Name: RS1E260ATTB1
Brand: Rohm Semiconductor
SKU: RS1E260ATTB1TR-ND
Price: 4.22 USD
Availability: InStock

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RS1E260ATTB1
N.º de producto de DigiKey	RS1E260ATTB1TR-ND - Cinta y rollo (TR) RS1E260ATTB1CT-ND - Cinta cortada (CT) RS1E260ATTB1DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	Rohm Semiconductor
Número de pieza del fabricante	RS1E260ATTB1
Descripción	MOSFET P-CH 30V 26A/80A 8HSOP
Plazo estándar del fabricante	18 semanas
Referencia del cliente
Descripción detallada	Canal P Montaje en superficie 30 V 26A (Ta), 80A (Tc) 3W (Ta) 8-HSOP
Hoja de datos	Hoja de datos
Modelos EDA/CAD	RS1E260ATTB1 Modelos

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Categoría Productos de semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET FET simple, MOSFET	Vgs(th) (máx) a Id 2.5V a 1mA
Fabricante Rohm Semiconductor	Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 175 nC @ 10 V
Embalaje Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Vgs (máx.) ±20V
Estado de pieza Activo	Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 7850 pF @ 15 V
Tipo FET Canal P	Disipación de potencia (Máx.) 3W (Ta)
Tecnología MOSFET (óxido de metal)	Temperatura de funcionamiento 150°C (TJ)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 30 V	Tipo de montaje Montaje en superficie
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC 26A (Ta), 80A (Tc)	Paquete del dispositivo del proveedor 8-HSOP
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 4.5V, 10V	Paquete / Caja (carcasa) 8-PowerTDFN
Rds On (máx) @ Id, Vgs 3.1mOhm a 26A, 10V	Número de producto base RS1E