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	800 V	4H (Tc)	10V	1.4Ohm a 1.4A, 10V	3.5V a 700µA	10 nC @ 10 V	±20V	250 pF @ 500 V	-	32W (Tc)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montaje en superficie	PG-TO252-2	TO-252-3, DPAK (2 conductores + pestaña), SC-63
IPA80R1K4P7XKSA1 MOSFET N-CH 800V 4A TO220-3F Infineon Technologies	480 En stock	1 : $2.20000 Tubo	CoolMOS™	Tubo	Activo	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	800 V	4H (Tc)	10V	1.4Ohm a 1.4A, 10V	3.5V a 700µA	10 nC @ 10 V	±20V	250 pF @ 500 V	-	24W (Tc)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Orificio pasante	PG-TO220-3-31	TO-220-3 paquete completo
IRF9510PBF MOSFET P-CH 100V 4A TO220AB Vishay Siliconix	4,326 En stock	1 : $2.51000 Tubo	-	Tubo	Activo	Canal P	MOSFET (óxido de metal)	100 V	4H (Tc)	10V	1.2Ohm a 2.4A, 10V	4V a 250µA	8.7 nC @ 10 V	±20V	200 pF @ 25 V	-	43W (Tc)	-55°C ~ 175°C (TJ)	-	-	Orificio pasante	TO-220AB	TO-220-3
STF4N90K5 MOSFET N-CH 900V 4A TO220FP STMicroelectronics	1,074 En stock	1 : $2.55000 Tubo	MDmesh™ K5	Tubo	Activo	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	900 V	4H (Tc)	10V	2.1Ohm a 1A, 10V	5V a 100µA	5.3 nC @ 10 V	±30V	173 pF @ 100 V	-	20W (Tc)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Orificio pasante	TO-220FP	TO-220-3
STP4NK60ZFP MOSFET N-CH 600V 4A TO220FP STMicroelectronics	5,467 En stock	1 : $2.82000 Tubo	SuperMESH™	Tubo	Activo	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	600 V	4H (Tc)	10V	2Ohm a 2A, 10V	4.5V a 50µA	26 nC @ 10 V	±30V	510 pF @ 25 V	-	25W (Tc)	150°C (TJ)	-	-	Orificio pasante	TO-220FP	TO-220-3 paquete completo
STW4N150 MOSFET N-CH 1500V 4A TO247-3 STMicroelectronics	593 En stock	1 : $7.74000 Tubo	PowerMESH™	Tubo	Activo	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	1500 V	4H (Tc)	10V	7Ohm a 2A, 10V	5V a 250µA	50 nC @ 10 V	±30V	1300 pF @ 25 V	-	160W (Tc)	150°C (TJ)	-	-	Orificio pasante	TO-247-3	TO-247-3
IXTX4N300P3HV MOSFET N-CH 3000V 4A TO247PLUSHV IXYS	205 En stock 810 Fábrica	1 : $88.13000 Tubo	Polar P3™	Tubo	Activo	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	3000 V	4H (Tc)	10V	12.5Ohm a 2A, 10V	5V a 250µA	139 nC @ 10 V	±20V	3680 pF @ 25 V	-	960W (Tc)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Orificio pasante	TO-247PLUS-HV	TO-247-3 variante
STL3N10F7 MOSFET N-CH 100V 4A POWERFLAT STMicroelectronics	2,826 En stock	1 : $0.88000 Cinta cortada (CT) 3,000 : $0.20853 Cinta y rollo (TR)	DeepGATE™, STripFET™ VII	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	100 V	4H (Tc)	10V	70mOhm a 2A, 10V	4.5V a 250µA	7.8 nC @ 10 V	±20V	408 pF @ 25 V	-	2.4W (Tc)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montaje en superficie	PowerFlat™ (2x2)	6-PowerWDFN
SI1441EDH-T1-GE3 MOSFET P-CH 20V 4A SOT-363 Vishay Siliconix	2,975 En stock	1 : $0.89000 Cinta cortada (CT) 3,000 : $0.21179 Cinta y rollo (TR)	TrenchFET®	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	Canal P	MOSFET (óxido de metal)	20 V	4H (Tc)	1.8V, 4.5V	41mOhm a 5A, 4.5V	1V a 250µA	33 nC @ 8 V	±10V	-	-	2.8W (Tc)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montaje en superficie	SC-70-6	6-TSSOP, SC-88, SOT-363
R6004RND3TL1 600V 4A TO-252, PRESTOMOS WITH I Rohm Semiconductor	2,120 En stock	1 : $1.04000 Cinta cortada (CT) 2,500 : $0.49698 Cinta y rollo (TR)	-	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	600 V	4H (Tc)	15V	1.73Ohm a 2A, 15V	7V a 450µA	10.5 nC @ 15 V	±30V	230 pF @ 100 V	-	60W (Tc)	150°C (TJ)	-	-	Montaje en superficie	TO-252	TO-252-3, DPAK (2 conductores + pestaña), SC-63
TSM4NB60CP ROG MOSFET N-CHANNEL 600V 4A TO252 Taiwan Semiconductor Corporation	4,853 En stock	1 : $1.64000 Cinta cortada (CT) 2,500 : $0.44172 Cinta y rollo (TR)	-	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	600 V	4H (Tc)	10V	2.5Ohm a 2A, 10V	4.5V a 250µA	14.5 nC @ 10 V	±30V	500 pF @ 25 V	-	50W (Tc)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montaje en superficie	TO-252 (DPAK)	TO-252-3, DPAK (2 conductores + pestaña), SC-63
AOTF4N60L MOSFET N-CHANNEL 600V 4A TO220F Alpha & Omega Semiconductor Inc.	1,667 En stock	1 : $1.70000 Tubo	-	Tubo	Activo	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	600 V	4H (Tc)	10V	2.2Ohm a 2A, 10V	4.5V a 250µA	18 nC @ 10 V	±30V	615 pF @ 25 V	-	35W (Tc)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Orificio pasante	TO-220F	TO-220-3 paquete completo
IPN95R2K0P7ATMA1 MOSFET N-CH 950V 4A SOT223 Infineon Technologies	20,795 En stock	1 : $1.76000 Cinta cortada (CT) 3,000 : $0.45963 Cinta y rollo (TR)	CoolMOS™ P7	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	No para diseños nuevos	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	950 V	4H (Tc)	10V	2Ohm a 1.7A, 10V	3.5V a 80µA	10 nC @ 10 V	±20V	330 pF @ 400 V	-	7W (Tc)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montaje en superficie	PG-SOT223	TO-261-4, TO-261AA
AOT4N60 MOSFET N-CH 600V 4A TO220 Alpha & Omega Semiconductor Inc.	346 En stock	1 : $1.80000 Tubo	-	Tubo	No para diseños nuevos	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	600 V	4H (Tc)	10V	2.2Ohm a 2A, 10V	4.5V a 250µA	18 nC @ 10 V	±30V	615 pF @ 25 V	-	104W (Tc)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Orificio pasante	TO-220	TO-220-3
FDD5N60NZTM MOSFET N-CH 600V 4A DPAK onsemi	35,873 En stock	1 : $1.90000 Cinta cortada (CT) 2,500 : $0.49302 Cinta y rollo (TR)	UniFET-II™	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	600 V	4H (Tc)	10V	2Ohm a 2A, 10V	5V a 250µA	13 nC @ 10 V	±25V	600 pF @ 25 V	-	83W (Tc)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montaje en superficie	TO-252AA	TO-252-3, DPAK (2 conductores + pestaña), SC-63

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de 280

FET y MOSFET simples

Los transistores de efecto de campo simple (FET) y los transistores de efecto de campo semiconductores de óxido metálico (MOSFET) son tipos de transistores utilizados para amplificar o conmutar señales electrónicas.

Un FET simple funciona controlando el flujo de corriente eléctrica entre los terminales de fuente y drenaje a través de un campo eléctrico generado por una tensión aplicada al terminal de la puerta de enlace. La principal ventaja de los FET es su elevada impedancia de entrada, que los hace ideales para su uso en amplificación de señales y circuitos analógicos. Se utilizan ampliamente en aplicaciones como amplificadores, osciladores y etapas de búfer en circuitos electrónicos.

Los MOSFET, un subtipo de FET, tienen un terminal de puerta de enlace aislado del canal por una fina capa de óxido, lo que mejora su rendimiento y los hace muy eficientes. Los MOSFET pueden clasificarse a su vez en dos tipos:

MOSFET de canal n: donde los electrones son los portadores primarios.
MOSFET de canal p: donde los orificios son los portadores primarios.

Los MOSFET son preferidos en muchas aplicaciones debido a su bajo consumo de energía, conmutación de alta velocidad y capacidad para manejar grandes corrientes y voltajes. Son cruciales en circuitos digitales y analógicos, como fuentes de alimentación, controladores de motores y aplicaciones de radiofrecuencia.

El funcionamiento de los MOSFET puede dividirse en dos modos:

Modo de mejora: En este modo, el MOSFET está normalmente apagado cuando la tensión puerta de enlace-fuente es cero. Requiere una tensión positiva en la fuente de la puerta de enlace (para el canal n) o una tensión negativa en la fuente de la puerta de enlace (para el canal p) para encenderse.
Modo de agotamiento: En este modo, el MOSFET está normalmente encendido cuando la tensión puerta de enlace-fuente es cero. La aplicación de un voltaje de puerta de enlace-fuente de polaridad opuesta puede apagarlo.

Los MOSFET ofrecen varias ventajas, como:

Alta eficiencia: Consumen muy poca energía y pueden cambiar de estado rápidamente, lo que los hace muy eficientes para aplicaciones de gestión de energía.
Baja resistencia al encendido: Tienen baja resistencia al encenderse, lo que minimiza la pérdida de potencia y la generación de calor.
Alta impedancia de entrada: La estructura de puerta aislada da como resultado una impedancia de entrada extremadamente alta, lo que los hace ideales para la amplificación de señales de alta impedancia.

En resumen, los FET simples, en particular los MOSFET, son componentes fundamentales de la electrónica moderna, conocidos por su eficacia, velocidad y versatilidad en una amplia gama de aplicaciones, desde la amplificación de señales de baja potencia hasta la conmutación y el control de alta potencia.

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