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Producto del mercado
Imagen solo a efectos ilustrativos. Para obtener especificaciones exactas, visite la hoja de datos del producto.
NXH007F120M3F2PTHG | |
|---|---|
N.º de producto de DigiKey | 5556-NXH007F120M3F2PTHG-ND |
Fabricante | |
Número de pieza del fabricante | NXH007F120M3F2PTHG |
Descripción | MOSFET 4N-CH 1200V 149A 34PIM |
Plazo estándar del fabricante | 23 semanas |
Referencia del cliente | |
Descripción detallada | MOSFET - Arreglos 1200V (1.2kV) 149A (Tc) 353W (Tj) Montaje de chasis 34-PIM (56.7x42.5) |
Hoja de datos | Hoja de datos |
Atributos del producto
Tipo | Descripción | Seleccionar todo |
|---|---|---|
Categoría | ||
Fabricante | onsemi | |
Serie | - | |
Embalaje | Bandeja | |
Estado de pieza | Activo | |
Tecnología | Carburo de silicio (SiC) | |
Configuración | Canal 4 N (puente completo) | |
Característica de FET | - | |
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) | 1200V (1.2kV) | |
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC | 149A (Tc) | |
Rds On (máx) @ Id, Vgs | 10mOhm a 120A, 18V | |
Vgs(th) (máx) a Id | 4.4V a 60mA | |
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs | 407nC a 18V | |
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds | 9090pF a 800V | |
Potencia - Máx. | 353W (Tj) | |
Temperatura de funcionamiento | -40°C ~ 175°C (TJ) | |
Grado | - | |
Calificación | - | |
Tipo de montaje | Montaje de chasis | |
Paquete / Caja (carcasa) | Módulo | |
Paquete del dispositivo del proveedor | 34-PIM (56.7x42.5) | |
Número de producto base |
En stock: 57
Comprobar si hay stock entrante adicional
Cantidad
Todos los precios se expresan en USD
Bandeja
| Cantidad | Precio por unidad | Precio ext. |
|---|---|---|
| 1 | $161.97000 | $161.97 |
| 20 | $146.35700 | $2,927.14 |
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