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ROHM 4-pin SiC Power MOSFETs | Digi-Key Daily

SCT2120AFC

N.º de producto de DigiKey
SCT2120AFC-ND
Fabricante
Rohm Semiconductor
Número de pieza del fabricante
SCT2120AFC
Descripción
SICFET N-CH 650V 29A TO220AB
Referencia del cliente
Descripción detallada
Canal N Orificio pasante 650 V 29A (Tc) 165W (Tc) TO-220AB
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Atributos del producto
Tipo
Descripción
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Categoría
Fabricante
Rohm Semiconductor
Serie
-
Embalaje
Tubo
Estado de pieza
Obsoleto
Tipo FET
Canal N
Tecnología
SiCFET (Carburo de silicio)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
650 V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC
29A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)
18V
Rds On (máx) @ Id, Vgs
156mOhm a 10A, 18V
Vgs(th) (máx) a Id
4V a 3.3mA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs
61 nC @ 18 V
Vgs (máx.)
+22V, -6V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds
1200 pF @ 500 V
Característica de FET
-
Disipación de potencia (Máx.)
165W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
175°C (TJ)
Grado
-
Calificación
-
Tipo de montaje
Orificio pasante
Paquete del dispositivo del proveedor
TO-220AB
Paquete / Caja (carcasa)
TO-220-3
Número de producto base
SCT2120
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Obsoleto
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