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Producto del mercado
Imagen solo a efectos ilustrativos. Para obtener especificaciones exactas, visite la hoja de datos del producto.
NXH008T120M3F2PTHG | |
|---|---|
N.º de producto de DigiKey | 5556-NXH008T120M3F2PTHG-ND |
Fabricante | |
Número de pieza del fabricante | NXH008T120M3F2PTHG |
Descripción | MOSFET 4N-CH 1200V 129A 29PIM |
Plazo estándar del fabricante | 20 semanas |
Referencia del cliente | |
Descripción detallada | MOSFET - Arreglos 1200V (1.2kV) 129A (Tc) 371W (Tj) Montaje de chasis 29-PIM (56.7x42.5) |
Hoja de datos | Hoja de datos |
Atributos del producto
Tipo | Descripción | Seleccionar todo |
|---|---|---|
Categoría | ||
Fabricante | onsemi | |
Serie | - | |
Embalaje | Bandeja | |
Estado de pieza | Activo | |
Tecnología | Carburo de silicio (SiC) | |
Configuración | 4 Canal N | |
Característica de FET | - | |
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) | 1200V (1.2kV) | |
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC | 129A (Tc) | |
Rds On (máx) @ Id, Vgs | 11.5mOhm a 100A, 18V | |
Vgs(th) (máx) a Id | 4.4V a 60mA | |
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs | 454nC a 20V | |
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds | 9129pF a 800V | |
Potencia - Máx. | 371W (Tj) | |
Temperatura de funcionamiento | -40°C ~ 175°C (TJ) | |
Grado | - | |
Calificación | - | |
Tipo de montaje | Montaje de chasis | |
Paquete / Caja (carcasa) | Módulo | |
Paquete del dispositivo del proveedor | 29-PIM (56.7x42.5) | |
Número de producto base |
En stock: 8
Comprobar si hay stock entrante adicional
Cantidad
Todos los precios se expresan en USD
Bandeja
| Cantidad | Precio por unidad | Precio ext. |
|---|---|---|
| 1 | $170.44000 | $170.44 |
| 20 | $155.36250 | $3,107.25 |
México