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Imagen solo a efectos ilustrativos. Para obtener especificaciones exactas, visite la hoja de datos del producto.
SIHP21N65EF-GE3 | |
|---|---|
N.º de producto de DigiKey | SIHP21N65EF-GE3-ND |
Fabricante | |
Número de pieza del fabricante | SIHP21N65EF-GE3 |
Descripción | MOSFET N-CH 650V 21A TO220AB |
Plazo estándar del fabricante | 28 semanas |
Referencia del cliente | |
Descripción detallada | Canal N Orificio pasante 650 V 21A (Tc) 208W (Tc) TO-220AB |
Hoja de datos | Hoja de datos |
Atributos del producto
Tipo | Descripción | Seleccionar todo |
|---|---|---|
Categoría | ||
Fabricante | ||
Serie | - | |
Embalaje | Tubo | |
Estado de pieza | Activo | |
Tipo FET | ||
Tecnología | ||
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) | 650 V | |
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC | ||
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) | 10V | |
Rds On (máx) @ Id, Vgs | 180mOhm a 11A, 10V | |
Vgs(th) (máx) a Id | 4V a 250µA | |
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs | 106 nC @ 10 V | |
Vgs (máx.) | ±20V | |
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds | 2322 pF @ 100 V | |
Característica de FET | - | |
Disipación de potencia (Máx.) | 208W (Tc) | |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
Grado | - | |
Calificación | - | |
Tipo de montaje | Orificio pasante | |
Paquete del dispositivo del proveedor | TO-220AB | |
Paquete / Caja (carcasa) | ||
Número de producto base |
0 en stock
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Cantidad
Todos los precios se expresan en USD
Tubo
| Cantidad | Precio por unidad | Precio ext. |
|---|---|---|
| 1 | $5.91000 | $5.91 |
| 10 | $3.94200 | $39.42 |
| 100 | $2.82620 | $282.62 |
| 500 | $2.35034 | $1,175.17 |
| 1,000 | $2.19761 | $2,197.61 |
| 2,000 | $2.09250 | $4,185.00 |
