Name: NTF6P02T3G
Brand: onsemi
SKU: NTF6P02T3GOSTR-ND
Price: 1.25 USD
Availability: InStock

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NTF6P02T3G
N.º de producto de DigiKey	NTF6P02T3GOSTR-ND - Cinta y rollo (TR) NTF6P02T3GOSCT-ND - Cinta cortada (CT) NTF6P02T3GOSDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	onsemi
Número de pieza del fabricante	NTF6P02T3G
Descripción	MOSFET P-CH 20V 10A SOT223
Plazo estándar del fabricante	17 semanas
Referencia del cliente
Descripción detallada	Canal P Montaje en superficie 20 V 10A (Ta) 8.3W (Ta) SOT-223 (TO-261)
Hoja de datos	Hoja de datos
Modelos EDA/CAD	NTF6P02T3G Modelos

Atributos del producto

Tipo	Descripción	Seleccionar todo
Categoría	Productos de semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET FET simple, MOSFET
Fabricante	onsemi
Serie	-
Embalaje	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®
Estado de pieza	Activo
Tipo FET	Canal P
Tecnología	MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	20 V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC	10A (Ta)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)	2.5V, 4.5V
Rds On (máx) @ Id, Vgs	50mOhm a 6A, 4.5V
Vgs(th) (máx) a Id	1V a 250µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs	20 nC @ 4.5 V
Vgs (máx.)	±8V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds	1200 pF @ 16 V
Característica de FET	-
Disipación de potencia (Máx.)	8.3W (Ta)
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Grado	-
Calificación	-
Tipo de montaje	Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor	SOT-223 (TO-261)
Paquete / Caja (carcasa)	TO-261-4, TO-261AA
Número de producto base	NTF6P02