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Imagen solo a efectos ilustrativos. Para obtener especificaciones exactas, visite la hoja de datos del producto.
GCMX020A120B2H2P | |
|---|---|
N.º de producto de DigiKey | 1560-GCMX020A120B2H2P-ND |
Fabricante | |
Número de pieza del fabricante | GCMX020A120B2H2P |
Descripción | 1200V, 20M SIC MOSFET FULL BRIDG |
Plazo estándar del fabricante | 22 semanas |
Referencia del cliente | |
Descripción detallada | MOSFET - Arreglos 1200V (1.2kV) 102A (Tc) 333W (Tc) Montaje de chasis |
Hoja de datos | Hoja de datos |
Atributos del producto
Tipo | Descripción | Seleccionar todo |
|---|---|---|
Categoría | ||
Fabricante | SemiQ | |
Serie | ||
Embalaje | Caja | |
Estado de pieza | Activo | |
Tecnología | Carburo de silicio (SiC) | |
Configuración | Canal 4 N (puente completo) | |
Característica de FET | - | |
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) | 1200V (1.2kV) | |
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC | 102A (Tc) | |
Rds On (máx) @ Id, Vgs | 28mOhm a 50A, 20V | |
Vgs(th) (máx) a Id | 4V a 20mA | |
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs | 237nC a 20V | |
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds | 5600pF a 800V | |
Potencia - Máx. | 333W (Tc) | |
Temperatura de funcionamiento | -40°C ~ 175°C (TJ) | |
Grado | - | |
Calificación | - | |
Tipo de montaje | Montaje de chasis | |
Paquete / Caja (carcasa) | Módulo | |
Paquete del dispositivo del proveedor | - |
En stock: 40
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Cantidad
Todos los precios se expresan en USD
Caja
| Cantidad | Precio por unidad | Precio ext. |
|---|---|---|
| 1 | $83.94000 | $83.94 |
| 10 | $67.00000 | $670.00 |
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